説明

国際特許分類[G03F7/26]の内容

国際特許分類[G03F7/26]の下位に属する分類

国際特許分類[G03F7/26]に分類される特許

81 - 90 / 497


【課題】スループットを短縮し、所望の回路パターンを形成することが可能な半導体回路パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に被エッチング膜を形成し、この被エッチング膜上に現像液溶解性膜を形成する。次に、現像液溶解性膜上にフォトレジスト膜を形成し、フォトマスクを介してフォトレジスト膜を露光する。さらに、現像液を用いてフォトレジスト膜を現像する。この工程では、フォトレジストパターンの下側の現像液溶解性膜を、アンダーカット状の残存部分を残すように溶解させる。次に、フォトレジスト膜を覆うように耐エッチング膜を形成したのち、フォトレジスト膜を除去することにより、被エッチング膜上に、フォトレジスト膜の開口部に対応する耐エッチング膜のパターンを形成するリフトオフ工程を行う。その後、現像液溶解性膜と耐エッチング膜とをマスクとして、被エッチング膜をエッチングする。 (もっと読む)


【課題】ノズルのプライミング処理に用いる洗浄液の消費量を低減することができ、且つ、前記基板への塗布膜形成の際に、スリット状のノズル吐出口から塗布液を均一に吐出する。
【解決手段】ノズル16に塗布液を供給する塗布液供給手段20,32,33と、前記ノズルを、その長手方向を軸として回動させ、前記吐出口を上方に臨む状態とするノズル回動手段25と、前記塗布液供給手段と前記ノズル回動手段の駆動制御を行う制御手段50とを備え、前記制御手段は、前記プライミング処理において、前記ノズル回動手段により前記ノズルを回動させて前記吐出口が上方に臨む状態とし、前記塗布液供給手段により前記ノズルに所定量の塗布液を供給し、前記吐出口から前記塗布液を吐出させることにより、前記吐出口上に前記塗布液の隆起部R1を形成する。 (もっと読む)


【課題】反射防止膜としての機能を有すると共にパターン転写性能及びエッチング耐性が良好なレジスト下層膜を形成することができるレジスト下層膜形成方法、微細化したパターン転写時においても曲がらない下層膜及びその形成方法、並びにパターン形成方法を提供する。
【解決手段】(A)芳香環を含む樹脂と、(B)一般式(i)で表される化合物と、を含む組成物によってレジスト下層膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、基板エッチング中のよれの発生を高度に抑制できると共に、化学増幅型レジストを用いた上層パターン形成におけるポイゾニング問題を回避できるレジスト下層膜、を形成するためのレジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、及びパターン形成方法、及びフラーレン誘導体を提供することを目的とする。
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、(A)熱不安定基で保護されたカルボキシル基を有するフラーレン誘導体と、(B)有機溶剤とを含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。 (もっと読む)


【課題】半導体素子の微細パターン形成方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の微細パターン形成方法はパターン対象層上に多数の第1感光膜パターンを形成しS100、パターン対象層および多数の第1感光膜パターン上に境界膜を形成しS110、境界膜上に平坦化膜を形成しS120、平坦化膜上に多数の第2感光膜パターンを形成しS130、多数の第2感光膜パターンを利用して多数の平坦化膜パターンを形成しS140、多数の平坦化膜パターンおよび多数の第1感光膜パターンを利用して多数のパターン対象層パターンを形成するS150ことを含む。 (もっと読む)


【課題】所望の2次元形状パラメータを有したパターンを基板上に形成可能な露光量を正確に決定することができる露光量決定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】マスク上に形成されるマスクパターンと所望のマスクパターンとの間の二次元形状パラメータのずれ量分布を、マスクパターンマップm1として取得するマスクパターンマップ取得ステップと、マスクをショット露光してウェハ上にパターンを形成した場合に形成されるウェハ上パターンと所望のウェハ上パターンとの間の二次元形状パラメータのずれ量が所定の範囲内に収まるよう、マスクパターンマップm1に基づいて、露光ショット内での位置毎に露光量を決定する露光量決定ステップと、を含む。 (もっと読む)


【課題】 塗布装置や器具に付着し乾燥した付着物を容易に除去することができ、異物欠陥を生じにくい感光性着色組成物の製造方法およびそれを用いたカラーフィルタの製造方法を提供する。
【解決手段】 平均粒径1μm以下の顔料と、感光性樹脂成分と、分散剤と、溶剤とを少なくとも含有するカラーフィルタ用の感光性着色組成物であって、前記感光性着色組成物を塗布し乾燥した後、再溶解溶剤に浸漬させたとき、再溶解した前記感光性着色組成物の顔料の平均粒径が、前記感光性着色組成物の顔料の平均粒径の10倍以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】形成されるレジストパターンの寸法の制御された増大、低減または維持を可能にする。
【解決手段】電子デバイスを形成する方法は、(a)パターン形成される1以上の層を含む半導体基体を提供し;(b)感光性組成物の第1の層を、前記パターン形成される1以上の層上に適用し;(c)前記第1の層を、パターン化されたフォトマスクを通した活性化放射線に露光し;(d)第1の層を現像してレジストパターンを形成し;(e)ハードベークプロセスにおいて前記レジストパターンを熱処理し;(f)前記レジストパターンの表面をアルカリ性にするのに有効な物質で、前記レジストパターンを処理し;(g)感熱性組成物の第2の層を、前記レジストパターンのアルカリ性表面と接触するように適用し;(h)前記感熱性組成物の第2の層を、熱酸発生剤が酸を発生するのに有効な温度に加熱し;並びに(i)加熱された第2の層を現像する;ことを含む。 (もっと読む)


【解決手段】フォトレジスト体積内における酸発生剤およびクエンチャの個数を判定するステップと、フォトレジスト体積により吸収された光子の個数を判定するステップと、酸に変換された酸発生剤の個数を判定するステップと、フォトレジスト体積内における酸とクエンチャとの反応の回数を判定するステップと、フォトレジスト体積の現像を計算するステップと、フォトレジスト体積の現像およびフォトレジストプロファイルの寸法特性の計測により形成された3次元的にシミュレーションされた走査型電子顕微鏡画像をプロセッサを用いて生成するステップとによる、フォトレジストプロファイルの寸法特性を計測するための、プロセッサに基づく方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】蒸着温度が高い場合であってもリフトオフプロセスにおいて十分に剥離することのできるフォトレジストを用いた3Mask方式の表示素子基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板にアルカリ可溶性樹脂(A)、感放射線性化合物(B)、酸化防止剤(C)、及び溶剤(D)を含むフォトレジストによりレジストパターンを形成する工程(a)と、前記工程(a)で得られたレジストパターンが形成された基板に対して金属を物理蒸着する工程(b)と、前記レジストパターン及び前記レジストパターン上に蒸着した金属を除去するリフトオフ工程(c)とを含む。 (もっと読む)


81 - 90 / 497