【課題】効率的な試料表面検査システムを提供する。
【解決手段】試料の表面を平坦化する表面平坦化機構と、試料上に抵抗膜を形成する抵抗膜コーティング機構と、試料表面の評価を行う表面検査機構を備えている。表面検査機構は、紫外線発生源３０と、電磁波を試料表面に斜め方向から導く光学系と、試料表面から放出された電子を試料表面に直交する方向に導く写像光学系４０と、検出器５０と、画像形成／信号処理回路６０とを備えている。写像光学系は、３つのレンズ系４１〜４３と、アパーチャ４４とを備えている。紫外線源の代わりにＸ線源を用いてもよい。また、電子線源から生成された電子線を試料の表面上に導く装置を設け、電磁波照射装置及び電子線照射装置の一方又は両方を駆動して、電磁波又は電子線の一方又は両方を試料の表面に照射するようにしてもよい。 （もっと読む）

【目的】高精度パターンの寸法精度を向上させながらより高速な描画を可能とし得る方法を提供することを目的とする。
【構成】描画データの作成方法は、電子ビームを用いて描画される描画精度の異なる複数のパターンが定義された描画データを記憶する記憶装置から各パターンのデータを読み出し、描画精度が低精度側のパターンのうち、描画精度が高精度側のパターンの領域端から近接効果の影響範囲内に位置する部分パターンを切り出す工程（Ｓ１０６）と、切り出された低精度側の部分パターンと当該高精度側のパターンとをマージ処理する工程（Ｓ１１０）と、マージ処理されたパターンのデータと切り出されずに残った低精度側の残部分パターンのデータとを出力する工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィ工程で生じる光近接効果に起因するゲート長のばらつきとゲートの寄生容量のばらつきを抑制し、標準セルの実際の特性を反映させたライブラリを設計可能とし、これにより設計マージンを小さくして高性能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】標準セルＳｃ１を配列して半導体集積回路を設計する方法において、標準セルＳｃ１を構成するゲートパターン５の端部に、該ゲートパターン５と垂直な方向にダミーパターン３を配置し、該ダミーパターン３の配置により、ゲートパターン５の端部での該ゲートパターンの占有密度の低下を補う。 （もっと読む）

【課題】補正パターンを有するフォトマスクの欠陥検査において、補正パターンに由来する欠陥を除外すること。
【解決手段】本発明に係る検査装置１０は、結像面に転写される主パターンと、主パターンに対して光学近接効果補正を行う補正パターンとを有するフォトマスクを検査する。検査装置１０は、照明光源１１１と、照明光源１１１からの光を集光して前記フォトマスクに照射する光学系と、フォトマスク２０の透過像を取得する検出器１４２と、検出器１４２により得られた透過像と補正パターンのみに対応する検索画像とを用いて補正パターンに対応する除外領域を決定し、当該除外領域を欠陥検出から除外するためのフィルタを生成する処理部３０と、フィルタを用い、除外領域を除外して欠陥検査を行う欠陥判定部とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置及びその製造方法において、ゲート電極部の幅及びゲート電極部からの突き出し長のばらつきを低減する。
【解決手段】半導体装置は、ゲート電極部及び突き出し部を有する実パターン４３１と、実パターン４３１に並んで配置されるダミーパターン４３３とを含む複数のラインパターンを備える。２つのダミーパターン４３３と、これらに挟まれ且つ実パターン４３２を含むラインパターンとにより、同一間隔を空けて並走するラインパターン並走部が構成される。ラインパターン並走部の各ラインパターンは、同一の幅を有すると共に、互いに実質的に面一なライン終端部４１４を有する。各ライン終端部４１４の延長線上に、同一の終端部間距離４０３を空けて、ライン終端部均一化ダミーパターン４２０が形成される。ライン終端部均一化ダミーパターン４２０は、ラインパターンと同一幅で且つ同一間隔に形成された複数のライン状のパターンを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体素子に形成されるパターンの均一度をより容易に調節することのできる方法を提供する。
【解決手段】ターゲットパターン等に対する原本レイアウトを設計するステップ３１０と、設計された前記原本レイアウトで最外郭パターンのサイズを調節しながら、それぞれのサイズに対するシミュレーションコントゥアを得るステップ３２０と、それぞれの前記シミュレーションコントゥアに含まれたパターン等に対する均一性分布値等を獲得するステップ３３０と、獲得された前記均一性分布値等のうち何れかに対応される最外郭パターンサイズをターゲット最外郭パターンサイズに決定するステップ３４０と、前記ターゲットパターンで、前記最外郭パターンの内側にある内側パターン等に対する光近接補正（ＯＰＣ）を行うステップ３５０を含む半導体素子のパターン均一度の調節方法。 （もっと読む）

【課題】レジスト吐出時に、微小気泡を抑制させる塗布装置を提供する。
【解決手段】レジスト供給源３０から供給されたレジスト液をベローズポンプ１４で加圧することによりレジスト液中に含まれる微小気泡をレジスト液に溶解し、さらに、第１の圧力制御ポンプ２４により予め決められた圧力に加圧制御されるコータチャンバー２０内にコータ１８を収容し、この加圧雰囲気下で微小気泡を溶解させた状態を保ったままのレジスト液をコータ１８によりウェハＷに塗布する構成にした。 （もっと読む）

【課題】 ブランクマスク、フォトマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 透明基板、金属膜、ハードマスク膜及びレジスト膜が順次に積層されてなるブランクマスク。ここで、金属膜及びハードマスク膜のうち少なくとも一つは、膜を構成する元素のうち少なくとも一つの元素の組成比が膜の深さ方向に連続的に変わる区間である成分変化区間を持つ。これにより、既存の深さ方向に元素の組成比が均一な薄膜と比較する時、光学密度の均一性、反射率の均一性、表面粗度、耐化学性、耐露光性などを向上させ、成長性欠陥と残留応力の問題を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】多階調フォトマスクにおいて、中間膜の薬液耐性を向上させる。
【解決手段】遮光部１１０は、半透光膜１０１、中間膜１０２、及び遮光膜１０３が透明基板１００上にこの順に積層されてなり、半透光部１１５は、半透光膜１０１が透明基板１００上に形成されてなり、透光部１２０は、透明基板１００が露出してなり、遮光部１１０を構成する中間膜１０２の側部には、中間膜１０２が酸化されてなる変質部１２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ヘイズのような微小な段差の異物を簡素な構成の装置により正確に検出する。
【解決手段】レチクル検査装置１００は、レチクル３に照射される照射光１０を発光する光源（例えばレーザ１）を有する。レチクル検査装置１００は、レチクル３の表面３ａにおける照射光１０の照射位置Ｐを調整し、該照射光１０をレチクル３上で走査させる照射位置調整部と、レチクル３の表面３ａからの正反射光１１を受光する受光部（例えばフォトマル８）とを有する。レチクル検査装置１００は、受光部により受光される正反射光１１の光量の変動に基づいてレチクル３の表面３ａの異物（例えばヘイズ）の有無を判定する判定部（制御部９）を有する。 （もっと読む）