国際特許分類[G03F7/26]の内容
物理学 (1,541,580) | 写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ (245,998) | フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置 (42,984) | フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化またはパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置 (38,375) | 感光材料の処理;そのための装置 (4,777)
国際特許分類[G03F7/26]の下位に属する分類
粉体画像を得るためのもの
液体手段を用いる画像様除去 (1,233)
選択的転写による画像様除去,例.剥離 (19)
グループ7/30〜7/34に包含されない画像様除去,例.ガス流を用いるもの,プラズマを用いるもの (91)
画像様除去前の処理,例.予熱 (840)
画像様除去後の処理,例.加熱 (1,695)
剥離またはそのための処理剤 (402)
国際特許分類[G03F7/26]に分類される特許
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リソグラフィー用下地材及びそれを用いたパターン形成方法
【構成】 グリシジルメタクリレートとメチルメタクリレートとの共重合体から成るか、又はこれに紫外線吸収剤を含有させて成るリソグラフィー用下地材、及び(A)基板上に前記下地材から成る第一層を形成する工程、(B)この第一層の上にポジ型レジストから成る第二層を設けたのち、露光、次いで現像処理してパターン化する工程、(C)該パターン化したレジスト層をケイ素含有蒸気によりシリル化する工程、及び(D)このシリル化処理されたレジストパターンをマスクとして酸素系ガスを用いたドライエッチング法により、該下地材から成る第1層をパターン化する工程を順次施し、パターンを形成する方法である。
【効果】 断面が矩形で高解像度及び高選択比のレジストパターンが簡素化されたプロセスにより容易に得られる。
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ベーク処理装置
改良された画像形成方法
【目的】耐黄変性に優れたフェノール系現像剤を提供することを目的とする。
【構成】画像を1種類以上の無色発色性材料と化学現像剤との反応により着色生成物の形態で被画像体の表面に選択的に形成する方法において、該現像剤がアルキル置換サリチル酸、アルキル置換フェノール、アルデヒドおよび金属源を反応させることにより得られるものである。
【効果】耐黄変性に優れた現像剤が得られる。
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成膜方法
二層構造感放射線性レジストおよびその製造方法
【構成】基板と感放射線性レジストとの間に、共役系重合体を主成分とする薄膜が介在することを特徴とする二層構造感放射線性レジストおよびその製造方法。
【効果】本発明によると、放射線の基板反射に起因して、感放射線性レジストの膜の厚み変動により、所望のレジストパターンから形状が変移することを抑止することができ、高い製造歩留まりを与えると共に、製造プロセスでのプロセス条件の許容幅を拡大することができる。
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光構造化方法
【目的】 二層法で寸法通りの構造物転移をまた解像限度を越える構造物の製造を可能とし、その際高い透過性、サブミクロン範囲においてもなお高い解像力及び高感度がもたらされる構造物を製造する。
【構成】 サブミクロン範囲で構造物を製造するに当たり、基板上に、第1又は第2アミンと反応する官能基及びNブロックされたイミド基を有するポリマー成分と、露光時に酸を遊離する光開始剤と、適当な溶剤 とからなるフォトレジスト層を施し、フォトレジスト層を乾燥し、フォトレジスト層を画像に応じて露光し、露光したフォトレジスト層を熱処理し、こうして処理したフォトレジスト層を水性アルカリ又は有機現像剤で現像してフォトレジスト構造物とし、フォトレジスト構造物を、第1又は第2アミンを含む化学試薬で処理し、その際現像時に一定の暗損傷を20〜100nmの範囲で起こさせる。
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光構造化方法
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