【課題】電極の曲がった部分における信号損失を低減する。
【解決手段】信号電極３ｂは、曲がり部４ａを有している。接地電極３ｃは、信号電極３ｂを挟むように形成されている。また、信号電極３ｂと接地電極３ｃは、曲がり部４ａにおける信号電極３ｂと接地電極３ｃとのギャップの幅Ｓ１が、曲がり部４ａの両端における信号電極３ｂと接地電極３ｃとのギャップの幅Ｓ２より狭くなるように形成されている。これにより、曲がり部４ａにおける電界分布が抑制され、信号電極３ｂの曲がり部４ａでの信号損失を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】減衰量を自動的に最適なものに設定することができる可変光減衰器を提供する。
【解決手段】強度検出手段２０において電圧Ｖ_ｎ＋１にした後の出射光Ｌ２の光強度Ｉ_ｎ＋１が検出され、エラー判定手段４０において電圧Ｖ_ｎ＋１の増減方向と光強度Ｉ_ｎ＋１の減衰方向とが一致するか否かが判定される。ここで、Ｖ_ｎ＋１（＝Ｖ_ｎ−ΔＶ）を供給したときに光強度Ｉ_ｎ＋１が光強度Ｉ_ｎに比べて大きくなっているか（Ｉ_ｎ＋１＞Ｉ_ｎ）、もしくはＶ_ｎ＋１（＝Ｖ_ｎ＋ΔＶ）を印加したときに光強度Ｉ_ｎ＋１が光強度Ｉ_ｎに比べて小さくなっているか（Ｉ_ｎ＋１＜Ｉ_ｎ）が判定される。電圧Ｖ_ｎ＋１の増減方向と光強度Ｉ_ｎ＋１の減衰方向とが一致している場合、使用領域ＴＲ２での使用であって正常である判定する。一方、電圧Ｖ_ｎ＋１の増減方向と光強度Ｉ_ｎ＋１とが一致していない場合、可変光減衰器１０による正常な減衰を行われていないと判定し、警告を出力する。 （もっと読む）

【課題】
１ビット遅延干渉計の相対的遅延をより正確に制御可能な光素子を提供すること。
【解決手段】
１ビット遅延干渉計１と、該１ビット遅延干渉計から出力される干渉光であるコンストラクティブ光ｂとディストラクティブ光ｃについて、各々その一部を分岐する分岐手段５，６と、該分岐手段で分岐されたコンストラクティブ光及びディストラクティブ光に係る各分岐光を干渉させる第２干渉手段７と、該第２干渉手段の出力光の強度を検出する光検出手段８とを有することを特徴とする光素子である。 （もっと読む）

【課題】位相変調部および強度変調部における各損失および該各損失のばらつきを確実に補償できる小型かつ低コストの光変調器およびそれを用いた光送信装置を提供する。
【解決手段】本光変調器２は、入出力ポート２_ＩＮ，２_ＯＵＴの間の光路上にＤＱＰＳＫ変調部２１、導波路型の光増幅部２４およびＲＺ変調部２２を縦続接続し、出力ポート２_ＯＵＴから出力されるＲＺ−ＤＱＰＳＫ信号光のパワーを光検出器２２４でモニタして、該モニタパワーが目標レベルで一定になるように、出力制御部２５が光増幅部２４をフィードバック制御する。 （もっと読む）

【課題】 低周波信号を使用することなく、入力光のレベル変化があっても最適な動作点を維持するバイアス制御が可能な光変調器を実現する。
【解決手段】 入力光をデータ信号によりオンオフ変調した出力光を送出すると共に、前記データ信号の動作点を規制するバイアス供給回路を具備するマッハツェンダ型光変調器において、
前記入力光のレベルと前記出力光のレベルの比率を演算し、この比率が一定となるように前記バイアス供給回路を制御する、バイアス制御部を備える。 （もっと読む）

ブロッホ表面プラズモン(ＢＳＰ)効果を利用する光変調器が開示される。ＢＳＰ光(ＢＳＰＯ)変調器(１０)は、一次元または二次元とすることができる誘電率変調(Ｐ-Ｍ)格子(２０)を備える。電気光学(ＥＯ)基板(３０)がＰ-Ｍ格子を挟み込む。ＥＯ基板はその上に配置された電極(６４)を有し、変調器をスイッチングする変調電圧信号(ＳＭ)を介して印加電圧(Ｖ_３０)を供給するために、電極に接続された電圧源(６０)が用いられる。有害な反射効果を軽減するために屈折率整合層(４０)を用いることができる。ＢＳＰＯ変調器により、表面プラズモンを励起するために入力光(１００Ｉ)に斜め入射角を生じさせる必要なしに、垂直入射入力光を直接に変調することが可能になる。
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【課題】光の導波領域として電気光学結晶を用い、該電気光学結晶に電界を印加する際に、該電界印加に用いる電極の材料に依存せずに、上記電界印加時に電気光学結晶の屈折率を一様に変化させることが可能な光デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る光デバイスは、電気光学効果を有する電気光学結晶４１と、電気光学結晶４１の第１の面に配置された電極４３と、第１の面と対向する第２の面に配置された電極４４とを備えている。さらに、電極４３と電気光学結晶４１との間、および電極４４と電気光学結晶４１との間には、チタン酸バリウムからなる絶縁膜４２ａ、４２ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な構成および工程によって、基板上に並列して形成された２つの光導波路のうち一方の光導波路のみを切断する溝を有する光導波路デバイスの生産性を向上させる。
【解決手段】光導波路デバイスは、基板の上面に並列して形成された２つの光導波路のうち、一方の光導波路のみを切断する溝を有し、該溝は、基板の上面から底面まで貫通している。このような溝は、基板１の上面に並列して形成された２つの光導波路２，３のうち、切断しようとする一方の光導波路２が上側に、切断しない他方の光導波路３が下側に位置するように基板１の一方の側面を支持台４に固定し、ダイシングブレード５を基板１の底面側から上面側へと進行させることによって形成される。 （もっと読む）

本発明の一実施形態によれば、１６−ＱＡＭ光変調器は、２つの電気的バイナリ信号に基づいてマッハ・ツェンダ変調器（ＭＺＭ）を駆動する駆動回路に結合された、ＭＺＭを有する。ＭＺＭの出力は、対応する同相／直交位相（Ｉ−Ｑ）平面内で一直線上に整列された４つのコンステレーション・ポイントから成る中間コンステレーションに対応する。これらのコンステレーション・ポイントのうちの２つがゼロ位相に対応し、残りの２つのコンステレーション・ポイントがπラジアンの位相に対応する。さらに、１６−ＱＡＭ光変調器は、ＭＺＭの出力を、２つの追加の電気的バイナリ信号に基づいてＭＺＭの出力を変調する、移相器を有する。結果として得られる光出力信号が、中間コンステレーションの増分回転で生成される、スター１６−ＱＡＭコンステレーションに対応する。
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【課題】少なくとも一対の光変調部における各直流バイアスを制御するのに際して、一方の光変調部のバイアス点を制御している間に、他方の光変調部に印加される直流バイアスの悪影響を防止することで、正確な制御を可能とすることである。
【解決手段】電気光学効果を有する基板と、基板上に形成された光導波路４と、光導波路に対して変調信号を印加することで光波を変調するための並列に配列された少なくとも一対の光変調部２Ａ、１Ｂと、一対の光変調部２Ａ、２Ｂで変調された光波を合波する合波部を設ける。一対の光変調部２Ａ、２Ｂにおける各直流バイアスを制御する。一方の光変調部２Ａに印加される直流バイアスを変化させ、他方の光変調部２Ｂに低周波信号を重畳することで、合波後の光波の光量変化を検出する。この検出された光量変化に基づき、一方の光変調部２Ａの直流バイアスを制御する。 （もっと読む）