【課題】分散ペナルティを小さく抑えること。
【解決手段】本発明は、２つの出力光導波路３８ａ、３８ｂに第２ＭＭＩ３４を介して接続する２つの光導波路３２ａ、３２ｂを有するマッハツェンダ型光変調器１０と、２つの光導波路を伝搬する光を変調させる変調信号を２つの光導波路夫々に設けられた変調用電極４２に差動信号として出力する駆動回路１４と、２つの光導波路夫々に設けられた位相調整用電極４０に出力する第１の位相制御信号を制御して、２つの光導波路を伝搬する光の位相を調整する位相調整回路１２と、２つの光導波路夫々に設けられた位相シフト用電極５４に出力する第２の位相制御信号を切替えて、２つの光導波路を伝搬する光の位相を変化させる位相シフト制御回路５０と、差動信号の極性を反転させる信号極性反転回路５２と、を備える光変調装置である。 （もっと読む）

【課題】半導体光素子の消費電力を小さくする。
【解決手段】第１クラッド層４と第２クラッド層６と前記第１クラッド層と前記第２クラッド層に挟まれた光導波層８とを有し、前記光導波層は第１半導体層１０と前記第１半導体層上に設けられ一方向に延在する第２半導体層１２と前記第２半導体層の上面を覆う第３半導体層１３を有し、前記第１半導体層は前記第２半導体層の片側に設けられたｎ型領域１４と前記第２半導体層の反対側に設けられたｐ型領域１６と前記ｎ型領域と前記ｐ型領域の間に設けられたｉ型領域１８とを有し、前記第２半導体層は前記第１半導体層および前記第３半導体層より狭いバンドギャップを有する。 （もっと読む）

【課題】光利用効率が高く、複雑な製造プロセスが不要な半導体短パルス発生装置、テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置及び計測装置を提供すること。
【解決手段】光パルスを発生する光パルス発生部２と、光パルス発生部２で発生した光パルスに対し、可飽和吸収に基づくパルス圧縮を行う第１のパルス圧縮部３と、第１のパルス圧縮部３でパルス圧縮がなされた光パルスに対し、群速度分散補償に基づくパルス圧縮を行う第２のパルス圧縮部５と、第１のパルス圧縮部３の前段、または第１のパルス圧縮部３と第２のパルス圧縮部５との間に設けられ、光パルスを増幅する増幅部４と、を有し、光パルス発生部２がスーパールミネッセントダイオードである。 （もっと読む）

【課題】回路構成の簡素化およびサイズ削減を実現する。
【解決手段】基板上に形成されて、入力光信号をＮ個（Ｎは２以上の整数）の光信号に分岐して出力する光スプリッタと、光スプリッタから出力された光信号ごとに基板上に形成されて、光の波長により位相変化量が異なる位相変調特性に基づいて、当該光信号の位相を調整して出力するＮ個の光位相変調器とを備える。 （もっと読む）

【課題】入力された光信号の光入力パワーを効率よく利用して、ミリ波・テラヘルツ波の電磁波を発生させることを可能とする。
【解決手段】１つの基板上に、３ｄＢカプラ１３、位相シフタ１６、フォトダイオード１７，１８、および高周波線路１９を形成し、３ｄＢカプラ１３により、周波数の異なる２つの入力光信号Ｓ１１，Ｓ１２を合波して得られた光ビート信号Ｓ１４，Ｓ１５の位相が同相となるよう、光ビート信号Ｓ１４，Ｓ１５のうちの一方、例えば光ビート信号Ｓ１４の位相を位相シフタ１６により調整し、得られた光ビート信号Ｓ１６と光ビート信号Ｓ１４とをそれぞれ、フォトダイオード１７，１８でＯＥ変換し、得られた電気信号Ｓ１７，Ｓ１８を高周波線路１９で電力合成して出力する。 （もっと読む）

【課題】材料コストおよび組み立てコストの削減が可能なシリコンおよびゲルマニウムを用いた半導体光変調器で、高速かつ低消費電力で光変調ができるようにする。
【解決手段】第１半導体層１０２は、第１導電型のシリコンから構成され、第２半導体層１０６は、第２導電型のシリコンから構成されている。また、第１障壁層１０３は、第１組成のシリコンゲルマニウムから構成されている。また、量子構造層１０４は、第１組成よりゲルマニウムの組成比が大きい第２組成のシリコンゲルマニウムから構成されて少なくとも層方向の厚さが量子効果が発現される範囲とされた量子構造を備えている。また、第２障壁層１０５は、第２組成よりゲルマニウムの組成比が小さい第３組成のシリコンゲルマニウムから構成されている。 （もっと読む）

【課題】ハイメサ光導波路においてハイメサの機械的強度が弱くなりプロセス中に折れやすくなる。
【解決手段】光デバイスであって、基板と、前記基板側から順に配置された第１の下側クラッド層部と、コア層部と、第１の上側クラッド層部と、を含むメサ、を備える第１の光導波路と、前記基板上に積層されるとともに、前記第１の光導波路を形成する際のエッチングを停止させる第１のエッチストップ層と、を有し、前記第１の光導波路は、前記第１のエッチストップ層上に積層されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 アームの光学特性を得ることができる光干渉素子の測定方法を提供する。
【解決手段】 光干渉素子の測定方法は、入力カプラと、前記入力カプラに接続された第１および第２の半導体アームと、前記第１および第２の半導体アームの出力を干渉させる出力カプラと、を備える光干渉素子の測定方法であって、前記第１の半導体アームを光透過状態にせしめた後に前記第２の半導体アームのバイアスをスイープし、前記出力カプラの出力状態を得るステップと、前記第１の半導体アームを前記光透過状態に比べて大きな光吸収特性を生じるバイアスを印加した状態で前記第２の半導体アームのバイアスをスイープし、前記出力カプラの出力状態を得るステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 光干渉素子の干渉特性の調整を行うことなく、光干渉素子に入力される入力光の特性を精度よく測定することができる、光干渉素子の入力光の特性測定方法を提供する。
【解決手段】 光干渉素子の入力光の特性測定方法は、入力カプラと、前記入力カプラに接続された複数の半導体アームと、前記半導体アームの出力を干渉させる出力カプラと、を備える光干渉素子の入力光の特性測定方法であって、前記複数の半導体アームのうち、１つを除く他のすべての半導体アームに光吸収特性を生じさせる制御を行う第１ステップと、前記第１ステップの後に、前記出力カプラから出力される前記入力光の特性を測定する第２ステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 負チャープを生じさせるマッハツェンダ干渉素子において、消光比のチューニングを容易にする。
【解決手段】 マッハツェンダ干渉素子は、入力カプラと、前記入力カプラに接続された第１および第２の半導体アームと、前記第１および第２の半導体アームの出力を干渉させる出力カプラと、前記第１の半導体アームに設けられた第１位相制御電極、第１変調電極、および補助電極と、前記第２の半導体アームに設けられた第２位相制御電極および第２変調電極と、を備え、前記第２変調電極の電極実効長は、前記第１変調電極の電極実効長よりも大きいことを特徴とする。 （もっと読む）