【課題】観察可能な合わせずれ検査マークをデバイスパターンのデザインルールに従った微細なパターンから構成する。
【解決手段】デバイスパターンのデザインルールに従った第１の長さの幅Ｗ１を有する第１のパターンＰ１１を第１の間隔Ｄ１で第１の方向Ｘへ複数配置して構成される第１のパターングループＰＧ１１を第１のピッチＰＴ１で前記第１の方向Ｘへ複数配置して構成された第２のパターングループＰＧ２４を備え、前記第１のピッチＰＴは、合わせずれ検査装置の分解能に適合した距離であることを特徴とする合わせずれ検査マークが提供される。 （もっと読む）

【課題】製造容易性を改善するために、既存の超小型装置設計を変更する技術を提供する。
【解決手段】これらの技術により、設計者は、設計に於けるデータに関連した製造基準を受領する。次に、関連した設計データが識別されて、超小型装置設計者へ供給され、該設計者は、製造基準に基づいて設計変更を選択することが出来る。このようにして、設計者は、超小型装置の元の設計に於いて、半導体ファンドリからの製造基準を直接的に包含させることが出来る。 （もっと読む）

【課題】体格差による立体画像の視認性の違いを解消できる視差バリア、画像表示装置、視差バリアの製造方法及びフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】ステップバリア４は、左目用画像及び右目用画像を表示する表示手段と組み合わせて用いられ、当該表示手段に表示された左目用画像及び右目用画像を分離する。ステップバリア４には、光を通過させる開口部４３、及び光を遮断する遮光部４２が行方向、及び列方向に交互に設けられている。開口部４３は、行方向に沿った仮想線Ａ上のピッチが、列方向における開口部４３の上端部４３３から下端部４３４に向かって小さくなるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクの設計・製造コストを低減する。
【解決手段】フォトマスク製造設計装置が表示手段と処理指令入力手段と、前記処理指令入力手段が制御する、改善マスクパターン作成手段と、ウェハ転写シミュレーション手段と、ウェハ転写形状差異判定手段と、ＥＢ描画図形数判定手段を有し、前記ウェハ転写形状差異判定手段が、ウェハ転写シミュレーションの結果のパターンとターゲットパターンとの差異をあらわす、ターゲットパターンの幅の最小寸法データ（ＣＤ）と、ターゲットとするパターン間のスペースの最小寸法データ（Ｓｐａｃｅ）と、ＣＤの光強度の傾きデータ（ＣＤ＿ＮＩＬＳ）と、Ｓｐａｃｅの光強度の傾きデータ（Ｓｐａｃｅ＿ＮＩＬＳ）と、焦点深度データ（ＤＯＦ）と、マスク誤差拡大率データ（ＭＥＥＦ）とから成るパターン形状差異データを作成し前記表示手段に表示することによりフォトマスクを製造する。 （もっと読む）

【課題】露光機内のマスクステージにマスクを装着した状態でフォトマスク上の異物の有無を検査することができるフォトマスク及び露光装置を提供する。
【解決手段】フォトマスク１のマスク基板１０の表面に、マスク基板１０の表面上を伝搬する弾性表面波を発生させる弾性表面波素子２０Ａと、弾性表面波を受信する弾性表面波素子２０Ｂとを設け、当該弾性表面波によって半導体回路パターン４１の異物の有無を検出する。このとき、フォトマスク１を露光機１００のマスクステージ１０３に載置した状態で異物検査を行う。また、弾性表面波素子２０Ａ，２０Ｂをマスク基板１０上に複数組設ければ、半導体回路パターン４１の異物の位置を特定できる。 （もっと読む）

【課題】チップの有効数を増加させること。
【解決手段】設計支援装置は、複数のチップのパターンを１つのレチクルのショット領域４２に形成する場合において、ショット領域４２に基づいてウェハマップ２３を作成する。そして、ウェハマップ２３のショット領域４２から、ウェハ有効領域５２より外側の無効領域４３を抽出し、ショット領域４２に対する無効領域４３の分布に従ってチップを配置してレチクルレイアウト及びウェハマップ２３を作成する （もっと読む）

【課題】マイクロリトグラフィー用マスクなどの対象物の検査装置。
【解決手段】対象物から放出される照明光をより長波長の光線へ変換するためのコンバータ、および画像記録のためのセンサが装備されていて、そのセンサが真空チェンバの外側にあって、真空チェンバからコンバータのセンサに到るまでの光学インタフェースとして配置されている、または結像対物レンズＯの少なくとも一部が窓として真空チェンバ内に配置されている、真空チェンバ内に存在する、特にマイクロリトグラフィー用マスクなど対象物ＯＦの検査装置。 （もっと読む）

【課題】検査対象に形成されたパターンの寸法や位置の変動を正確に求めることが可能な検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】パターンが形成された試料に光を照明し、試料の像を画像センサに結像して光学画像を取得し、光学画像を基準画像と比較してこれらの画像におけるパターンの寸法差が所定の範囲を超えたときに欠陥と判定する検査方法において、光の強度および画像センサの感度の内で少なくとも一方の時間的変動を取得し、この時間的変動とパターンの寸法差の時間的変動との関係を求めてパターンの寸法差を補正する。画像センサを試料に対し相対的に移動させることにより、試料全体の光学画像を取得しながら、所定時間毎に試料内に設けた別のパターンに画像センサを移動させて、画像センサの感度の時間的変動を求めることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ポテンシャルディップの発生を抑制することが可能な不純物層を有する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】複数のドットパターン３により構成された第１の領域２−１と、この領域２−１のパターンよりも大きい面積の複数のドットパターン４により構成され、第１の領域２−１に隣接する第２の領域２−２と、を具備し、これらの領域２−１、２−２の境界部分で光の透過率が不連続的に変化するグレーティングマスク１であって、第１の領域２−１のドットパターン３と第２の領域２−２のドットパターン４との間に、これらのドットパターンの中間の面積を有するドットパターン６を設けたグレーティングマスク１を用いて、半導体基板８上に塗布されたレジスト材料９を露光する工程と、露光されたレジスト材料９を現像することによりレジスト膜１０を形成する工程と、このレジスト膜をマスクとして用いて半導体基板８にイオンを注入することにより、不純物層１１を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板上に所望寸法のパターンを正確に転写できるマスクデータを短時間で作成するマスクデータ作成方法を提供すること。
【解決手段】露光装置およびフォトマスクを用いてウエハ上にフォトマスクのマスクパターンを転写してウエハ上にウエハ上パターンを形成させた場合に露光装置の光学系に起因して露光のショット内で生じるフレアのショット内分布を導出し、フレアのショット内分布に基づいて、ショット内の領域をフレアの大きさに応じた複数領域に分割し、分割された領域毎にマスクパターンをフレアの大きさに応じた寸法に補正したマスクデータを作成する。 （もっと読む）