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国際特許分類[G03F7/26]の内容

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【課題】金属層の下方に配置されたレジストが、種々の要因によって劣化する。
【解決手段】半導体装置形成方法は、基板上に、第1波長の光で感光する下層レジストおよび第1波長と異なる第2波長の光で感光する上層レジストがこの順序で配された加工対象を準備する段階と、第2波長の光によるフォトリソグラフィを用いて、上層レジストにパターンを形成する段階と、上層レジストのパターンを用いて金属層のパターンを形成する段階と、第1波長の光を金属層のパターンに照射して、近接場光を発生させることにより、金属層のパターンよりも微細なパターンを下層レジストに形成する段階と、下層レジストのパターンを基板上に転写する段階とを備える。 (もっと読む)


【課題】金属含有膜を用いる多層レジストプロセスにおいて、金属含有膜からの金属溶出を抑制することができるパターン形成方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、(1)被加工基板の上側に金属含有膜を形成する工程、(2)上記金属含有膜上に保護膜を形成する工程、(3)レジスト組成物を用い、上記保護膜上にレジスト膜を形成する工程、(4)フォトマスクを介した露光光の照射により、上記レジスト膜を露光する工程、(5)上記露光されたレジスト膜の現像により、レジストパターンを形成する工程、及び(6)上記レジストパターンをマスクとしたエッチングにより、被加工基板にパターンを形成する工程を有するパターン形成方法である。 (もっと読む)


【課題】ブロックコポリマーのミクロ相分離を利用したパターン形成方法において、ブロックコポリマーの配向を容易に制御でき、より短時間で微細なパターンを形成できる方法を提供する。
【解決手段】実施形態のパターン形成方法は、基板11上に熱架橋性分子を塗布し熱架橋性分子層12を形成する工程と、前記熱架橋性分子層12上に感光性ポリマーを塗布して感光性ポリマー層17を形成する工程と、前記熱架橋性分子層12と前記感光性ポリマー層17とを加熱による架橋反応により接着する工程と、前記感光性ポリマー層17を選択的に露光することにより、露光部および未露光部の感光性ポリマーパターンを形成する工程と、前記感光性ポリマー層17上に、第1および第2のブロック鎖を含むブロックコポリマー層14を形成し、前記ブロックコポリマー層をミクロ相分離させ、前記ポリマー層13の表面エネルギーに基づいて前記第1および第2のブロック鎖のパターンを形成する工程と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】フォトレジスト膜形成用の樹脂溶液から、高い除去効率で、イオン性不純物や金属不純物を除去する不純物除去方法及び不純物除去用濾過装置を提供する。
【解決手段】フォトレジスト膜形成用の樹脂溶液を、繊維径20μm以下、密度が70〜110g/mのポリオレフィン系の不織布に、放射線グラフト重合法によりイオン交換基及び/又はキレート基を1meq/g以上固定化し、層厚20mm以上に加圧積層してなる濾過部材に透過させるフォトレジスト膜形成用の樹脂溶液から、高い除去効率で、イオン性不純物や金属不純物を除去する不純物除去方法及び不純物除去用濾過装置。 (もっと読む)


【課題】生産性を低下させることなく、基板の外周部にレジスト残渣が発生することを抑制可能な厚膜レジストの現像方法、及び半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】回路素子層の上面に、厚膜レジストを形成する工程と、厚膜レジストを露光する工程と、露光後に、30〜50rpmの範囲内の一定の回転速度で炭化珪素基板を回転させながら、厚膜レジストの上方から現像液を供給することで、厚膜レジストの上面に現像液よりなるパドルを形成し、該パドルにより厚膜レジストを現像して、厚膜レジストに回路素子層の上面を露出する開口部を形成する工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】刷版の複数の繰り返しの画像形成に適した刷版を提供する。
【解決手段】付着層4を備え、中間層3を備え、カバー層2を備え、カバー層は、窒化珪素を含有する。 (もっと読む)


【課題】ネガ現像において得られる親水性有機化合物で形成されるレジストパターンに適用できるだけでなく、従来のポジ現像で得られる疎水性化合物からなるレジストパターンにも適用できるレジスト下層膜形成用組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】(A)成分:下記繰り返し単位を有するフェノール性水酸基発生可能な重合体、該重合体の加水分解物、及び前記重合体の加水分解縮合物のうち少なくとも一つ以上、及び


(B)成分:特定の加水分解性ケイ素化合物を含有する混合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物を含むものであることを特徴とするケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物。 (もっと読む)


【課題】溶媒の冷却や溶解時の加熱を必要とせず、乾燥時間と溶解時間の合計の工程通過時間を短縮できるようにした、リソグラフィー用重合体溶液の製造方法を提供する。
【解決手段】重合溶媒の存在下に、重合開始剤を使用して、単量体をラジカル重合させて重合反応溶液を得る重合工程と、前記重合反応溶液を重合体に対する貧溶媒と混合し、重合体を析出させて析出物を得る回収工程と、前記析出物を固形分含有量が65〜90質量%の範囲内となるように乾燥させて、微乾燥粉末を得る微乾燥工程と、前記微乾燥粉末を、重合体に対する良溶媒に溶解させる溶解工程とを有し、前記溶解工程において、前記微乾燥粉末の温度が0〜45℃であり、前記良溶媒の温度が0〜40℃である、リソグラフィー用重合体溶液を製造する。 (もっと読む)


【課題】ネガ現像において得られるレジストパターンに適用できるだけでなく、ポジ現像で得られるレジストパターンにも適用できるレジスト下層膜形成用組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】(A)一般式(1)で表される加水分解性ケイ素化合物と一般式(2)で表される加水分解性化合物とを含有する混合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、及びRm1m2m3Si(OR)(4−m1−m2−m3)(1)U(ORm4(ORm5(2)(B)一般式(3)で表される加水分解性ケイ素化合物と一般式(4)で表される加水分解性ケイ素化合物とを含有する混合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、Rm6m7m8Si(OR(4−m6−m7−m8)(3)Si(OR10(4)を含むケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、感度等の基本特性を満足し、LWR等を指標としたリソグラフィー性能に優れ、さらにパターン裾部分に残渣を生じることなく良好な矩形性のパターン形状を有するパターンを形成することができる感放射線性組成物を提供することである。
【解決手段】本発明は、[A]下記式(1)で表される繰り返し単位(I)を有する重合体成分、及び[B]感放射線性酸発生体を含有する感放射線性組成物である。また、下記式(1)におけるR及びRのいずれかとRとは互いに結合して炭素数5〜20の環構造を形成していることが好ましい。
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