【課題】光位相の連続可変と高速制御が可能であり、環境条件からの影響を受けにくく、偏波無依存型、自由空間型、光ファイバ型への適応が容易な可変光位相器を提供する。
【解決手段】前方からの入力光を互いに直交する第１および第２の直線偏光に偏光分離する第１の偏光子４１が配置され、第１および第２の直線偏光が出力光として出射するまでの第１および第２の光路上に、入力した直線偏光を円偏光に変換する第１および第２の四分の一波長板（１１，１２）と、入力した円偏光の偏光面を回転させるファラデー回転子２０と、それぞれに入力された円偏光を互いに直交する直線偏光に変換して出力する第３および第４の四分の一波長板（１３，１４）と、入力された互いに直交する二つの直線偏光を偏光合成して出力光として出射する第２の偏光子４２が順に配置され、ファラデー回転子による回転角に応じて出力光の位相を変化させる。 （もっと読む）

【課題】有害性が大きいとされる鉛を実質的に含有せず、結晶特性に優れ、かつ、ファラデー回転子としたときの光透過性やファラデー回転能の劣化が見られないビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶を提供することを目的とする。
【解決手段】ビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶であって、該ビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶は、組成式
（ＢｉＲ）_３−ａＭ１_ａＦｅ_{５−ｂ−ｃ−ｄ}Ａｌ_ｂＰｔ_ｃＭ２_ｄＯ_１２
（Ｒ：ランタノイド金属及びＹのうちから選択される一種または二種以上の元素、
Ｍ１：Ｃａ及びＳｒから選択される一種または二種の元素、
Ｍ２：Ｇｅ及びＳｉから選択される一種または二種の元素、
０．０１＜ａ＜０．１，０．１５≦ｂ＋ｄ≦０．６，０．０１≦ｃ≦０．０４，ａ＝ｃ＋ｄ）
で表されるものであることを特徴とするビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶。 （もっと読む）

【課題】板厚の薄いガーネット基板に、膜厚の薄いビスマス(以下、Ｂｉと略記する)置換希土類−鉄ガーネット膜(以下、ＲＩＧ膜と略記する)が選択された場合、得られるＲＩＧ膜表面に発生する放射状、直線状のクラックが抑制された短波長向けＲＩＧ膜の液相エピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】ＲＩＧ膜の成分を溶かしたフラックス液面に、ガーネット基板を接触させてＲＩＧ膜を成長させる液相エピタキシャル成長方法であって、ガーネット基板の板厚が２００μｍ以上３５０μｍ以下、ＲＩＧ膜の膜厚が１００μｍ以上３００μｍ以下であることを特徴とし、特に、ガーネット基板の板厚をＴ(μｍ)、ＲＩＧ膜の膜厚をｔ(μｍ)としたとき、上記要件に加えて、下記(数１)を満たすことを特徴とする。
-２Ｔ＋７００（μｍ） ≦ ｔ ≦ -４Ｔ＋１５００（μｍ） （数１） （もっと読む）

【課題】高出力の光が入射されてもファラデー回転子の温度上昇を抑制できる偏波無依存型光アイソレータを提供する。
【解決手段】ＬｉＮｂＯ_３単結晶から成る一対の楔形複屈折結晶板１、５と磁性ガーネット単結晶から成るファラデー回転子３を備え、ファラデー回転子の各光透過面にサファイア単結晶板が接合された偏波無依存型光アイソレータであって、各サファイア単結晶板の光透過面がサファイア単結晶板のｃ面からオフセットされるように形成され、かつ、楔形複屈折結晶板で分離された常光と異常光が共にサファイア単結晶板入射後にサファイア単結晶板のｃ軸とのなす角度が０．７４度以内の条件を満たすように、常光と異常光の光軸がなす角度の２等分線で表される仮想光のサファイア単結晶板への入射角θaと、サファイア単結晶板のｃ面からのオフセット角θoffが所定範囲に設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光変調しない画素有効領域外からの出射光を抑制して、コントラストを向上させた反射型の空間光変調器を提供する。
【解決手段】基板７上に２次元配列された画素４からなる空間光変調器の画素アレイ４０は、各画素４の光変調素子同士を絶縁する素子間絶縁層５を、光の入射される側から順に低屈折率絶縁層５２およびそれよりも屈折率の高い高屈折率絶縁層５１の少なくとも２層を積層して備える。光が高屈折率絶縁層５１の上下界面で多重反射して閉じ込められることにより減衰して、出射光が抑制される。 （もっと読む）

【課題】効率的に磁界を発生させて、小型化と動作安定性とを両立させた可変ファラデー回転子を提供する
【解決手段】光軸１１方向を前後方向として、磁気光学材料からなるファラデー素子２と、当該ファラデー素子に磁界を印加するための磁気回路部とを含んで構成されるファラデー回転子１ａであって、前記ファラデー素子の前後に偏光子（３ｆ，３ｂ）が配置されて非相反部１０が構成され、前記光軸と一致する軸を有して前後に開口する中空筒状で、光路に沿って進行する光を中空部６１を介して通過させる高透磁率磁性材料からなるコア部６が前記非相反部の前後にそれぞれ配置され、前記磁気回路部は、前記光軸を螺旋軸として、前記非相反部と前記コア部の周囲に巻回されているコイル４によって形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＭｇＯを障壁層として磁化反転電流を低減したＴＭＲ素子構造を備える光変調素子を提供する。
【解決手段】光変調素子５は、磁化固定層１１、ＭｇＯからなる障壁層１２、磁化自由層１３を積層してなるＴＭＲ素子構造１と、その上下に接続した上部電極３、下部電極２を備える。下部電極２は、組成がＣｕ_1-xＣｒ_x（０．０７＜ｘ＜０．４２）である非晶質のＣｕ−Ｃｒ合金からなり、磁化固定層１１は非晶質の磁性体からなり、このような非晶質の層の上に、障壁層１２としてＭｇＯ膜が形成されるため、ＭｇＯ膜が強い（００１）面配向を示して、ＴＭＲ素子構造１の磁化反転電流を低減できる。 （もっと読む）

【課題】環境温度の変化に伴う電気光学結晶の複屈折変化が存在する場合においても偏光状態を補償し、一定の感度を得ること。
【解決手段】印加される電界又は磁界により屈折率を変化させ、それによって通過する偏光を変調する電界検出用電気光学結晶９と同じ特性を有する複屈折補償用電気光学結晶８を、結晶軸が電界検出用電気光学結晶９の結晶軸に対して直交するように光の伝搬軸上に配置する。具体的には、遅（進）相軸が電界検出用電気光学結晶９の進（遅）相軸に対して平行になるように配置する。 （もっと読む）

【課題】超高密度記録、センシング、生物医学、画像化技術などの広い分野に応用して好適な、貴金属に起因する表面プラズモンを用いた高い磁気光学性能を有する磁気光学材料を提供する。
【解決手段】上記課題は、チタニアナノシートなどの極薄い磁性体を貴金属表面上に配置することにより達成される。 （もっと読む）

【課題】高品質で大型のＴＧＧ結晶を、安価に且つ容易に製造できるようにする。
【解決手段】ＧＧＧ結晶又はＳＧＧＧ結晶からなる基板上に、ＬＰＥ法で育成したＴＧＧ結晶である。前記ＴＧＧ結晶は、組成Ｔｂ₃ Ｍ_x Ｇａ_5-x Ｏ₁₂で表され、ＭがＳｃ、Ｉｎから選ばれる少なくとも１種の３価元素であって、基板がＧＧＧの場合には０．１≦ｘ≦０．５を満たし、基板がＳＧＧＧの場合は０．９≦ｘ≦１．６５を満たしており、且つ前記基板と育成したＴＧＧ結晶の垂直方向の格子定数差を±０．０２Å以下とする。必要なガーネット原料と、ＰｂＯ及びＢ₂ Ｏ₃ をフラックスとする融液の表面に、基板の片面を接触させ、８５０〜９８０℃でＴＧＧ結晶をＬＰＥ成長させる。融液中に、ＳｉＯ₂ 、ＧｅＯ₂ 、ＴｉＯ₂ から選ばれる１種以上の酸化物、あるいはＣｅＯ₂ が含まれていてもよい。必要に応じて、育成したＴＧＧ結晶を還元処理する。 （もっと読む）