【課題】リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、アウトガスの発生を防ぎ、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、ビスナフトール基を有する化合物を含有するレジスト下層膜材料を基板上にコーティングし、該コーティングしたレジスト下層膜材料を３００℃を超え、６００℃以下の温度で、１０秒〜６００秒間の範囲で熱処理して硬化させることを特徴とするレジスト下層膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】現像後のレジストパターンのディフェクトの発生を抑制できるホトレジスト組成物が得られる技術を提供する。また、異物経時特性（保存安定性）に優れるホトレジスト組成物が得られる技術を提供する。そして、さらに好ましくは、処理前後で感度やレジストパターンサイズの変化が起こりにくいホトレジスト組成物が得られる技術を提供する。
【解決手段】樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、有機溶剤（Ｃ）とを含むホトレジスト組成物を、臨界表面張力が７０ｄｙｎｅ／ｃｍ以上の第１の膜を備えた第１のフィルタを通過させる工程を有し、且つ前記第１のフィルタを通過させる工程の前後の一方又は両方に、さらに、該ホトレジスト組成物を、ポリオレフィン樹脂またはフッ素樹脂製の第２の膜を備えた第２のフィルタを通過させる工程を有することを特徴とするホトレジスト組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】保存安定性に優れており、Ｓｉ含有量が多く且つレジスト材料の染み込み量が少ないシリコン含有膜を形成することができると共に、裾引き等のないボトム形状に優れるレジストパターンを安定して形成することができる多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成用組成物及びシリコン含有膜並びにパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本シリコン含有膜形成用組成物は、（Ａ）シラノール基を有するポリシロキサンと、（Ｂ）２つ以上のオキセタニル基を有するオキセタニル基含有化合物と、（Ｃ）有機溶媒と、を含有する。 （もっと読む）

【課題】微細粒子及びゴミ等を極力低減させ、パターンにおける欠陥数を大幅に低減することができる樹脂溶解液の精製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】樹脂溶解液に、活性炭並びに（Ａ）金属塩化物、（Ｂ）金属酸化物及び（Ｃ）イオン交換樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１種の添加物質を接触させる工程を含む樹脂溶解液の精製方法、樹脂溶解液の取得方法、及び化学増幅型フォトレジスト組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜を使用したレジストパターニング工程におけるパターニング性に優れる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウェーハ１０上に第１の反射防止膜１１を形成する工程と、第１の反射防止膜１１上に第２の反射防止膜１２を形成する工程と、第２の反射防止膜１２上にレジスト膜１３を形成する工程と、レジスト膜１３を選択的に露光する工程と、この露光後にレジスト膜１３及び反射防止膜１１、１２を現像する工程と、この現像により得られたレジスト膜１３のパターンをマスクに半導体ウェーハ１０に対する処理を行う工程とを備え、第１の反射防止膜１１の感光剤濃度は第２の反射防止膜１２の感光剤濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】耐薬品性に優れており、薬液処理に対するマスキング効果を発揮することができ、しかも剥離後の被着体への粘着剤の残渣のないマスキング用剥離性粘着テープを提供すること。
【解決手段】本発明の薬液処理方法は、送り出しロール及び巻き取りロールを用いたロール・ツー・ロール方式でフィルム型積層体に薬液処理を行う薬液処理方法であって、薬液処理面を有するフィルム型積層体の前記薬液処理面と反対側の面にサポート用テープを貼着した状態で前記薬液処理面に薬液処理を行う工程と、前記薬液処理後に前記サポート用テープを剥離する工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】保存安定性に優れており、Ｓｉ含有量が多く且つレジスト材料の染み込み量が少ないシリコン含有膜を形成することができると共に、裾引き等のないレジストパターンを安定して形成することができる多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成用組成物及びシリコン含有膜並びにパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本シリコン含有膜形成用組成物は、（Ａ）テトラアルコキシシラン由来の構造単位（ａ１）、及びヘキサアルコキシジシラン由来の構造単位（ａ２）を含有しており、前記構造単位（ａ１）の含有割合を１００モル％とした場合に、前記構造単位（ａ２）の含有割合が１０〜３０モル％であるポリシロキサンと、（Ｂ）有機溶媒と、を含有するものである。 （もっと読む）

【課題】高密度かつ高テーパ角の微細凹凸形状を形成することができる微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】非感熱性の無機レジストを主成分とする感熱層を基材上に形成し、感熱性の無機レジストを主成分とする非感熱層を感熱層上に形成する。感熱層を露光、現像し、感熱層に所定のマスクパターンを形成する。マスクパターンを用いて非感熱層をエッチングすることにより、微細凹凸パターンを基材上に形成する。 （もっと読む）

【課題】現像後のレジストパターンのディフェクトの発生を抑制できるホトレジスト組成物が得られる技術を提供する。また、異物経時特性（保存安定性）に優れるホトレジスト組成物が得られる技術を提供する。そして、さらに好ましくは、処理前後で感度やレジストパターンサイズの変化が起こりにくいホトレジスト組成物が得られる技術を提供する。
【解決手段】樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、有機溶剤（Ｃ）とを含むホトレジスト組成物を、孔径が０．０４μｍ以下のナイロン膜からなる第１の膜を備えた第１のフィルタを通過させる工程を有し、且つ前記第１のフィルタを通過させる工程の前後の一方又は両方に、さらに、該ホトレジスト組成物を、ポリオレフィン樹脂またはフッ素樹脂製の第２の膜を備えた第２のフィルタを通過させる工程を有することを特徴とするホトレジスト組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】シリコン含有膜を有する多層マスクを、シリコン化合物を含む残渣を残存させることなく、容易に確実に除去できる多層マスクの除去方法および半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンを含有しない第１膜１３と、シリコン含有膜からなる第２膜１４と、レジスト層からなる第３膜１５とを順に形成してなる多層膜の第３膜１５をパターニングし、パターニングされた第３膜１５を有する多層膜に不具合がない場合には、第３膜１５をマスクとして、ドライエッチングにより第２膜１４をパターニングし、多層膜に不具合がある場合には、多層膜に不具合のない場合におけるドライエッチングよりも、第１膜１３のエッチング速度と第２膜１４のエッチング速度との差が大きいドライエッチングにより第２膜１４を除去する多層マスクの除去方法とする。 （もっと読む）