【課題】 表示品位を改善することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 各画素に配置されたスイッチング素子と、複数の画素に亘って形成された共通電極と、前記共通電極の上に配置された絶縁膜であって前記共通電極まで貫通した貫通孔が形成された絶縁膜と、前記スイッチング素子と電気的に接続されるとともに前記絶縁膜の上において各画素に形成され前記共通電極と向かい合う画素電極であって前記貫通孔上にスリットが形成された画素電極と、前記画素電極及び前記貫通孔で前記絶縁膜から露出した前記共通電極を覆う第１配向膜と、を備えた第１基板と、前記第１配向膜と対向する第２配向膜を備えた第２基板と、前記第１基板の前記第１配向膜と前記第２基板の前記第２配向膜との間に保持された液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】放射線感度に優れ、低照射量の光配向法で良好な液晶配向性を発現できる液晶配向剤を提供する。
【解決手段】ある特定の化学式で表される基を含む構造単位を有する重合体を含有する液晶配向剤である。また、この重合体は、ポリエステル、又はポリチオエステルであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】シリケートガラスによって、シール材と基板との界面からの水分の侵入や、シール材で囲まれた領域内に侵入した水分の影響を低減することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００では、素子基板１０および基板本体１０ｗ（第１基板）側においてシール材１０７と接するのは、ＢＳＧ膜からなるシリケートガラス層１８（第１シリケートガラス層）であり、対向基板２０および基板本体２０ｗ（第２基板）側においてシール材１０７と接するのは、ＢＳＧ膜からなるシリケートガラス層２８（第２シリケートガラス層）である。シール材１０７で囲まれた領域で、シリケートガラス層１８は、画素電極９ａおよびダミー画素電極９ｂの非形成領域９ｃで液晶層５０に表面を向けており、シリケートガラス層２８は、共通電極２１の非形成領域２１ｃで液晶層５０に表面を向けている。 （もっと読む）

【課題】イオン性不純物トラップ用の電極を設けなくても、イオン性不純物の凝集に起因する表示品位の低下が発生しにくい液晶装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】ＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶装置１００においては、フレーム反転駆動方式が採用されている。また、第１基板１０側の配向膜１６には、画素電極９ａの端部に平面視で重なる部分に、第２基板２０に向けて突出した突部１６ａが設けられており、液晶層５０の流動は突部１６ａによって阻害される。突部１６ａは、例えば、画素電極９ａの端部と配向膜１６との間に設けられた膜１７ａの形状が配向膜１６の表面に反映されてなる。 （もっと読む）

【課題】耐衝撃性および高速応答性に優れる強誘電性液晶組成物、およびそれに用いられる強誘電性液晶用応答速度向上剤を提供する。
【解決手段】フェニルピリミジン骨格を有するキラル化合物等からなる強誘電性液晶用応答速度向上剤。キラルな基としては下記の基が例示される。


（上記式（２）において、Ｒ^３３は、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１〜４の飽和もしくは不飽和のアルキル基もしくはアルコキシアルキル基である。Ｙ^３１は、−ＣＨ_３またはフッ素原子を表す。＊印はキラル中心を示す。） （もっと読む）

【課題】液晶表示装置及び配向膜、並びにこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】上記配向膜は、基板上に、第１主鎖を形成する第１物質及び第２主鎖を形成する第２物質を含み、上記第１物質は、光硬化剤と結合され、上記第２物質は垂直配向性官能基と結合され、上記光硬化剤は、互いに架橋結合して、上記基板に対してプレチルト角で傾くように配列され、上記垂直配向性官能基は、上記基板に対して実質的に垂直配列され、上記第１物質と上記第２物質が、互いに異なることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】偏光または非偏光の紫外線を照射して良好なプレチルト角を発現させることができるとともに、高度の紫外線耐性を有する液晶配向膜を与える液晶配向剤を提供すること。
【解決手段】上記液晶配向剤は、（Ｉ）重合性二重結合を有する基を有するポリオルガノシロキサンおよび（ＩＩ）桂皮酸構造を有する基を有するポリオルガノシロキサンを含有するか、あるいは（ＩＩＩ）重合性二重結合を有する基および桂皮酸構造を有する基を有するポリオルガノシロキサンを含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光配向によって配向処理された配向膜を有する液晶表示装置において、残像を早期に消失させ、高画質の液晶表示装置を得る。
【解決手段】配向膜１１３は光導電特性を有している。走査線１０が下部に存在する領域はバックライトが照射されないので、光導電効果が得られない。この部分の電荷を早期に開口部５５の配向膜１１３に移動させ、残像を早期に消失させるために、走査線１０の上方に配置する配向膜１１３の下にフォトレジスト３０を配置する。フォトレジスト３０は膜厚が１．５μｍ程度であり、配向膜１１３の厚さ７０ｎｍの２０倍以上なので、フォトレジスト３０が存在する部分では、横方向の抵抗が小さい。したがって、走査線１０の上に存在する配向膜１１３上の電荷が早期に開口部５５の配向膜１１３に移動し、消失するので、残像が早期に消失する。 （もっと読む）

【課題】 光配向膜を有する液晶表示パネルにおける光透過率の向上と残像の発生の抑制とを両立させる。
【解決手段】 アクティブ素子、画素電極、共通電極、および液晶層を有する画素がドットマトリクス状に配置された液晶表示パネルを有し、当該液晶表示パネルは、第１の基板、第２の基板、および前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置された液晶層とを有し、前記第１の基板は、前記アクティブ素子、前記画素電極、前記共通電極、および第１の配向膜を有し、前記第２の基板は、第２の配向膜を有し、前記第１の配向膜および前記第２の配向膜は、それぞれ、光分解型の絶縁膜に光を照射して形成された光配向膜である液晶表示装置であって、前記第２の配向膜は、前記第１の配向膜よりも薄く、かつ、その厚さが１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】イオン性不純物トラップ用の電極を設けなくても、イオン性不純物の凝集に起因する表示品位の低下が発生しにくい液晶装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】ＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶装置１００においては、フレーム反転駆動方式が採用されている。また、第１基板１０側の配向膜１６には、画素電極９ａの端部に平面視で重なる部分に、配向膜１６の膜厚を他の領域より薄くする凹部１６ａが設けられている。凹部１６ａが設けられている部分では、液晶層５０に印加される電界が他の領域と相違しているため、電界が加わった際の液晶分子５０ｂの姿勢が他の領域と相違している。この液晶層５０での流動が阻害されるので、イオン性不純物が移動しにくい。 （もっと読む）