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国際特許分類[G03F7/26]の内容

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【解決手段】ナフタレン、フルオレン、フルオレノン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、アントラキノン、キサントン、チオキサントン、ベンゾクマリン、フェナレン-1-オン、アセナフテンから選ばれる芳香族基含有繰り返し単位を有し、酸によりアルカリに溶解する高分子化合物を含む第1のポジ型レジスト材料を基板上に塗布して第1のレジスト膜を形成する工程と第1のレジスト膜上にアルキルアルコールを溶剤とする第2のポジ型レジスト材料を塗布して第2のレジスト膜を形成する工程と高エネルギー線で露光、ベーク後現像液を用いて前記第1,2のレジスト膜を同時に現像してレジストパターンを形成する工程とを含むパターン形成方法。
【効果】第2層のレジスト膜を第1層レジスト膜と組み合わせることにより第2層のレジスト膜単独の場合よりも現像後のレジストパターンをマスクにして基板をエッチング加工したりイオンを打ち込んだりするときの耐性を高くできる。 (もっと読む)


【課題】プロセス工程の数が従来のリフトオフ方法より少なく、基板との密着性が良好な薄膜パターンの形成が可能な微細加工方法を提供すること。基板との密着性に優れたパターニングされた被加工薄膜を有する微細加工構造を提供すること。移動度が優れた有機トランジスタの作成が可能な微細加工方法及び電子デバイスを提供すること。
【解決手段】基体1上にレジスト膜2を形成する工程、レジスト膜2をパターン露光する工程、現像を行うことなくレジスト膜2上に被加工薄膜4を形成する工程、レジスト膜2の非露光部2bとその上の被加工薄膜4とをリフトオフする工程、を順次行うことを特徴とする。パターン化された被加工薄膜4aと基板1との間に、露光されたレジストパターン2aが介在していることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】運搬時のレジストの感光を防止できる感光性フィルムレジストロール梱包方法を提供する。
【解決手段】感光性フィルムレジストロールを樹脂製箱で梱包する方法であって、該感光層が感光性樹脂組成物を含有し、該感光性樹脂組成物が、(a)カルボキシル基含有量が酸当量で100〜600であり、かつ、重量平均分子量が5000〜500000であるバインダー用樹脂:20〜90質量%、(b)光重合可能な不飽和化合物:3〜70質量%、及び(c)光重合開始剤:0.1〜20質量%を含有し、該樹脂製箱が、樹脂板を折曲げて形成された組立箱であり、該組立箱における2つの折板の合わせ目を介して該2つの折板を少なくとも通るように結束バンドを配置するとともに、該結束バンドを少なくとも該2つの折板に固定する、感光性フィルムレジストロール梱包方法。 (もっと読む)


【課題】現像後の余分なフォトレジストの存在を容易に把握することができる検査支援方法、検査方法、フォトマスク、及び検査支援システムを提供する。
【解決手段】ウェハ100に積層されたレジスト102に所定解像度の回路パターンを転写するための転写パターン18が形成され、かつ転写パターン18を構成している領域の一部に所定解像度よりも高解像度の検査用パターンが形成されたフォトマスク14を介して、レジスト102に所定解像度に対応する所定波長光を予め定められた照射時間照射することにより回路パターンをレジスト102に転写し、レジスト102に回路パターンが転写された後にレジスト付きウェハ104を現像液槽16の現像液に浸漬する。 (もっと読む)


【課題】現像処理を行うことなくパターン形成ができ、また、ラビング処理等による問題も改善され、液晶配向膜等に最適なパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るパターン形成方法は、ポリイミド膜によるレリーフパターンを形成するに際し、350℃以上の耐熱性を保持した上で、現像処理を施すことなく、添加する光酸発生剤または光塩基発生剤の選択により、露光部が未露光部に対して断面視で凹になるレリーフパターンや露光部が未露光部に対して断面視で凸となるレリーフパターンを形成することができる。また、本発明で得られたパターン(ポリイミド膜)は、レリーフパターンとされた状態で分子配向しているので、液晶を配向させるためのラビング処理を施すことなく、液晶配向膜等として最適なレリーフパターンを提供することができる。 (もっと読む)


【課題】明室下で運搬又は長期保管してもレジストの性能を変化させないことが可能な感光性フィルムレジストロールの梱包方法を提供する。
【解決手段】感光性フィルムレジストロールを樹脂製箱で梱包する、感光性フィルムレジストロールの梱包方法であって、該感光層が感光性樹脂組成物からなり、該感光性樹脂組成物が(a)カルボキシル基含有量が酸当量で100〜600でありかつ重量平均分子量が5000〜500000であるバインダー用樹脂:20〜90質量%、(b)光重合可能な不飽和化合物:3〜70質量%、及び(c)光重合開始剤:0.1〜20質量%を含有し、該樹脂製箱が樹脂板で形成された組立箱であり、該樹脂製箱の底部が該樹脂板の合わせ目を有し、該合わせ目に遮光材を配置する、感光性フィルムレジストロール梱包方法。 (もっと読む)


【課題】特には3層レジストプロセス用下層膜として反射率を低減でき(反射防止膜としての最適なn、k値を有し)、埋め込み特性に優れ、パターン曲がり耐性が高く、特には60nmよりも細い高アスペクトラインにおけるエッチング後のラインの倒れやよれの発生がない下層膜を形成できるレジスト下層膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、下記一般式(1−1)及び/又は(1−2)で示される1種以上の化合物、並びに下記一般式(2)で示される1種以上の化合物及び/又はその等価体を縮合することにより得られるポリマーを含有するレジスト下層膜材料。
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【解決手段】芳香族基を繰り返し単位の20〜100モル%の範囲で有し、かつ酸によってアルカリに溶解する高分子化合物を含む第1のポジ型レジスト材料を基板上に塗布して、第1のレジスト膜を形成する工程と、第1のレジスト膜上に第1のレジスト膜を溶解させない炭素数3〜8のアルキルアルコールを溶媒とする第2のポジ型レジスト材料を塗布して、第2のレジスト膜を形成する工程と、高エネルギー線で露光し、ベーク後、現像液を用いて前記第1と第2のレジスト膜を同時に現像してレジストパターンを形成する工程とを含むパターン形成方法。
【効果】本発明のパターン形成方法によれば、現像後に基板面を開口させることができる。
本発明では、第2層のレジスト膜単独の場合よりも現像後のレジストパターンをマスクにして基板をエッチング加工したり、イオンを打ち込んだりするときの耐性を高くすることができる。 (もっと読む)


【課題】簡便な方法で、十分な処理効果を得ることができるフォトリソグラフィー工程排水の処理方法を提供する。
【解決手段】フォトリソグラフィー工程排水に疎水性官能基を有するカチオン性有機高分子凝集剤を添加した後、固液分離処理を行う。 (もっと読む)


【課題】その表面にレジスト膜からなるマスクが形成され、周縁部のレジスト膜の膜厚が中央領域よりも厚い基板にダメージを与えずに、当該基板の表面に形成されたレジスト膜を確実に除去できる技術を提供すること。
【解決手段】前記基板の表面全体にレジスト膜を酸化するための酸化性の処理流体を供給し、レジスト膜を除去する第1の工程と、前記基板の周縁部に当該基板の辺に沿ってアルカリ性の処理液をノズルから吐出して、基板の端部のレジストを除去する第2の工程と、を実施することにより、基板の端部におけるレジスト膜の残留を防ぎ、基板に与えるダメージを抑えることができる。 (もっと読む)


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