【課題】リソグラフィー用共重合体の、リソグラフィー用組成物としたときのリソグラフィー特性を、実際にリソグラフィー用組成物を調製しなくても評価できる方法を提供する。
【解決手段】下記工程を含むリソグラフィー用共重合体の評価方法：
（１）リソグラフィー用共重合体を溶媒に溶解させて試験溶液を調製する工程；
（２）前記試験溶液の濁度を測定する工程；
（３）前記試験溶液に貧溶媒を添加する工程；
（４）貧溶媒添加後の試験溶液の濁度を測定する工程；
（５）前記貧溶媒の添加によって、前記試験溶液の濁度が、所定の濁度に変化するまでの貧溶媒添加量を求める工程；
（６）前記工程（５）において求められる貧溶媒添加量により、前記リソグラフィー用共重合体を含む組成物のリソグラフィー特性を評価する工程。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜、特には３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜、又は、レジストパターンの側壁に直接珪素酸化膜を形成したり、レジストパターンに珪素酸化膜を形成してポジネガ反転を行う際に用いるレジスト下層膜であり、反射率を低減でき、エッチング耐性が高いレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料であって、少なくともフッ素原子を有するスチレン誘導体単位を、繰り返し単位として含有する重合体を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。 （もっと読む）

【課題】多層レジスト法において、良好なドライエッチングマスクとして使用できるケイ素含有膜を形成でき、特に上層のフォトレジストとのエッチング選択性が良好な熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物の提供。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（１）で表される１種又は２種以上の加水分解性ケイ素化合物と、下記一般式（２−１）で表される加水分解性ケイ素化合物及び下記一般式（２−２）で表される反応性化合物からなる群から選ばれる１種又は２種以上の化合物とを加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、Ｒ^１_ｍ１Ｓｉ（ＯＲ^２）_{（４−ｍ１）}（１）Ｒ^３_ｍ３Ｓｉ（ＯＲ^４）_{（４−ｍ３）}（２−１）Ｕ（ＯＲ^５）_ｍ５（ＯＲ^６）_ｍ６（Ｏ）_ｍ７／２（２−２）（Ｂ）特定の１種又は２種以上の熱架橋促進剤（Ｃ）炭素数が１〜３０の１価又は２価以上の有機酸（Ｄ）有機溶剤を含むことを特徴とする熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】露光波長に対して強い吸収を持ち、上層のレジスト膜とのインターミキシングを起こさず、さらに上層のレジスト膜がアルカリ現像される際に同時にアルカリ現像されるレジスト下層膜を形成するための組成物の提供。
【解決手段】下記式（１）


（式中、Ｒ^１は水素原子又はメチル基を表し、Ｘは直接結合又はフェニレン基を表し、Ａはナフチル基又はアントラセニル基を表す。）で表される構造単位を有するポリマー、少なくとも２つのビニルエーテル基を有する化合物、光酸発生剤及び溶剤を含むレジスト下層膜形成組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】現像ラチチュード、溶解識別性及び耐刷性に優れ、且つ、像様露光後、現像処理に至るまでに経時した場合でも現像性の低下が抑制された赤外線レーザー用ポジ型平版印刷版原版、並びに、前記赤外線レーザー用ポジ型平版印刷版原版を使用した平版印刷版の製版方法を提供する。
【解決手段】支持体上に、水不溶かつアルカリ可溶性樹脂を含む下層と、赤外線吸収剤及び赤外線露光によりアルカリ水溶液への溶解性が向上するポリウレタンを含む上層と、を順次積層してなる画像形成材料である。該ポリウレタンは、熱や酸により分解して酸基となる官能基を側鎖に有するポリウレタンであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、ドライエッチング耐性に非常に優れ、基板エッチング中のよれの発生を高度に抑制できると共に、化学増幅型レジストを用いた上層パターン形成におけるポイゾニング問題を回避できるレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、パターン形成方法、及びフラーレン誘導体を提供することを目的とする。
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料であって、少なくとも、（Ａ）フラーレン骨格を有する物質と電子吸引基含有１，３−ジエン化合物誘導体との反応生成物であるフラーレン誘導体、（Ｂ）有機溶剤とを含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。 （もっと読む）

【課題】ポリマーアロイに配向性の高い相分離構造のパターンを短時間で形成することのできるパターン形成方法及びポリマーアロイ下地材料を提供する。
【解決手段】基板上に自己組織化単分子膜とポリマー膜を積層する工程と、エネルギー線を照射することにより前記ポリマー膜と前記自己組織化単分子膜を化学結合させ、ポリマー表面層を前記自己組織化単分子膜上に形成する工程と、相分離構造のパターンを有するポリマーアロイを前記ポリマー表面層上に形成する工程と、を含むパターン形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、剥離液の残渣を除去できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上に開口を有するレジストマスクを形成する工程と、該基板のうち該開口により露出した部分に所定の処理を施す工程と、アリールスルホン酸を含む剥離液を用いて該レジストマスクを剥離する工程と、リンス液を用いて該剥離液の残渣を除去する工程と、該基板上に膜を形成する工程と、を備える。そして、該リンス液の溶解度パラメータは１２．９８から２３．４３までのいずれかの値であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】欠陥の少ないパターンを形成することができるレジスト組成物を製造するレジスト組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂、酸発生剤及び溶剤を混合して得られる混合液をセラミックス製のフィルタで濾過してレジスト組成物を得るレジスト組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜として最適なレジスト下層膜と無機ハードマスクを組み合わせたパターン形成方法の提供。
【解決手段】一般式(１)で表されるナフタレン誘導体又はそれを含有する高分子化合物をレジスト下層膜材料として用いた下層膜形成方法により、反射防止膜としての最適な特性、エッチング耐性、高耐熱性、耐溶媒性を有し、ベーク中のアウトガスの発生を抑制でき、基板のエッチング中によれのないレジスト下層膜を形成できる。


（環構造Ａｒ１、Ａｒ２はベンゼン環又はナフタレン環。Ｘは単結合又はＣ１〜２０のアルキレン基。ｍは０又は１。ｎは分子量が１０万以下となる自然数。） （もっと読む）