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国際特許分類[G03F1/08]の内容

国際特許分類[G03F1/08]に分類される特許

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【課題】 ブランクマスク、フォトマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 透明基板、金属膜、ハードマスク膜及びレジスト膜が順次に積層されてなるブランクマスク。ここで、金属膜及びハードマスク膜のうち少なくとも一つは、膜を構成する元素のうち少なくとも一つの元素の組成比が膜の深さ方向に連続的に変わる区間である成分変化区間を持つ。これにより、既存の深さ方向に元素の組成比が均一な薄膜と比較する時、光学密度の均一性、反射率の均一性、表面粗度、耐化学性、耐露光性などを向上させ、成長性欠陥と残留応力の問題を低減させることができる。 (もっと読む)


【課題】多階調フォトマスクにおいて、中間膜の薬液耐性を向上させる。
【解決手段】遮光部110は、半透光膜101、中間膜102、及び遮光膜103が透明基板100上にこの順に積層されてなり、半透光部115は、半透光膜101が透明基板100上に形成されてなり、透光部120は、透明基板100が露出してなり、遮光部110を構成する中間膜102の側部には、中間膜102が酸化されてなる変質部12が形成されている。 (もっと読む)


【課題】ヘイズのような微小な段差の異物を簡素な構成の装置により正確に検出する。
【解決手段】レチクル検査装置100は、レチクル3に照射される照射光10を発光する光源(例えばレーザ1)を有する。レチクル検査装置100は、レチクル3の表面3aにおける照射光10の照射位置Pを調整し、該照射光10をレチクル3上で走査させる照射位置調整部と、レチクル3の表面3aからの正反射光11を受光する受光部(例えばフォトマル8)とを有する。レチクル検査装置100は、受光部により受光される正反射光11の光量の変動に基づいてレチクル3の表面3aの異物(例えばヘイズ)の有無を判定する判定部(制御部9)を有する。 (もっと読む)


【課題】ハーフトーンマスクにおいて製造工程の負荷を減らしてコストダウンが図れ、かつパターンにダメージがない高品質なハーフトーンマスクおよびその製造方法、さらにこれに用いるハーフトーンマスクブランクスを提供すること。
【解決手段】透明基板上に、半透過膜、バリア膜、および一層または二層以上からなる遮光膜をこの順に積層して形成されたハーフトーンマスクブランクスであって、
前記バリア膜がITO(酸化インジウムすず)を含む材料を用いることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、レーザを用いてハーフトーンマスクの欠陥を除去し、欠陥部領域に遮断膜を効率良く形成でき、遮断膜の膜厚を調節し、ペリクル膜が形成された後も欠陥の除去が可能な機能とともに、リアルタイムで透過率を調節してリペア工程を行うことができるようにし、リペア部位の透過率の均一性を保障できるリペア方法及びそのシステムに関する。
【解決手段】本発明のハーフトーンマスクリペア方法は、原料物質にレーザを照射して半透過層の欠陥部位に蒸着することにより、ハーフトーンマスクの半透過領域の欠陥部位をリペアする。 (もっと読む)


【目的】過剰な照射量を短縮し、描画時間を短縮して装置のスループットを向上させることが可能な装置および方法を提供することを目的とする。
【構成】描画装置100は、試料の描画領域が仮想分割されたメッシュ状の複数の小領域の小領域毎に、複数の照射量計算式の中から1つを選択する選択部56と、小領域毎に、選択された照射量計算式を用いて、当該小領域内にショットする荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量演算部70と、小領域毎に、演算された照射量で当該小領域内に所望のパターンを描画する描画部150と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】優れた耐薬品性およびArF照射耐性を有するマスクブランク、転写マスク等を
提供する。
【解決手段】転写用マスクを作製するために用
いられるものであり、透光性基板上1に遮光膜30を備えるマスクブランクであって、
前記遮光膜30は、タンタルを主な金属成分として含有する材料からなり、
前記遮光膜30の透光性基板側とは反対側の表層に層中の酸素含有量が60at%以上
である高酸化層4が形成されていることを特徴としたマスクブランク。 (もっと読む)


【課題】マスク製造段階での基板ダメージの発生が少なく、透光部の露光光透過率が高く、かつ露光光透過率分布の面内均一性の高い多階調マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透光性基板上に、遮光部、透光部及び露光光の一部を透過する半透光部からなる転写パターンを有する多階調マスクの製造方法であって、透光性基板上に金属およびケイ素を含有する材料、またはタンタル等から選ばれる1以上の金属を含有する材料からなる半透光膜と、クロムを含有する材料からなる遮光膜とをこの順に積層したマスクブランクを用意する工程と、遮光膜に透光部のパターンを形成する工程と、遮光膜に形成された透光部のパターンをマスクとして半透光膜を、塩素、臭素、ヨウ素、及びキセノンのうちのいずれかの元素とフッ素との化合物を含む非励起状態の物質によってエッチングする工程と、遮光膜に遮光部のパターンを形成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】半導体層を積層する基板上に凸部をより一様に配置しうるステッパー用レチクル、そのレチクルを用いた、パターン加工基板の製造方法、半導体積層基板の製造方法および半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】レチクル400は、露光光を遮光する周辺遮光領域410と周辺遮光領域410の中央部に設けられた矩形のパターン形成領域420とを有している。ステップ・アンド・リピート方向であるX方向において、レチクル400のパターン形成領域420の図中左端部に形成された遮光パターン#11、#31、…と、図中右端部に形成された矩形の遮光パターン#1B、#3B、…とをペアとし、パターン形成領域420の図中右端部に形成された遮光パターン#2N、#4N、…と、図中左端部に形成された矩形の遮光パターン#2B、#4B、…とをペアとして構成されている。 (もっと読む)


【目的】現像ローディング効果とエッチングローディング効果による寸法変動の両方を近接効果も補正しながら補正する。
【構成】描画装置100は、それぞれ異なる近接効果密度の複数のパターン寸法マップデータを入力し、記憶する記憶装置142と、マップ位置毎に、照射量関数により得られる照射量で当該マップ位置を描画した際に、一部の近接効果密度ではパターン寸法の寸法誤差が補正され、残りの近接効果密度ではパターン寸法の寸法誤差に補正残りが生じる近接効果補正係数と基準照射量の組を選択する選択部10と、マップ位置毎に、近接効果密度に依存した補正残りを補正する補正項を演算する補正項演算部16と、マップ位置毎に、選択された組と補正項とを用いて照射量を演算する照射量演算部18と、得られた照射量の電子ビームを用いて、基板上に所望のパターンを描画する描画部150と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


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