【課題】スピン注入型磁化反転素子を用いた光変調素子の光変調度を向上することを目的とする。
【解決手段】磁化固定層１１と、非磁性中間層１２と、磁化自由層１３とをこの順で積層したスピン注入型磁化反転素子構造と、このスピン注入型磁化反転素子構造の上下に設けられた一対の電極２，３とを備え、当該一対の電極２，３を介して電流を供給されることにより磁化自由層１３の磁化方向を変化させて、入射した光をその偏光方向を変化させて出射する光変調素子１０において、一対の電極２，３のうち、磁化固定層１１側に設けられた電極である下部電極３は、少なくとも上層部がＡｇからなるように構成した。 （もっと読む）

【課題】スピン注入型磁化反転素子の中間層におけるＭｇＯの（００１）面配向性を向上する。
【解決手段】光変調素子（スピン注入型磁化反転素子）５は、垂直磁気異方性を示す磁化固定層５１と、ＭｇＯからなる中間層５２と、垂直磁気異方性を示す磁化自由層５３とをこの順で積層したトンネル磁気抵抗型のスピン注入型磁化反転素子構造を備え、スピン注入型磁化反転素子構造の上下に設けられた一対の電極２、３を介して電流を供給されることにより磁化自由層５３の磁化方向を変化させて、入射した光をその偏光方向を変化させて出射する。ここで、磁化自由層５３は、遷移金属または遷移金属を含む合金からなる界面層５３ｂと、Ｔａ膜またはＲｕ膜からなる緩衝層５３ｃと、磁化方向が反転される磁性層である主層５３ａとをこの順で積層して構成した。 （もっと読む）

【課題】レーザ加工用等の用途に使用される高出力レーザ、例えばファイバーレーザに使用される光アイソレータ用に好適な小型化され高消光比の特性を有する光モジュールを提供すること。
【解決手段】波長１．０６μｍにおけるベルデ定数が０．２７ｍｉｎ／（Ｏｅ・ｃｍ）以上のファラディ回転子と、前記ファラディ回転子の外周に配置される中空マグネットとを備え、前記ファラディ回転子に印加される磁束密度Ｂ（Ｏｅ）は下記式（１）の範囲内にあり、前記ファラディ回転子が配置されるサンプル長Ｌ（ｃｍ）と外径Ｄ（ｃｍ）は下記式（２）及び（３）の範囲内にあることを特徴とし、更に前記ファラディ回転子は円筒形状であり、（２）及び（３）の寸法を満たし、１ｄＢ以下の挿入損失と３５ｄＢ以上の消光比を有する光モジュール。
０．５×１０⁴≦Ｂ≦１．５×１０⁴ （１）
０．７０≦Ｌ≦１．１０ （２）
０．２０≦Ｄ≦０．６０ （３） （もっと読む）

【課題】挿入損失で０．６ｄＢを下回り、高い収率で製造可能なビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜（ＲＩＧ）と光アイソレータを提供する。
【解決手段】化学式Ｇｄ₃（ＳｃＧａ）₅Ｏ₁₂で示される非磁性ガーネット基板上に液相エピタキシャル成長法により育成されたビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜において、化学式Ｐｒ_3-x-yＧｄ_xＢｉ_yＦｅ₅Ｏ₁₂で示され、ｘとｙが１．２０≦ｘ≦１．５６、０．８０≦ｙ≦１．１９であることを特徴とする。化学式Ｐｒ_3-x-yＧｄ_xＢｉ_yＦｅ₅Ｏ₁₂で示される本発明のＲＩＧは、従来のＲＩＧと比較して挿入損失で０．６ｄＢを下回り、かつ、波長１μｍ程度の光吸収に起因した発熱量の低減が図れるため、加工用高出力レーザー装置の光アイソレータ用ファラデー回転子に使用するできる顕著な効果を有する。 （もっと読む）

【課題】スピン注入磁化反転素子による、光変調度を向上させた光変調素子を提供する。
【解決手段】光変調素子５は、基板７上に、磁化自由層１３、中間層１２、および磁化固定層１１の順に積層したスピン注入磁化反転素子構造１を備え、磁化自由層１３を下部電極３とし、磁化固定層１１の上に積層された透明電極層を上部電極４とする。光変調素子５は、誘電体層２をさらに備えて、この上に前記磁化自由層１３が積層される。光変調素子５に入射した光は、スピン注入磁化反転素子構造１および誘電体層２を透過して基板７で反射し、さらに誘電体層２と磁化自由層１３との界面で反射して、誘電体層２で多重反射することにより、磁化自由層１３のカー回転角での旋光を累積させて出射する。 （もっと読む）

【課題】画素の選択性を向上させた、磁気光学式の空間光変調器を提供する。
【解決手段】基板７上に配列された複数の画素４のそれぞれに磁気光学材料を細線状に形成してなる磁性細線１を備え、さらに基板７上に磁気転写膜５を磁性細線１の下面に接触させて備える空間光変調器１０であって、磁性細線１において、両端に接続された一対の電極２，３にて供給される電流により２つの磁区Ｄ０，Ｄ１間の磁壁ＤＷが細線方向に移動して、光の入射領域１ｒに磁区Ｄ０，Ｄ１のいずれかを選択的に到達させて、入射領域１ｒの磁化方向を反転させるものである。磁性細線１の磁化方向が磁気転写膜５に転写されるため、入射領域１ｒの直下における磁気転写膜５の磁化方向は磁性細線１と共に反転する。基板７を透過して入射した光は、磁気転写膜５を透過する際のファラデー効果により大きく旋光し、磁性細線１で反射して、再び磁気転写膜５を透過する際にも旋光して出射する。 （もっと読む）

【課題】細線状に形成された磁性体からなる磁性細線を用いて、簡易な構造で、かつ開口率を向上させた空間光変調器を提供する。
【解決手段】空間光変調器１０は、細線方向に単位長さＬbで区切られた領域を画素として所定数の画素を細線方向に連続して設けられた磁性細線１を、複数並設して画素アレイを形成し、データ書込部５０および走査電流源８をさらに備える。磁性細線１は画素を設けられた領域である画素領域１ｐｘの外に細線方向に区切られた書込領域１ｗが設けられており、データ書込部５０が書込領域１ｗを所定の画素における磁化方向に変化させて形成した磁区は、走査電流源８が磁性細線１に細線方向に直流パルス電流を供給することにより、当該磁区を区切る磁壁と共に細線方向に沿って移動して、前記所定の画素に到達する。 （もっと読む）

【課題】挿入損失で0.60dBを下回り、高い収率で製造可能なビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜（RIG）と光アイソレータを提供する。
【解決手段】化学式Ｇｄ₃（ＳｃＧａ）₅Ｏ₁₂で示される非磁性ガーネット基板上に液相エピタキシャル成長法により育成されたビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜であって、化学式Ｌａ_3-x-yＧｄ_xＢｉ_yＦｅ₅Ｏ₁₂（但し、0<x<3、0<y<3）で示され、La、Gd、Biの組成割合が、La-Gd-Bi三元系組成図上において、組成点A、組成点B、組成点C、組成点Dを頂点とする四角形の内部に相当する数値範囲を有することを特徴とする。
組成点A（La/0.15，Gd/1.66，Bi/1.19）、組成点B（La/0.32，Gd/1.88，Bi/0.80）、
組成点C（La/0.52，Gd/1.68，Bi/0.80）、組成点D（La/0.35，Gd/1.46，Bi/1.19）。 （もっと読む）

【課題】スピン注入磁化反転素子による、光変調度を向上させた光変調素子を提供する。
【解決手段】光変調素子１は、垂直磁化異方性を有する磁化固定層１１、中間層１２、および垂直磁化異方性を有する磁化自由層１３、の順に積層したスピン注入磁化反転素子構造を備え、上下に接続された一対の電極２，３を介して電流を供給されることにより前記磁化自由層１３の磁化方向を変化させる。磁化自由層１３は、組成がＧｄ：１９〜２７ａｔ％、Ｆｅ：７３〜８１ａｔ％であるＧｄ−Ｆｅ合金からなり、飽和磁化が５０〜２５０ｅｍｕ／ｃｃであることを特徴とする。磁気光学効果の大きいＧｄＦｅ合金においてＦｅを多く含有することで、磁化方向の安定性を保持しつつ反転電流を低減することができ、磁化自由層１３の厚膜化による光変調度のさらなる拡大を可能とする。 （もっと読む）

【課題】透明電極を適用する必要がなく、また、開口率を増大、効率的な偏光変調を行なうことができ、さらに、磁化反転動作を正確に検知できる光変調素子およびこれを用いた空間光変調器を提供する。
【解決手段】基板７上に、磁化自由層３、上部中間層２１、２２、上部磁化固定層１１、１２とがこの順序で積層された上部素子１Ａと、基板７と磁化自由層３との間に形成される下部素子１Ｂとを備える光変調素子１であって、上部磁化固定層は分離した２つの上部磁化固定層からなり、上部磁化固定層は、互いに反平行な磁化に固定され、かつ磁化自由層よりも保磁力の大きい磁性体であり、下部素子１Ｂは、補助電極５３、下部磁化固定層１３、下部中間層２３とがこの順序で基板側から積層され、透過した光を磁化自由層３に入射させるための窓部５４が形成され、駆動電極の一方と補助電極５３との間の電気抵抗は、駆動電極間の電気抵抗に比べて大きい。 （もっと読む）