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国際特許分類[G03F7/26]の内容

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【課題】平版印刷における高い耐刷性を実現し、しかも露光部の良好な現像性をも達成する平版印刷版原版を提供する。
【解決手段】親水性表面を有する支持体上側に、下層及び上層をこの順に配設した記録層を有してなる赤外線感光性ポジ型平版印刷版原版であって、前記上層および/または下層が、アルカリ水溶液に可溶性又は可分散性の水不溶性ポリウレタン樹脂と、両性界面活性剤および/またはアニオン性界面活性剤 1質量%超20質量%未満と、赤外線吸収剤とを、同じ層に、あるいはそれぞれ別々に層に含有する平版印刷版原版。 (もっと読む)


【課題】レジスト剥離物とテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド(TAAH)とを含む現像廃液を安定かつ効率的に再生処理する。
【解決手段】レジスト剥離物とTAAHとを含有する現像廃液をpH8〜12に調整した後、MF膜モジュール4で膜分離処理し、濃縮水を循環処理するに当たり、濃縮水に無機凝集剤及び/又は高分子凝集剤を添加して凝集・固液分離処理し、分離水をMF膜モジュール4の一次側に返送して膜分離処理する。現像廃液を膜分離処理するに当たり、膜供給水ではなく、膜分離処理で得られた濃縮水に凝集剤を添加して凝集・固液分離処理し、得られた分離水を膜の一次側に返送して現像廃液と共に膜分離処理することにより、凝集剤使用量を低減すると共に、凝集・固液分離のための設備を小型化した上で、膜の濁質負荷を軽減し、安定かつ効率的な処理を行える。 (もっと読む)


【課題】パターンの微細化、特に、SRAMのセル面積を縮小するためには、隣接ゲートの端部間距離を縮小することが重要となる。しかし、28nmテクノロジノードにおいては、ArFによる単一回露光でパターンを転写することは、一般に困難である。従って、通常、複数回の露光、エッチング等を繰り返すことによって、微細パターンを形成しているが、ゲートスタック材にHigh−k絶縁膜やメタル電極部材が使用されているため、酸化耐性やウエットエッチ耐性が低い等の問題がある。
【解決手段】本願発明は、メモリ領域におけるhigh−kゲート絶縁膜およびメタル電極膜を有するゲート積層膜のパターニングにおいて、最初に、第1のレジスト膜を用いて、隣接ゲート電極間切断領域のエッチングを実行し不要になった第1のレジスト膜を除去した後、第2のレジスト膜を用いて、ライン&スペースパターンのエッチングを実行するものである。 (もっと読む)


【課題】フォトレジスト製造において、感度の高いオキシムエステル系光重合開始剤の溶解性が良く、電子材料用途のペースト組成物の特性を損なわないフォトレジスト製造用溶剤組成物を提供する。
【解決手段】特定構造の化合物を含む溶剤Aとオキシムエステル系光重合開始剤とを混合して溶剤組成物(C)とした後、前記溶剤組成物(C)を、前記溶剤Aと相溶する溶剤Bと混合してフォトレジスト製造用組成物(D)を得ることを特徴とするフォトレジスト製造用組成物の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】パターンの微細化、特に、SRAMのセル面積を縮小するためには、隣接ゲートの端部間距離を縮小することが重要となる。しかし、28nmテクノロジノードにおいては、ArFによる単一回露光でパターンを転写することは、一般に困難である。従って、通常、複数回の露光、エッチング等を繰り返すことによって、微細パターンを形成しているが、ゲートスタック材にHigh−k絶縁膜やメタル電極部材が使用されているため、酸化耐性やウエットエッチ耐性が低い等の問題がある。
【解決手段】本願発明は、メモリ領域におけるhigh−kゲート絶縁膜およびメタル電極膜を有するゲート積層膜のパターニングにおいて、ハードマスクに対して、2枚のレジスト膜を用いて、ライン&スペースパターンおよび隣接ゲート電極間切断領域パターンのパターニングを実行し、パターニングされたハードマスクを用いて、ゲート積層膜のエッチングを実行するものである。 (もっと読む)


【課題】感光性要素を熱現像するための方法および装置の提供。
【解決手段】加熱時に一部分を液化することのできる組成物層を含む。その層を1種または複数の有機化合物が蒸気を形成するのに十分な温度に加熱するステップと、前記蒸気の酸化により、有機化合物を二酸化炭素および水蒸気に変換するステップを含み有機化合物を含む廃棄物の流れを管理する必要性を低減させる。 (もっと読む)


【課題】ドライフィルムレジスト(DFR)をムラ無く、均一に薄膜化することが可能で、除去液の再生が可能で、廃液量を大きく削減でき、環境に優しい処理方法であり、除去液の再生の処理時間が大きく短縮可能なドライフィルムレジストの薄膜化処理方法を提供する。
【解決手段】DFRが貼り付けられた基板の該DFRを処理液で処理する工程、その後に、除去液を用いて表面の不用なDFRを除去液を用いて除去する工程とからなるDFRの薄膜化処理方法において、除去液中に含まれるDFR濃度が0.5質量%を超える前に、除去液中に溶解したDFRを、pHを一旦低下させることにより、凝集、沈殿させ、ろ過助剤としてセルロースパウダーを使用し、加圧型の脱水ろ過機を用いて固液分離し、分離後のろ過水のpHを中性に戻して、再度、除去液として再利用することを特徴とするDFRの薄膜化処理方法。 (もっと読む)


【課題】リソグラフィー用共重合体の、パターン形成における性能を、パターンを形成せずに評価する方法を提供する。
【解決手段】下記工程(1)〜(3)を含むリソグラフィー用共重合体の評価方法。
(1)リソグラフィー用共重合体と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物とを含むリソグラフィー組成物を用いて、基材上に薄膜を形成する工程。
(2)前記薄膜を露光した後、現像する工程。
(3)現像後、現像処理した薄膜の表面状態を評価する工程。 (もっと読む)


【課題】ハンプのない半導体装置の製造方法と、半導体装置と、露光装置とを提供する。
【解決手段】被加工膜2の上に下層レジスト膜となる感光性のネガ型のレジスト材料が塗布される。下層レジスト材料膜に露光光を照射することにより酸を発生させる。ベーク処理を施すことによって下層レジスト膜3bが形成される。現像処理を施すことにより、架橋した下層レジスト膜3bを残して、未架橋の下層レジスト材料膜の部分が除去される。中間層レジスト膜となる感光性のネガ型のレジスト材料を塗布し、同様の露光処理と現像処理を施すことにより、架橋した中間層レジスト膜4bを残して、未架橋の中間層レジスト材料膜の部分が除去される。 (もっと読む)


【課題】基板に形成されたレジストを除去する際のレジストの残渣の発生を抑える一方で、基板を洗浄する際の洗浄能力の低下を図る。
【解決手段】被噴射体噴射装置は、回転軸41を有し、回転軸41の回転によって基板を回転させるスピンナー40と、基板に相対する位置であってスピンナー40の回転軸41からずれて配置され、被噴射体を噴射するノズル24及びノズル25と、を備え、スピンナー40の回転軸41の方向に見て、ノズル24の噴射口24Aがスピンナー40の回転軸41が回転する向きと向き合っており、ノズル25の噴射口25Aが第一ノズル24の噴射口24Aの向きとは逆向きである。 (もっと読む)


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