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国際特許分類[G03F7/26]の内容

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【課題】複合印刷版を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、レリーフを形成することのできる単一前駆体とキャリアとから複合印刷版を製造する方法に関する。単一前駆体は、補強エラストマー層を有する単一感光性要素または単一レーザー彫刻可能な印刷要素とすることができる。単一前駆体は、キャリアのサイズの少なくとも70%のサイズを有する。単一前駆体は、前駆体を、位置合わせマーキングのないキャリア上に凡そ位置合わせすることによりキャリア上に配置される。単一前駆体の精密な位置合わせは、複合版上に位置合わせされた画像を形成するためにコンピュータから生成されたデジタル情報を用いて行われる。本方法は、特にレリーフ印刷用複合印刷版を製造するのに好適であり、特に波形基材のフレキソ印刷用複合印刷版を製造するのに好適である。 (もっと読む)


【課題】本発明は、リフトオフ法を用いたパターン形成方法を実施したとしても、導電性パターンのエッジ付近にバリが発生することがない、リフトオフ法を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明では、まず、導電性パターン6のエッジ部が位置するウエハ基板1の表面内に、溝2を形成する。次に、溝2が露出する開口部3aを有するレジスト3を、ウエハ基板1上に形成する。次に、開口部3aから露出するウエハ基板1上とレジスト3上とに、導電性膜5を形成する。そして、レジスト3を除去することにより、ウエハ基板1上に導電性パターン6を形成する。 (もっと読む)


【課題】微細加工において、製造効率を向上可能であって、コストダウンを実現する。
【解決手段】不溶化処理(S31)の実施においては、レジストパターン形成工程(S11)での露光処理において照射した露光光と同じ波長の光を、レジストパターンに照射する再露光処理を実施する。そして、その再露光処理が実施されたレジストパターンについて加熱する加熱処理を実施する。これにより、レジストパターンについて不溶化処理(S31)を実施する。 (もっと読む)


【課題】 被処理物保持面の加工が安価で部品コストの低減を図ることができ、且つ被処理物保持面における均熱性に優れ、必要に応じて急速昇温及び急速冷却が可能な半導体製造装置用の保持体を提供する。
【解決手段】 抵抗発熱体7を有する板状でAlN等からなるセラミックスヒータ5の上に、被処理物9を保持するAl等からなる金属製保持部10を備えている。金属製保持部10内には、冷却媒体が中央付近から放射状に移動し、外周縁に排気されるように流路12が形成されている。この保持体10は、コータデベロッパでのフォトリソグラフィー用樹脂の加熱硬化又は半導体絶縁膜の加熱焼成に用いられる。 (もっと読む)


【課題】良好に所望のパターンを形成することが可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】上層ハードマスク層103上に下層レジスト層104を形成する工程と、下層レジスト層上に下層レジスト層と露光感度の異なる上層レジスト層105を形成する工程と、互いの透過光に180度の位相差が生じる第1及び第2の透過領域を有し、第1及び第2の透過領域が照射領域内に互いに隣接して設けられたフォトマスク10を介して下層レジスト層及び上層レジスト層に露光光を照射する工程と、露光光が照射された下層レジスト層及び上層レジスト層の現像を行うことで、上層ハードマスク層が露出した第1の領域と、下層レジスト層が露出した第2の領域と、下層レジスト層及び上層レジスト層が残った第3の領域とを有する構造を形成する工程とを備えることを特徴とするパターン形成方法。 (もっと読む)


【課題】ダブルパターニングプロセス中に基板の位置合わせをする方法を説明する。
【解決手段】少なくとも1つのアライメントマークを含む第1のレジスト層を基板上に形成する。この第1のレジスト層を現像した後、第1のレジスト層の上に第2のレジスト層を堆積し、それによって平坦な上部面を残す(すなわちトポグラフィがない)。第2のレジスト層を適切にベークすることによって、対称アライメントマークを第2のレジスト層内に、第1のレジスト層内のアライメントマークからのオフセットエラーなく、またはほとんどなく形成する。第2のレジスト内に形成されるアライメントマークの対称性は、第1および第2のレジスト層のそれぞれの厚さ、被覆プロセスパラメータ、およびベーキングプロセスパラメータを適切に調整することによって向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、下記一般式(1)で示される繰り返し単位a1を有するポリフルオレンを含有することを特徴とするレジスト下層膜材料。
【化37】
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【課題】三次元表面パターンを有するユニットを形成する方法及びこの方法の使用の提供。
【解決手段】ベース層3上に、第1処理ステップにてフォトレジストを適用。第2処理ステップにて、予め定められたマスキング露光13をフォトレジスト層9に施す。第3処理ステップにて、フォトレジスト層9の一部を現像除去し、犠牲層領域25を有する初期表面パターンを得る。第4処理ステップにて、初期表面パターンを覆うコーティング29、31を、好ましくは交代層システムとして、特にスパッタリング法で適用。第5処理ステップにて、犠牲層領域25を不安定化させるため初期表面パターンにエネルギーを適用。第6処理ステップにて、初期表面パターンに予め定められた処理温度にて高圧液体ジェット33を作用させ、それにて犠牲層領域25を覆うコーティング29の少なくとも一部を最終表面パターンを得るために機械的に除去、又は少なくともこじ開ける。 (もっと読む)


【課題】露光量が少ない場合にも、露光により発生された酸の拡散制御性に優れた樹脂組成物層を形成できるバイオチップ製造用樹脂組成物及びこれを用いたバイオチップの製造方法を提供する。
【解決手段】(A)含窒素基を有する重合体と、(B)増感剤と、(C)感放射線性酸発生剤と、(D)下記一般式(1)で表される化合物と、(E)溶媒とを含有するバイオチップ製造用樹脂組成物。
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【課題】 エッチング耐性および解像性に優れ、基板界面においても良好なパターン形状を与えるネガ型レジスト組成物、これを用いたパターン形成方法、ネガ型レジスト組成物の検査方法及び調整方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 (A)アルカリ可溶性であり、酸の作用によりアルカリ不溶性となるベース樹脂、及び/又は、アルカリ可溶性であり、酸の作用により架橋剤と反応してアルカリ不溶性になるベース樹脂と架橋剤の組み合わせ、(B)酸発生剤、(C)塩基性成分として窒素を含有する化合物を含有し、50〜100nmの膜厚X(nm)を有するレジスト膜を成膜するためのネガ型レジスト組成物であって、アルカリ現像液に対する溶解速度が、0.0333X−1.0(nm/sec)以上0.0667X−1.6(nm/sec)以下の値となるものであることを特徴とするネガ型レジスト組成物。 (もっと読む)


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