【課題】急峻な立ち上がりの形状を持つレジストパターンを被転写体上に形成する。
【解決手段】遮光部と透光部との境界、または遮光部と半透光部の境界には、半透光膜上の位相シフト調整膜が部分的に露出してなる位相シフタ部が形成され、遮光部と透光部の境界に位相シフタ部が形成されるとき、ｉ線〜ｇ線の範囲内の代表波長を有する露光光が、位相シフタ部を透過する時の位相シフト量と、露光光が、透光部を透過するときの位相シフト量と、の差が９０度以上２７０度以内となり、遮光部と半透光部の境界に位相シフタ部が形成されるとき、ｉ線〜ｇ線の範囲内の代表波長を有する露光光が、位相シフタ部を透過する時の位相シフト量と、露光光が、半透光部を透過するときの位相シフト量と、の差が９０度以上２７０度以内となる。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク製造におけるドライエッチング時のマイクロローディング現象による微細パターンにおけるパターン寸法の落ち込み（寸法リニアリティの低下）や、グローバルローディング現象による開口率の異なる領域間でのパターン寸法差が生じていた。また、ドライエッチング選択比の限界から、エッチングマスクとなるレジストやクロム（Ｃｒ）の今以上の薄膜化が不可能であった。
【解決手段】モリブデンシリコン（ＭｏＳｉ）等のシリコンを含む材料を位相シフト層や遮光層に使用するフォトマスクブランクにおいて、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等の第１５族元素を不純物として、イオン注入法や拡散法によって微量ドープさせる。このことで、フォトマスク製造時のドライエッチングレートを高めることが可能となり、上記課題が解決でき、高品質のフォトマスク製造が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 半透光部と透光部との境界部分におけるレジストパターン形状をより正確に制御する。
【解決手段】 遮光部は、半透光膜、位相シフト調整膜、及び遮光膜が透明基板上に積層されてなり、半透光部は、半透光膜、及び位相シフト調整膜が透明基板上に積層されてなり、透光部は、透明基板が露出してなり、ｉ線〜ｇ線の範囲内の代表波長の光が半透光部を透過するときの位相シフト量が前記透光部に対して６０度以下となるように、半透光膜と位相シフト調整膜との材質及び厚さが設定されている。 （もっと読む）

【課題】エッチング回数を３回として５階調を得ることができる５階調フォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板上にエッチング選択性のある第１半透光膜と遮光膜とをこの順に有するフォトマスクブランクを準備する工程と、遮光膜上に第１レジストパターンを形成する工程と、第１レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングして第１のパターニングを行う工程と、第１レジストパターンを除去し、第２レジストパターンを形成する工程と、第２レジストパターンをマスクとして第１半透光膜をエッチングして第２のパターニングを行う工程と、第２レジストパターンを除去し、基板全面に第１半透光膜とエッチング選択性のある第２半透光膜を形成する工程と、第２半透光膜上に第３レジストパターンを形成する工程と、第３レジストパターンをマスクとして第２半透光膜をエッチングして第３のパターニングを行う工程とを有することにより、エッチング回数を３回として５階調を得る。 （もっと読む）

【課題】エッチングにおけるパターンの微細化を比較的容易に図る。
【解決手段】基板上にハードマスク層を有するマスクブランクスにおいて、前記ハードマスク層は、前記基板上に設けられ、導電性を有し且つウェットエッチング自在な層Ａと、前記層Ａの上に設けられ、実質的には酸素を含まないドライエッチングの対象となる層であり且つ前記層Ａに対してエッチングを行う際に前記層Ａのマスクとなる層Ｂと、を有する。 （もっと読む）

【課題】エッチングを利用してパターン形成を行う場合に、形成すべき微細パターンの狭ピッチ化が進展しても、当該パターン形成を高精度に行えるようにする。
【解決手段】基板２上にハードマスク層３を有するマスクブランクス１において、前記ハードマスク層１は、前記基板２の側から第一層５と第二層６とが配される積層構造を有する。前記第一層５は、前記基板２に対してエッチングを行う際にマスクとなる層である。前記第二層６は、前記第一層５に対してエッチングを行う際にマスクとなるとともに、前記ハードマスク層３上に形成されるレジストパターン４をマスクにしてエッチングが行われる層である。そして、前記第一層５に対するエッチングの間は前記第二層６が当該第一層５のマスクとして機能するエッチング選択比を有した材料によって、当該第二層６を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板面から非平行な方向へ出射された光の発散を防止することができる光導波路を形成する。
【解決手段】まず、ＳＯＩ基板を用意する。次に、ＳＯＩ基板のＳｉ層上に、レジスト層を形成する。次に、レジスト層から、一定方向に沿って順次に厚みが増加していく形状のレジストパターンを、Ｓｉ層のコア形成予定領域を被覆するように形成する。次に、レジストパターンをマスクとして用いてＳｉ層をエッチングすることによって、コア形成予定領域に残存したＳｉ層の残部から、一定方向に沿って順次に厚みが増加していく形状のコア３７を形成する。次に、レジストパターンを除去した後、ＳｉＯ_２層１５の上側全面に、コアを被覆する上部ＳｉＯ_２層３７を形成することによって、ＳｉＯ_２層及び上部ＳｉＯ_２層からクラッド４１を形成する。 （もっと読む）

【課題】毛管状隙間を有するノズルによりレジスト塗布面を迅速に均一に乾燥させることが可能なレジスト塗布方法および塗布装置、並びに該レジスト塗布方法を用いたフォトマスクブランクおよびフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】被塗布面１０ａを下方に向けた基板１０にレジスト液を塗布する方法であって、液槽に溜められたレジスト液を、ノズル２４の毛細管現象によって被塗布面１０ａに導いて接液させ、ノズル２４と基板１０とを水平方向に相対移動させることにより、被塗布面１０ａにレジスト液１１０を塗布し、被塗布面１０ａに対し、一定方向にほぼ一定の相対流速で被塗布面１０ａと平行な気流を供給し、気流を被塗布面１０ａに接触させることにより、レジスト液１１０の乾燥を行うレジスト塗布方法および塗布装置、並びに該レジスト塗布方法を用いたフォトマスクブランクおよびフォトマスクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】遷移金属及びケイ素を含む光半透過膜や遮光膜における波長２００ｎｍ以下の露光光に対する耐光性を向上させた転写用マスクを提供する。
【解決手段】透光性基板上に設けられたパターン形成用薄膜に転写パターンが形成されてなる転写用マスクにおいて、
前記転写用マスクは、透光性基板上に、クロムを除く遷移金属およびケイ素を含有する材料からなるパターン形成用薄膜と、クロムを含有する材料からなるクロム系薄膜が順に積層したマスクブランクを用いて作製され、
前記パターン形成用薄膜は、膜中のクロム含有量が、１．０×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に転写されるダミーパターンを用いることなく、レジスト寸法特性を略一定とすることが可能なフォトマスク、及びそのフォトマスクを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】所定幅の複数のライン状の第１パターンを、所定幅のライン状の第１パターンを、該第１パターンの幅方向に予め定められた第１の間隔で平行に複数形成したラインアンドスペースパターンと、前記ラインアンドスペースパターンが形成された領域とは異なる領域に、前記幅方向で、かつ前記第１パターンと平行に所定幅のライン状の第２パターンを予め定められた第２の間隔で複数形成し、さらに前記第２パターンの幅が、半導体基板に露光する際の露光解像限界以下となるように形成したアシストパターンと、を備えたフォトマスク。 （もっと読む）