【課題】光センサの検出精度が安定している液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置１は、複数の受光素子２ａ，２ｂと画像表示用の複数の電極と当該複数の電極と接続される複数の液晶駆動素子とを備えるアレイ基板と、複数の画素又はサブピクセルに対応し平面視でマトリクス状に区分けされた複数の画素開口部ＡＰ１を形成するブラックマトリクスＢＭを備える対向基板とが、液晶層を介して互いに対向する。複数の受光素子２ａ，２ｂは、青色波長領域に感度を持つ第１の受光素子２ａと、信号補償用の第２の受光素子２ｂとを含み、金属酸化物を含む透明チャネル層を備えるフォトトランジスタである。ブラックマトリクスＢＭは、平面視で互いに対向する２辺に形成された斜め光開口部ＡＰ２を具備する。複数の電極は、画素開口部ＡＰ１に対応する液晶を駆動するための画素電極と、斜め光開口部ＡＰ２に対応する液晶を駆動するための導光電極とを含む。 （もっと読む）

【課題】高解像度のタッチ式入力が可能なタッチパネル及び表示装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、複数の第１配線と、複数の第２配線と、複数のセンサ部と、制御部と、を含むタッチパネルが提供される。複数の第１配線は、第１方向に沿って並ぶ。複数の第２配線は、第１方向と交差する第３方向に沿って並ぶ。センサ部は、第１配線と第２配線との交差部に設けられる。センサ部は、第１強磁性層と、第２強磁性層と、第１強磁性層と第２強磁性層との間に設けられ非磁性の中間層と、を含む。センサ部の一端は、第１配線と接続される。センサ部の他端は、第２配線と接続される。センサ部の第１強磁性層と第２強磁性層との間の電気抵抗は、センサ部に加わる応力に応じて高抵抗値と高抵抗値よりも低い低抵抗値との間で変化する。制御部は、センサ部における電気抵抗の変化を検出する。 （もっと読む）

【課題】後の工程で形成される光電変換層を広く形成することができ、センサの受光面積（開口率）を上げることができる、インテリジェント化された新規な半導体装置を用いた表示装置を提供する。
【解決手段】イメージセンサは、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有するトランジスタを有し、トランジスタの上方に絶縁膜を有し、絶縁膜の上方にフォトダイオードを有する。トランジスタはフォトダイオードと重なる位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサにおいて、光検出の精度を向上させることを目的の一とする。また
、フォトセンサの受光面積を広げることを目的の一とする。
【解決手段】フォトセンサは、光を電気信号に変換する受光素子と、電気信号を転送する
第１のトランジスタと、電気信号を増幅する第２のトランジスタとを有し、受光素子はシ
リコン半導体を用いて形成され、第１のトランジスタは酸化物半導体を用いて形成されて
いる。また、受光素子は横型接合タイプのフォトダイオードであり、受光素子が有するｎ
層又はｐ層と、第１のトランジスタとが重なって形成されている。 （もっと読む）

【課題】液晶容量の変化の検出感度を向上させることができる容量変化検出回路を提供する。
【解決手段】静電容量の変化を検出する容量変化検出回路であって、一方の電極が電圧供給線に接続された第１の可変容量と、前記第１の可変容量の他方の電極に直列に接続された第２の可変容量と、前記第２の可変容量の前記第１の可変容量とは他方の電極に接続され、前記第１の可変容量、及び前記第２の可変容量の容量値に応じた電気信号を出力するスイッチング素子とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、衝撃や振動に強く、信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る表示装置は、第１基板（アレイ基板）１と、第１基板１より、接触強度が弱い第２基板（カラーフィルタ基板）２と、第１基板１と第２基板２に挟持された表示素子（液晶）４とを具備する表示パネル（液晶パネル）１００を備える。第２基板２は、第１基板１より、平面視上、内側になるように配設されている。例えば、第１基板と第２基板はガラス基板であり、第２基板の厚みは、第１基板より薄い。 （もっと読む）

【課題】トップコンタクト構造において、有機半導体層の膜質を確保しつつチャネル領域に対するコンタクト抵抗（注入抵抗）の低減を図る。
【解決手段】有機半導体層１７は、ゲート電極１３を幅方向に覆う状態で配置されており、ゲート電極１３の幅方向の中央部に配置された厚膜部１７−１と、この厚膜部１７−１よりも薄い膜厚を有してゲート電極１３の幅方向の両端に配置された薄膜部１７−２とを有する。またソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄは、有機半導体層１７の薄膜部１７−２上に端部が積層される。有機半導体層１７は、厚膜部１７−１が前記ゲート電極１３の幅の範囲内に設けられる一方、薄膜部１７−２は、厚膜部１７−１からゲート電極１３の幅方向の外側に延設される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層のチャネル領域の、水素拡散による低抵抗化を抑制するトップゲート型酸化物半導体ＴＦＴ及びこれを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】基板の上に、ソース電極層と、ドレイン電極層と、酸化物半導体層と、ゲート絶縁層と、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｓｎの少なくとも１種類の元素を含むアモルファス酸化物半導体からなるゲート電極層と、水素を含む保護層と、を有し、ゲート絶縁層は酸化物半導体層のチャネル領域の上に形成され、ゲート電極層はゲート絶縁層の上に形成され、保護層はゲート電極層の上に形成されていることを特徴とするトップゲート型薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】光の検出精度を向上させる。
【解決手段】可視光領域の波長を有する光を発するＺ個（Ｚは３以上の自然数）の第１の発光ダイオード及び赤外線領域の波長を有する光を発する第２の発光ダイオードを備えるライトユニットと、表示選択信号が入力され、前記表示選択信号に従って表示データ信号が入力され、入力される表示データ信号のデータに応じた表示状態になる表示回路と、可視光領域の波長を有する光を吸収するフィルタを備え、光検出制御信号が入力され、入力された前記光検出制御信号に従って、入射する光の照度に応じたデータを生成するＹ個（Ｙは自然数）の光検出回路と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】静止画像を低消費電力で表示することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】静止画像を表示することのできる半導体表示装置を搭載した半導体装置において、画素部を形成する基板上にメモリ部を実装する。実装の方法は、画素部を形成する基板上にメモリ部を形成するか、またはメモリ部を備えたスティックドライバを用いる。そのようなメモリ部に格納された画像データを用いて静止画像を表示することにより、半導体表示装置の外部からは簡単な制御信号を入力するだけで静止画像を表示することが可能となり、低消費電力で静止画像を表示することのできる半導体表示装置および半導体表示装置を搭載した半導体装置が提供される。 （もっと読む）