【課題】ＬＷＲ等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性及び露光ラチチュードに優れ、かつ良好なドライエッチング耐性を有するパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】（ア）下記一般式（ｂ１）で表される非酸分解性の繰り返し単位（ｂ１）、および、酸によって分解し極性基を生じる基を有する繰り返し単位を含む樹脂（Ｐ）、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、（イ）該膜を波長が２００ｎｍ以下の活性光線又は放射線により露光する工程、及び（ウ）ヘテロ原子及び炭素原子を含み、且つ、炭素原子数が７以上の有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程、を含むパターン形成方法。（式中、Ａは酸素原子を含まない、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基を表し、Ｘ_０は水素原子又はアルキル基を表す。）
【化１】
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【課題】良好な形状を有するレジストパターンレジストパターンを得ることができる化合物、樹脂、レジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこれを含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ、脂肪族炭化水素基を表すか、Ｒ^１及びＲ^２が互いに結合し環を形成する；Ｒ^３は、ハロゲン原子を有してもよいアルキル基等；ｍ及びｎは、それぞれ０又は１；Ｘ^１は、単結合、−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｌ−＊（ｌは１〜６の整数、＊はＯとの結合手を表す。）等を表す］ （もっと読む）

【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用な新規な化合物、該化合物からなる酸発生剤、該酸発生剤を含有するレジスト組成物および該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分、および露光により酸を発生する酸発生剤成分を含有するレジスト組成物であって、酸発生剤成分が、一般式（ｂ１−１１）で表される化合物からなる酸発生剤を含むことを特徴とするレジスト組成物。式（ｂ１−１１）中、Ｒ^７”〜Ｒ^９”のうち少なくとも１つは、置換基として式（Ｉ）で表される基を有する置換アリール基であり、式（Ｉ）中のＷは２価の連結基である。Ｘ⁻は、式（ｂ−３）または（ｂ−４）で表されるアニオンである。
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【課題】高感度かつ露光後焼成が不要で、アルカリ水溶液で現像することにより得られるパターニングされた透明膜の形成に有用なポジ型感光性組成物を提供する。
【解決手段】アルコキシシリルを有するラジカル重合性モノマー（ａ１）と、酸性基を有するラジカル重合性モノマー（ａ２）と、（ａ１）と（ａ２）以外のラジカル重合性モノマー（ａ３）とをラジカル共重合してなるポリマー（Ａ）、光酸発生剤（Ｂ）、及び有機溶剤（Ｃ）を含有するポジ型感光性組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】極端紫外光リソグラフィーにおいて、ラフネスの低減を実現できる材料を提供する。
【解決手段】下記式（Ａ）で表される環状化合物。（式中、Ｒはカルボン酸誘導体基置換フェニル等、Ｒ^１は水酸基、アルコキシ基、又はＯＲ^Ｌ（Ｒ^Ｌは光反応性基を含む基）等、Ｒ^２は水素原子等を表す。）
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【課題】優れたＣＤ均一性を有するレジストパターンを製造可能なレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（ａａ）で表される構造単位を有する樹脂及び酸発生剤を含み、酸発生剤が、式（Ｂ１）で表される塩を含む酸発生剤であるレジスト組成物。式（ａａ）中、Ｔ^１は、環骨格中に−Ｏ−ＳＯ_２−を有する炭素数４〜３４の環式基を表す。Ｒ^１は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。Ｒ^２は、炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ^３は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
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【課題】銅回路の酸化による変色に起因する外観不良の隠蔽性に優れたソルダーレジスト層を形成可能な着色光硬化性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）カルボン酸含有樹脂、（Ｂ）光重合開始剤、（Ｃ）分子中に２個以上のエチレン性不飽和基を有する化合物、および（Ｄ）赤色着色剤（アントラキノン系を除く）を含有する希アルカリ溶液により現像可能な光硬化性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ用またはＥＢ用として有用なレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）を含有するＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、下記一般式（ａ０−１）又は（ａ０−２）で表される基を含む構成単位（ａ０）を有する高分子化合物（Ａ１）を含有し、前記基材成分（Ａ）に加えて、光反応型クエンチャー（Ｃ）を含有することを特徴とするＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物。式中の基−Ｒ^３−Ｓ^＋（Ｒ^４）（Ｒ^５）は、全体で芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。Ｍ^ｍ＋は、芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。
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【課題】半導体素子のバンプ形成などに用いられる厚膜レジストパターンなどの製造に有用であり、当該レジストパターンが裾引きの発生が極めて抑制されたものである化学増幅型フォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】樹脂（Ａ）、酸発生剤（Ｂ）及び
式（Ｘ）


（式（Ｘ）中、
Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基などを表す。
２つのＲ^'は、水素原子、アルキル基、アリール基などを表すが、２つのＲ^'が互いに結合し、これらが結合する炭素原子とともに環を形成する。）
で表される化合物（Ｘ）を含有する化学増幅型フォトレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、蛍光を有する色素（Ａ）、特に染料を用いることの欠点であった蛍光発光を抑制し、コントラスト比の低下を改善することで、従来よりも、高明度、高コントラスト比を有するカラーフィルタの作製を可能とするカラーフィルタ用着色組成物を提供することである。
【解決手段】
蛍光を有する色素（Ａ）、一般式（１）で表される有機化合物（Ｂ）、及びバインダー樹脂（Ｃ）を含むことを特徴とするカラーフィルタ用着色組成物。
一般式（１）
Ｐ−Ｌｍ
〔一般式（１）中、
Ｐ：有機顔料骨格またはアミノベンゼン骨格
Ｌ：Ｌは塩基性官能基Ｌｂ、酸性官能基Ｌａまたはフタルイミド骨格を有する官能基Ｌｐから成る。
ｍ：１〜４の整数であり、官能基数を表す。〕によって解決される。
また、基板上に、前記カラーフィルタ用着色組成物から形成されてなるフィルタセグメントを具備することを特徴とするカラーフィルタによって解決される。 （もっと読む）