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国際特許分類[G03F1/00]の内容

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国際特許分類[G03F1/00]に分類される特許

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【課題】透過率の微妙な調整が可能であり、さらにはカラーフィルタにおける3種以上の異種部材を形成するのに有用な階調マスクを用いたカラーフィルタの製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板12と、上記透明基板12上にパターン状に形成された遮光膜13および透過率調整機能を有する半透明膜14とを有し、上記透明基板12のみを有する透過領域21と、上記透明基板12上に上記遮光膜13のメインパターンが設けられた遮光領域22と、上記透明基板12上に上記半透明膜14の補助パターンのみが設けられ、上記半透明膜14の補助パターンおよび開口部の少なくともいずれか一方が解像限界以下の寸法をもつ第2半透明領域24とを有する階調マスク11を用いる。 (もっと読む)


【課題】寸法精度にばらつきを有する基板を対象とする場合にあっても、スクリーンマスクと基板との寸法誤差に起因する印刷位置ずれを防止することができるスクリーンマスクの製造システムおよび製造方法を提供する。
【解決手段】基板撮像装置M1によって基板を撮像して基板に形成された電極パターンの画像情報に基づき、画像データ処理装置M2によって基板における電極パターンの実測位置を示す実測位置データを作成し、レーザ加工装置M3によって実測位置データに基づいてスクリーンマスクを構成するプレート部材に電極パターンに対応したパターン孔を形成する。これにより、寸法精度にばらつきを有する基板を対象とする場合にあっても、スクリーンマスクと基板との寸法誤差に起因する印刷位置ずれを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】解像限界の良いポジ型レジストを使用してネガ型の所望のパターンを形成し、ポジ型レジストと同程度の解像限界を得ることにある。
【解決手段】透光性基板300上に成膜された遮光性膜200上に、所望パターンのスペース部に第一被覆膜パターン100を形成した後、その上面を第二被覆膜110で被覆する。引き続き、第二被覆膜を研磨によって第一被覆膜パターンを露出させて剥離した後、第二被覆膜をハードマスクとして遮光膜をエッチングして所望パターンを形成するフォトマスクの製造方法である。 (もっと読む)


【課題】急峻なプロファイルを持つレジストパターンを得ることができる多階調フォトマスク及びパターン転写方法を提供すること。
【解決手段】本発明の多階調フォトマスクは、透明基板11上に設けられた、露光光を一部透過させる半透光膜を各々パターン加工することにより、透光部及び半透光部を持つ転写パターンを備えた多階調フォトマスクであって、前記半透光部は、前記透明基板に対して相対的に低い位相シフト量を持つ第1半透光膜12と、前記第1半透光膜12に対して相対的に高い位相シフト量を持つ第2半透光膜13と、から構成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、表示装置の製造工程の簡略化を図るとともに、パターンの形成に有利な階調マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、透明基板と、遮光膜と、透過率調整機能を有する半透明膜とが順不同に積層され、上記透明基板上に前記遮光膜が設けられた遮光領域と、上記透明基板上に前記半透明膜のみが設けられた半透明領域と、上記透明基板上に前記遮光膜および前記半透明膜のいずれも設けられていない透過領域とを有し、表示装置の製造に用いられる表示装置製造用階調マスクであって、上記半透明膜が金属膜であり、上記表示装置製造用階調マスクは、エッチングストッパー膜を有するものではないことを特徴とする表示装置製造用階調マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 (もっと読む)


【課題】チャージアップを生じさせず、かつ、アライメントマークの欠けを生じさせないマスクブランクの製造方法及びマスクブランクを提供する。
【解決手段】電子線描画によりレジストパターンを形成する電子線描画用のマスクブランクであり、マスクブランクは、基板1上に、転写パターン形成用薄膜2と、転写パターン形成用薄膜2のエッチングに対して耐性を有する無機系材料からなるエッチングマスク膜3とがこの順に形成され、転写パターン形成用薄膜2は、電子線描画しパターニングする際にチャージアップしない程度に導電性を有する材料とし、基板の主表面から、基板の側面又は面取り面までに亘って形成され、エッチングマスク膜3は、基板の少なくとも側面に存在せず、転写パターン形成用薄膜2が露出するように形成されている。 (もっと読む)


【課題】被加工体に微細なピッチ幅のライン・アンド・スペース・パターンを形成する場合であっても、追加投資を殆ど必要とせずにパターニングを行う。
【解決手段】被加工体をエッチングする際のエッチング条件に基づくサイドエッチング幅αを決定し、サイドエッチング幅αと、膜パターンのライン幅W、スペース幅Wとに基づき、転写用パターンのライン幅M、スペース幅Mを決定し、更に、決定したライン幅M、スペース幅Mの転写用パターンをもつフォトマスクを用いた露光と、エッチングとによって、被加工体に、ライン幅W、スペース幅Wのライン・アンド・スペースの膜パターンが形成されるように、露光時に適用する露光条件と、半透光膜の光透過率とを決定する。 (もっと読む)


【課題】グラビア印刷方式により流動性が低い材料を多量に塗工する際に用いる深度の深い版において、塗工材料の流動性を確保しつつ、かつドクターブレードとの接触に耐える土手を保持した版面形状を提供する。
【解決手段】グラビア印刷版の作製に用いるグラビアスクリーンのパターンであって、
複数の正方形状の露光部分が所定の間隔をおいて縦横に規則正しく配置され、
かつ、前記の各正方形状の露光部分と、その一方の対角線の方向に隣り合った正方形状の露光部分とは、互いに対向する角の頂点にて連結する線状の露光部分を有することを特徴とする、グラビアスクリーンのパターン。 (もっと読む)


【課題】横電界駆動方式の反射モードを含む液晶表示装置において、コントラスト比を向上できる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置10は、反射領域21を含む。TFT基板14上には、反射領域21に対応して、断面形状が凹凸を有するように形成された反射板16が形成される。反射板16上の絶縁層41上には、液晶層13を駆動するための画素電極35及び共通電極37が形成される。反射板16の画素電極35及び共通電極37の下に対応する領域における凹凸の傾斜角は、画素電極35と共通電極37との間に対応する領域における凹凸の傾斜角よりも小さく設定される。これにより、液晶が動かない電極上を反射し通過する光が、観察者側に出射せず、コントラスト比を向上できる。 (もっと読む)


【目的】オーバーレイエラーを低減させる描画方法および描画装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画方法は、隣り合うマスク基板10,20の対応する各位置が同一のストライプ30内に入るように、マスク基板10,20の領域を含む領域を短冊状の複数のストライプ30に仮想分割する工程と、ストライプ30毎に、マスク基板10に対し第1のパターンを、マスク基板20に対し第1のパターンを相補する第2のパターンを描画する工程と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、オーバーレイエラーを低減させることができる。 (もっと読む)


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