【課題】 バイアスドリフトを補償し、かつ装置立上げ時の個体ばらつきの影響を吸収して、安定動作する４値位相変調器を提供する。
【解決手段】 並列する２つの位相変調器と、２つの位相変調器からの出力を合成する際の位相差を調整する位相器とから構成される、４値位相変調器において、逆方向に伝播する光を導入するための第２の光源を備え、４値位相変調器の入力側において同逆進光の強度レベルが最小となるように前記２つの位相変調器のバイアスを制御する第１の制御手段と、４値位相変調器の出力側においてビットレート以下の帯域を持つフォトダイオードでモニタした結果が最小となるように前記位相器のバイアスを制御する第２の制御手段とを備え、前記第２の制御手段を優先的に実行した後に、前記第１の制御手段を実行する。 （もっと読む）

【課題】光の回折限界に支配されることなく、遅延回路としての機能をナノメートル領域において発揮させる。
【解決手段】互いに等しい共鳴準位を持つ２つの量子ドット１１、１２からなり、入力パルス光を何れかの量子ドットで吸収するとともに、これに基づいて生成した光励起担体を共鳴準位を介して章動させる章動用の量子ドットグループ２０と、ゲート信号に対応する信号光による光励起担体の励起状態に応じて共鳴準位までシフトする第１のエネルギー準位を有し、量子ドットグループ２０において章動が繰り返されている光励起担体をシフトさせた第１のエネルギー準位に注入させるゲート用の量子ドット２１と、ゲート用の量子ドット２１における上記第１のエネルギー準位から光励起担体が注入される第２のエネルギー準位を有し、当該第２のエネルギー準位から放出されたエネルギーに応じて出力信号としての出力光を生成する出力用の量子ドット２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】出力光の発光強度を増加させるとともに、発光寿命の遅延を防止することが可能なナノフォトニックデバイス用の出力端子を提供する。
【解決手段】複数の量子ドット１２〜１４間で光励起担体を送受することにより動作するナノフォトニックデバイス用の出力端子１であって、ナノフォトニックデバイス２０を構成する量子ドットのうち、光励起担体を出力する出力用の量子ドット１２〜１４から５０ｎｍ以下の近接場領域に配置される、直径１００ｎｍ以下の１の金属微粒子から構成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、負荷の内部遅延の影響を低減して負荷を高速に駆動することができる非反転増幅回路及び光スイッチ駆動回路を提供することを目的とする。
【解決手段】演算増幅器を用いて構成した非反転増幅回路において、信号源と前記演算増幅器との間に信号の高周波成分を強調して前記演算増幅器の出力端子に接続される負荷の内部遅延を補償するプリエンファシス回路を有する。 （もっと読む）

本発明の様々な態様は、レーザ、モジュレータ及び光検出器として使用することができるマイクロ共振器システム、並びにこのマイクロ共振器システムを製造する方法に関する。一態様では、マイクロ共振器システム（１００）は、上表面層（１０４）を有する基板（１０６）、基板（１０６）内に埋め込まれた少なくとも１つの導波路（１１４、１１６）、並びに上層（１１８）、中間層（１２２）、底層（１２０）、電流分離領域（１２８）及び周辺環状領域（１２４、１２６）を有するマイクロディスク（１０２）を備えている。マイクロディスク（１０２）の底層（１２０）は、基板（１０６）の上表面層（１０４）と電気的に連絡しており、周辺環状領域（１２４、１２６）の少なくとも一部が、少なくとも１つの導波路（１１４、１１６）の上に配置されるように位置する。電流分離領域（１２８）は、マイクロディスクの中央領域の少なくとも一部を占有し、周辺環状領域よりも低い屈折率及び大きなバンドギャップを有するように構成されている。
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【課題】基板上に形成された光変調膜を用いた光制御装置において、光変調膜のドライブ回路を基板上に形成した場合でも、表示領域を充分に確保する技術を提供する。
【解決手段】光制御装置８は、基板３２と、絶縁膜３８と、第一のトランジスタ１４と、絶縁膜３８上に設けられた反射膜４４と、反射膜４４上に設けられた光変調膜４６と、光変調膜４６に配して二次元に配置された第一の電極４８および第二の電極４９と、第一の電極４８の上に設けられた偏光板５２とを有する。ここで、光変調膜４６は、印加された電界の大きさにより屈折率が変化する材料により構成される。このような材料として、Ｐｂ、Ｚｒ、ＴｉおよびＬａを構成元素として含むＰＬＺＴを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】光変調器から出力される光信号に含まれる低周波成分の位相を安定に検出する、簡単な回路構成のディジタル制御自動バイアス制御回路を提供すること。
【解決手段】ディジタル制御自動バイアス制御回路１００は、矩形波的に変化する電気信号が重畳されたＤＣバイアス電圧を光変調器１０４に印加し、光変調器１０４から出力された光信号に含まれる低周波成分の位相を検出することにより、光変調器１０４に印加されるＤＣバイアス電圧を最適値に制御するように動作する。光変調器１０４から出力された光信号を電気信号に変換し、ディジタル制御自動バイアス制御回路１００内のコンパレータ回路１０８で２値のディジタル信号に変換する。光変調器１０４に印加した低周波信号とコンパレータ出力の位相を位相比較器１０９で比較し、位相の符号によって光変調器１０４へ印加されるＤＣバイアス電圧をステップ的に調整する。 （もっと読む）

【課題】２次の非線形歪と３次の非線形歪とを同時に抑制可能な光変調装置を提供する。
【解決手段】レーザ駆動部６は、歪み検出部５からレーザ光ＬＢ３の非線形歪を示す比Ｉ１／Ｉ２を受け、電圧電流変換部３からＲＦ電流を受ける。そして、レーザ駆動部６は、比Ｉ１／Ｉ２に基づいて、光フィルタ４が光変調器２の出力とＲＦ電圧との関係における非線形歪を抑制するための透過特性を有するようにレーザ光源１が出射するレーザ光ＬＢ１の中心波長を決定し、その決定した中心波長とＲＦ電流に比例した変動波長とを有するレーザ光ＬＢ１を出射するようにレーザ光源１を駆動する。レーザ光源１は、レーザ光ＬＢ１を出射し、光変調器２は、レーザ光ＬＢ１の透過強度をＲＦ電圧に比例した透過強度に変換してレーザ光ＬＢ２を出力し、光フィルタ４は、自己の透過特性によってレーザ光ＬＢ２の非線形歪を抑制する。 （もっと読む）

【課題】高周波特性を維持しつつ光学装置の小型化を図ること。
【解決手段】光送信器１００は、光出力部１１２および電気入力部１１１ａを筐体１１０に有する。駆動回路１２０は、筐体１１０の電気入力部１１１ａに対応して配置される。発光素子１３０は、筐体の１１０光出力部１１２に対応して配置される。フレキシブル基板１４０は、特性インピーダンスを維持しつつ駆動回路１２０と発光素子１３０とを接続する信号ライン１４０ａを有する。フレキシブル基板１４０は、駆動回路１２０と発光素子１３０との間に切欠部を有する。 （もっと読む）

【課題】主に1.55μm帯の光集積素子の導波路層としては、組成波長1.25μmから1.55μmの範囲にあり、膜厚が150nm以上のInGaAsP層が用いられてきた。本条件のInGaAsP層を、通常の格子整合条件下で再成長すると、多数の欠陥が発生し、素子特性を低下させていた。
【解決手段】本発明によれば、本InGaAsP層のInP基板との格子不整合度εを、+0.1%≦ε≦+0.4%の範囲内に設定することにより、非混和性を低下させ、欠陥の発生を抑制して良好な素子特性を実現する事ができる。 （もっと読む）