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国際特許分類[G03F7/26]の内容

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【課題】ネガ現像において得られる親水性有機化合物で形成されるレジストパターンに適用出来るだけでなく従来のポジ現像で得られる疎水性化合物からなるレジストパターンにも適用出来るレジスト下層膜を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、下記一般式(1)で示される有機ホウ素化合物及びその縮合物からなる群から選ばれる化合物(A)一種以上と、下記一般式(2)で示されるケイ素化合物(B)一種以上とを含む混合物の縮合物及び/又は加水分解縮合物を含有するものであることを特徴とするケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物。
m0B(OH)m1(OR)(3−m0−m1) (1)
10m1011m1112m12Si(OR13(4−m10−m11−m12) (2) (もっと読む)


【課題】製版時に保護フィルムを剥離する際には剥離が容易でありながら、適度な製造時や運搬、製版までの取り扱い時には保護フィルムが剥離することがなく取り扱い性に優れ、さらにはアブレーション感度を低下させることのないレタープレス版またはフレキソ版に用いるCTP用感光性樹脂凸版印刷原版を提供する。
【解決手段】支持体と、感光性樹脂層と、感熱性を有するマスク層と、剥離力調整層と、保護フィルムとが順次積層されてなり、前記剥離力調整層がアミノ樹脂を含有することを特徴とする感光性樹脂凸版印刷原版。 (もっと読む)


【課題】金属イオン不純物濃度が低く、半導体リソグラフィーに好適に用いることができる、半導体リソグラフィー用重合体または重合体溶液の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体リソグラフィー用重合体、または該重合体を含む重合体溶液の製造方法において、原料または生成物と接触する容器として、該容器に対して10体積%のメタノールで還流した時に、該還流後のメタノール中の各金属イオン不純物濃度が10ppb以下である容器を用いる工程を有する、半導体リソグラフィー用重合体または該重合体を含む重合体溶液の製造方法。 (もっと読む)


【課題】膜パターンの倒れを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、基板上に低ガラス転移温度材料膜と高ガラス転移温度材料膜との積層膜を形成する工程と、前記積層膜上に加熱下で上層膜を形成する工程と、前記上層膜をパターニングする工程と、前記上層膜をマスクとして前記積層膜をパターニングする工程と、前記上層膜をウェットエッチング処理により除去する工程と、を備えた。 (もっと読む)


【課題】塗布欠陥及びパターン欠陥等の欠陥の発生を減少させることのできるリソグラフィー用レジスト組成物を提供する。
【解決手段】リソグラフィー用レジスト組成物の製造方法であって、少なくとも、リソグラフィー用レジスト組成物をフィルターでろ過する工程を含み、該ろ過工程において、コロイダルゾルを前記フィルター3上流から通過させてフィルターにコロイド粒子を吸着させた後、該フィルターに前記リソグラフィー用レジスト組成物を通過させることにより、該リソグラフィー用レジスト組成物中の微小粒子を除去するリソグラフィー用レジスト組成物の製造方法。符号1、6、7はタンク、2、4は送液ポンプ、3はフィルター容器、5は充填容器、8はドレイン、9は排出弁、10は二次側弁を表す。 (もっと読む)


【課題】塗布欠陥及びパターン欠陥等の欠陥の発生を減少させることのできるリソグラフィー用レジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】リソグラフィー用レジスト組成物の製造方法であって、少なくとも、リソグラフィー用レジスト組成物をフィルターでろ過する工程を含み、該ろ過工程において、前記フィルターが設置されている容器内を減圧下に保持した後、前記フィルターに前記リソグラフィー用レジスト組成物を通過させることを特徴とするリソグラフィー用レジスト組成物の製造方法。 (もっと読む)


【課題】多層レジストプロセスにおいて、有機溶媒現像の場合に、パターン倒れ耐性に優れるレジストパターンを形成させることができるレジストパターン形成方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、(1)レジスト下層膜形成用組成物を用い、基板上にレジスト下層膜を形成する工程、(2)フォトレジスト組成物を用い、上記レジスト下層膜上にレジスト膜を形成する工程、(3)上記レジスト膜を露光する工程、及び(4)上記露光されたレジスト膜を、有機溶媒を80質量%以上含有する現像液を用いて現像する工程を有し、上記レジスト下層膜形成用組成物が、[A]ポリシロキサン鎖を含み、カルボキシル基、酸の作用によりカルボキシル基を生じうる基及び酸無水物基からなる群より選ばれる少なくとも1種の基を有する成分を含有するレジストパターン形成方法である。 (もっと読む)


【課題】基板面内における現像処理後のレジスト残膜の均一性を向上し、配線パターンの線幅及びピッチのばらつきを抑制する。
【解決手段】基板搬送手段20と、被処理基板Gに対する露光処理空間を形成するチャンバ8と、基板搬送方向に交差する方向にライン状に配列された複数の発光素子Lを有し、下方を搬送される被処理基板上の感光膜に対し、前記発光素子の発光により光照射可能な光源4と、前記光源を構成する複数の発光素子のうち、1つまたは複数の発光素子を発光制御単位として選択的に発光駆動可能な発光駆動部9と、前記基板搬送手段により搬送される前記被処理基板を検出する基板検出手段30と、前記基板検出手段による基板検出信号が供給されると共に、前記発光駆動部による前記発光素子の駆動を制御する制御部40とを備える。 (もっと読む)


【課題】多層レジストプロセスにおいて、シリコン含有膜のフッ素系ガスエッチングに対する加工性と、酸素系ガスエッチングに対する耐性とを共に高め、微細なパターンを形成できるパターン形成方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、(1)ポリシロキサン組成物を用い、被加工基板の上面側にシリコン含有膜を形成する工程、(2)上記シリコン含有膜上にレジストパターンを形成する工程、(3)上記レジストパターンをマスクとし、上記シリコン含有膜をドライエッチングしてシリコン含有パターンを形成する工程、並びに(4)上記シリコン含有パターンをマスクとし、上記被加工基板をドライエッチングして被加工基板にパターンを形成する工程を有し、上記ポリシロキサン組成物が、[A]フッ素原子を含むポリシロキサン、及び[B]架橋促進剤を含有するパターン形成方法である。 (もっと読む)


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