【課題】運搬時のレジストの感光を防止できる感光性フィルムレジストロール梱包方法を提供する。
【解決手段】感光性フィルムレジストロールを樹脂製箱で梱包する方法であって、該感光層が感光性樹脂組成物を含有し、該感光性樹脂組成物が、（ａ）カルボキシル基含有量が酸当量で１００〜６００であり、かつ、重量平均分子量が５０００〜５０００００であるバインダー用樹脂：２０〜９０質量％、（ｂ）光重合可能な不飽和化合物：３〜７０質量％、及び（ｃ）光重合開始剤：０．１〜２０質量％を含有し、該樹脂製箱が、樹脂板を折曲げて形成された組立箱であり、該組立箱における２つの折板の合わせ目を介して該２つの折板を少なくとも通るように結束バンドを配置するとともに、該結束バンドを少なくとも該２つの折板に固定する、感光性フィルムレジストロール梱包方法。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）アルカリ可溶性ノボラック樹脂、（Ｂ）キノンジアジドスルホン酸エステル系感光剤、（Ｃ）アルカリ可溶性セルロース樹脂、（Ｄ）式量１８０〜８００である芳香族ヒドロキシ化合物を含有し、アルカリ可溶性セルロース樹脂（Ｃ）の含有量がアルカリ可溶性ノボラック樹脂（Ａ）１００質量部に対して３〜３０質量部であることを特徴とするポジ型リフトオフレジスト組成物。
【効果】本発明のポジ型リフトオフレジスト組成物は、良好な保存安定性を有し、高感度で、現像後の残膜率（＝現像後膜厚／ソフトベーク後膜厚）が９５％以上で、切れ込みが大きいリフトオフ形状を得るために用いることができる。 （もっと読む）

【解決手段】ナフタレン、フルオレン、フルオレノン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、アントラキノン、キサントン、チオキサントン、ベンゾクマリン、フェナレン-1-オン、アセナフテンから選ばれる芳香族基含有繰り返し単位を有し、酸によりアルカリに溶解する高分子化合物を含む第1のポジ型レジスト材料を基板上に塗布して第1のレジスト膜を形成する工程と第1のレジスト膜上にアルキルアルコールを溶剤とする第2のポジ型レジスト材料を塗布して第2のレジスト膜を形成する工程と高エネルギー線で露光、ベーク後現像液を用いて前記第1,2のレジスト膜を同時に現像してレジストパターンを形成する工程とを含むパターン形成方法。
【効果】第2層のレジスト膜を第1層レジスト膜と組み合わせることにより第2層のレジスト膜単独の場合よりも現像後のレジストパターンをマスクにして基板をエッチング加工したりイオンを打ち込んだりするときの耐性を高くできる。 （もっと読む）

【課題】現像後の余分なフォトレジストの存在を容易に把握することができる検査支援方法、検査方法、フォトマスク、及び検査支援システムを提供する。
【解決手段】ウェハ１００に積層されたレジスト１０２に所定解像度の回路パターンを転写するための転写パターン１８が形成され、かつ転写パターン１８を構成している領域の一部に所定解像度よりも高解像度の検査用パターンが形成されたフォトマスク１４を介して、レジスト１０２に所定解像度に対応する所定波長光を予め定められた照射時間照射することにより回路パターンをレジスト１０２に転写し、レジスト１０２に回路パターンが転写された後にレジスト付きウェハ１０４を現像液槽１６の現像液に浸漬する。 （もっと読む）

【課題】現像処理を行うことなくパターン形成ができ、また、ラビング処理等による問題も改善され、液晶配向膜等に最適なパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るパターン形成方法は、ポリイミド膜によるレリーフパターンを形成するに際し、３５０℃以上の耐熱性を保持した上で、現像処理を施すことなく、添加する光酸発生剤または光塩基発生剤の選択により、露光部が未露光部に対して断面視で凹になるレリーフパターンや露光部が未露光部に対して断面視で凸となるレリーフパターンを形成することができる。また、本発明で得られたパターン（ポリイミド膜）は、レリーフパターンとされた状態で分子配向しているので、液晶を配向させるためのラビング処理を施すことなく、液晶配向膜等として最適なレリーフパターンを提供することができる。 （もっと読む）

【解決手段】芳香族基を繰り返し単位の２０〜１００モル％の範囲で有し、かつ酸によってアルカリに溶解する高分子化合物を含む第１のポジ型レジスト材料を基板上に塗布して、第１のレジスト膜を形成する工程と、第１のレジスト膜上に第１のレジスト膜を溶解させない炭素数３〜８のアルキルアルコールを溶媒とする第２のポジ型レジスト材料を塗布して、第２のレジスト膜を形成する工程と、高エネルギー線で露光し、ベーク後、現像液を用いて前記第１と第２のレジスト膜を同時に現像してレジストパターンを形成する工程とを含むパターン形成方法。
【効果】本発明のパターン形成方法によれば、現像後に基板面を開口させることができる。
本発明では、第２層のレジスト膜単独の場合よりも現像後のレジストパターンをマスクにして基板をエッチング加工したり、イオンを打ち込んだりするときの耐性を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で、十分な処理効果を得ることができるフォトリソグラフィー工程排水の処理方法を提供する。
【解決手段】フォトリソグラフィー工程排水に疎水性官能基を有するカチオン性有機高分子凝集剤を添加した後、固液分離処理を行う。 （もっと読む）

【課題】明室下で運搬又は長期保管してもレジストの性能を変化させないことが可能な感光性フィルムレジストロールの梱包方法を提供する。
【解決手段】感光性フィルムレジストロールを樹脂製箱で梱包する、感光性フィルムレジストロールの梱包方法であって、該感光層が感光性樹脂組成物からなり、該感光性樹脂組成物が（ａ）カルボキシル基含有量が酸当量で１００〜６００でありかつ重量平均分子量が５０００〜５０００００であるバインダー用樹脂：２０〜９０質量％、（ｂ）光重合可能な不飽和化合物：３〜７０質量％、及び（ｃ）光重合開始剤：０．１〜２０質量％を含有し、該樹脂製箱が樹脂板で形成された組立箱であり、該樹脂製箱の底部が該樹脂板の合わせ目を有し、該合わせ目に遮光材を配置する、感光性フィルムレジストロール梱包方法。 （もっと読む）

【課題】特には３層レジストプロセス用下層膜として反射率を低減でき（反射防止膜としての最適なｎ、ｋ値を有し）、埋め込み特性に優れ、パターン曲がり耐性が高く、特には６０ｎｍよりも細い高アスペクトラインにおけるエッチング後のラインの倒れやよれの発生がない下層膜を形成できるレジスト下層膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、下記一般式（１−１）及び／又は（１−２）で示される１種以上の化合物、並びに下記一般式（２）で示される１種以上の化合物及び／又はその等価体を縮合することにより得られるポリマーを含有するレジスト下層膜材料。
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【課題】その表面にレジスト膜からなるマスクが形成され、周縁部のレジスト膜の膜厚が中央領域よりも厚い基板にダメージを与えずに、当該基板の表面に形成されたレジスト膜を確実に除去できる技術を提供すること。
【解決手段】前記基板の表面全体にレジスト膜を酸化するための酸化性の処理流体を供給し、レジスト膜を除去する第１の工程と、前記基板の周縁部に当該基板の辺に沿ってアルカリ性の処理液をノズルから吐出して、基板の端部のレジストを除去する第２の工程と、を実施することにより、基板の端部におけるレジスト膜の残留を防ぎ、基板に与えるダメージを抑えることができる。 （もっと読む）