【課題】ネガ型パターンを高解像性で、かつ、良好な形状で形成できるレジストパターン形成方法と、これに用いるのに好適なレジスト組成物の提供。
【解決手段】基材成分（Ａ）及び光塩基発生剤成分を含有するレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、レジスト膜を露光する工程、露光後にベークを行う工程、レジスト膜をアルカリ現像し、未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法、及びこれに用いるレジスト組成物であって、（Ａ）成分は酸分解性基を含む構成単位、−ＳＯ_２−又はラクトン含有環式基を含む構成単位、式（ａ３−１）で表される構成単位（但し１０モル％以下）を有する高分子化合物を含む。
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【課題】酸増幅型非高分子系レジスト材料として有用な、特定の化学構造式で示される環状化合物、これを含む感放射線性組成物及び該感放射線性組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】分子量５００〜５０００の、式（１）で示される化合物である。


（式中、Ｒ⁰は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、シクロヘキシルフェニル基、アルキルフェニル基等を表す。） （もっと読む）

【課題】環境影響が低減されたネガ型パターンを形成できるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分と、酸性化合物成分とを含有するレジスト組成物を、支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、レジスト膜上に保護膜形成用組成物を塗布して保護膜を形成する工程（２）と、レジスト膜及び保護膜を露光する工程（３）と、工程（３）の後にベークを行い、露光部において、露光により光塩基発生剤成分から発生した塩基と、酸性化合物成分とを中和させ、未露光部において、酸性化合物成分の作用により、基材成分のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程（４）と、レジスト膜をアルカリ現像し、未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（５）とを含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基によりカルボキシル基が保護された構造を有する繰り返し単位（ａ１）とアミノ基、アミド結合、カルバメート結合、含窒素複素環から選ばれる構造を１つ以上含む繰り返し単位（ａ２）とを含有する高分子化合物［Ａ］と、光酸発生剤［Ｂ］と、有機溶剤［Ｃ］とを共に含むレジスト組成物を基板に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させるネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明の特定の構造の高分子化合物と光酸発生剤と有機溶剤を含むレジスト組成物を有機溶剤ネガ現像と組み合わせることで表面難溶層の形成を防ぎ、微細トレンチパターンやホールパターンの広い焦点深度を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】微細なネガ型パターンを形成できるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と光塩基発生剤成分とを含有するレジスト組成物を支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、レジスト膜を露光する工程（２）と、工程（２）の後にベークを行い、露光部において露光により発生した塩基と予め供給された酸とを中和させ、未露光部において予め供給された酸の作用により基材成分の現像液に対する溶解性を増大させる工程（３）と、アルカリ現像しレジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）と、レジストパターン上に被覆形成剤を塗布して被覆膜を形成する工程（５）と、熱処理を行い被覆膜を熱収縮させてパターン間の間隔を狭める工程（６）と、被覆膜を除去する工程（７）とを含む。 （もっと読む）

【課題】分子量が１０００以下のオリゴマーや重合開始剤由来の副生物の含有量が少ない、重量平均分子量が３０００以上６０００以下であるレジスト用共重合体の製造方法の提供。
【解決手段】該製造方法は、単量体を含む溶液と、重合開始剤を含む溶液とを加熱した溶媒中に連続的に供給してラジカル重合を行う工程を含み、単量体供給量が全単量体供給量の１０モル％に達した時点から単量体溶液供給終了の時点までの間において、重合液中の重合開始剤濃度の変化幅がその間の最大濃度と最小濃度の中間値の±２５％以内であり、且つ、重合液中の未反応単量体濃度の変化幅が、その間の最大濃度と最小濃度の中間値の±３５％以内であることを特徴とする、レジスト用共重合体の製造方法。 （もっと読む）