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国際特許分類[G03F7/26]の内容

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【課題】高アスペクト比を有する微細なパターン構造を提供することを目的の一とする。
【解決手段】エッチング層上に転写層と熱反応型レジスト層を順に積層する工程と、熱反応型レジスト層の所定の領域に対して熱反応させた後、熱反応させた領域をエッチングすることにより熱反応レジスト層をパターニングする工程と、パターニングされた熱反応レジスト層をマスクとして、転写層に対して第1のドライエッチングを施すことにより転写層をパターニングする工程と、少なくともパターニングされた転写層をマスクとして、エッチング層に対して第2のドライエッチングを施すことによりエッチング層をパターニングする工程とを有し、転写層と熱反応型レジスト層に用いる材料及び第1のドライエッチングと第2のドライエッチングに用いるエッチングガスとして、特定の材料やガスを適用する。 (もっと読む)


【課題】従来よりも更にサイズが微細化した構造であって、広範囲に亘って規則性に優れ、欠陥の少ない構造を有する高分子薄膜、パターン媒体、及びこれらの製造方法、並びにこれらの製造方法に使用する表面改質材料を提供する。
【解決手段】基板201上で高分子ブロック共重合体をミクロ相分離させて、連続相204中で複数のミクロドメイン203を規則的に配列させる高分子薄膜の製造方法において、前記連続相に対応するように前記基板にシルセスキオキサングラフト膜を形成すると共に、前記ミクロドメイン203の配列に対応するように前記シルセスキオキサングラフト膜とは化学的性質の相違するパターン部を形成する工程を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】レジストパターンにポリシラザンを塗布し、不溶化層を形成してパターンを形成する場合に、従来に比して不溶化層にマスク材としてのエッチング耐性を持たせることができるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、まず、被加工膜11上にレジストパターン13を形成し、レジストパターン13上にポリシラザン塗布膜14を形成し、熱処理を行って、レジストパターン13とポリシラザン塗布膜14とを反応させ、レジストパターン13の側面および上面に沿って不溶化層15を形成する。ついで、不溶化層15を形成しなかった領域のポリシラザン塗布膜14を除去し、不溶化層15を酸化してポリシラザン硬化膜16を形成し、レジストパターン13の上面とレジストパターン13間の底部のポリシラザン硬化膜16を除去する。そして、レジストパターン13を除去し、ポリシラザン硬化膜16を用いて被加工膜11を加工する。 (もっと読む)


【課題】レーザ描画に適したレジスト感度曲線を作成する方法を提供する。
【解決手段】感光性樹脂12へレーザ光を照射して微細形状を得る微細形状の製造で用いるレジスト感度曲線の作成方法であり、レジスト感度曲線を、(1)複数の感度測定領域を隣接させた試験領域を感光性樹脂12へ設定する工程、(2)複数の感度測定領域毎に異なる光量となるように、レーザ光の光量を変調させて露光する工程、(3)感光性樹脂12を現像して得られた試験領域を用いてレジスト感度曲線を取得する工程、によってレジスト感度曲線の作成する。 (もっと読む)


【課題】ダブルパターニングプロセスにおいて、2回目以降のパターニングの影響を受けにくいレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法、及びこれに用いる樹脂の精製方法を提供すること。
【解決手段】支持体上に、樹脂(A1)と有機溶剤(S1)とを含有する第一のレジスト材料を用いて第一のレジストパターンを形成する工程と、前記第一のレジストパターンが形成された前記支持体上に、樹脂(A2)と、該樹脂(A2)を溶解し且つ前記樹脂(A1)を溶解しない有機溶剤(S2)とを含有する第二のレジスト材料を用いてレジストパターンを形成する工程とを含むレジストパターン形成方法であって、前記樹脂(A1)を、該樹脂(A1)を溶解せず且つ前記樹脂(A2)を溶解する有機溶剤(W)を含有する洗浄液で洗浄することにより精製して前記第一のレジスト材料に配合することを特徴とするレジストパターン形成方法。 (もっと読む)


【課題】化学増幅型レジスト層における未露光部については高残膜率を維持でき、かつ、露光部については現像後において未露光部に対して高いパターンコントラストを得る。
【解決手段】化学増幅型レジスト層を基体上に形成する工程と、前記化学増幅型レジスト層に対して露光前ベークを行う工程と、前記化学増幅型レジスト層に対して所定のパターン露光を行う工程と、前記化学増幅型レジスト層に対して露光後ベークを行う工程と、を有し、前記露光前ベーク時間の方が、前記露光後ベーク時間よりも長くする。 (もっと読む)


【課題】選択的位置のレジスト膜とその下地との密着性を高め、非選択的位置のレジスト膜の残渣を減少させる。
【解決手段】下地1に第1レジスト材3を塗布し(工程1―1)、所望パターンとは逆パターンで第1レジスト材3をパターニングして前記下地の表面のうち前記所望パターンの表面を露出させ(工程1―2)、該下地の前記露出された表面を疎水化処理し(工程1―3)、該疎水化処理後に下地1から前記パターニングされた第1レジスト材3を除去(工程1―4)して下地1に第2レジスト材2を塗布し、(工程1―5)、第2レジスト材2を前記所望パターンでパターニングする(工程1―6)。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、統計的欠陥処理手順、モデル、及びライブラリをリアルタイムで用いることによってプロセスの歩留まりを改善させる基板処理用装置及び方法を供する。
【解決手段】 本発明は、共有された統計に基づく分散データを用いて基板を処理する装置及び方法を供する。前記統計に基づく分散データは、マイクロブリッジ形成欠陥データ、LER欠陥データ、及びLWR欠陥データの決定に用いることのできる共有されたポリマー脱保護分散(PPDV)データを有して良い。 (もっと読む)


【課題】可視光領域で十分に低い反射率を達成することができ、かつ、破壊強度に優れた遮光膜付ガラス基板の提供。
【解決手段】ガラス基板20上に多層構造の遮光膜30が形成されてなる遮光膜付ガラス基板であって、前記多層構造の遮光膜が、下記を満たす第1の酸窒化クロム膜(CrOx1y1)31および第2の酸窒化クロム膜(CrOx2y2)32が、透明基板側からこの順に積層された構造であることを特徴とする遮光膜付ガラス基板。0.15<x1<0.5、0.1<y1<0.35、0.4<x1+y1<0.65、0.03<x2<0.15、0.09<y2<0.25 (もっと読む)


【課題】エッチング耐性に優れ、反射率が低減されたレジスト下層膜を形成することができるレジスト下層膜形成用組成物、パターン形成方法の提供。
【解決手段】下記一般式で表される繰り返し単位を有する重合体を含むレジスト下層膜形成用組成物。


式中、Rはヒドロキシ基等を示す。nは0〜5の整数である。 (もっと読む)


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