【課題】現像時に、処理液をミスト状に発生させてレジスト膜の現像を行うために、スプレー現像のような現像液の液滴によるレジストへのインパクト（衝撃）や、パドル現像のような基板に盛った現像液を振り切る際の現像液との摩擦によるパターン倒壊がなく、良好なレジスト膜のパターンを形成するパターン形成方法及びパターン形成装置を提供する。
【解決手段】フォトマスクまたは半導体製造の微細加工におけるレジストのパターン形成方法において、現像液及び処理液をミスト状に発生させてレジストのパターン形成を行うことを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】印刷版の現像処理時に当該印刷版の表面に不純物が付着するのをさらに抑制することを可能とする。
【解決手段】感光性樹脂版Ａに活性光線を照射して露光部と未露光部とを形成する露光工程と、露光された感光性樹脂版Ａを載置台２０に固定して現像液を供給し、かつ、感光性樹脂版Ａと未露光部除去装置２１とを接触させ、感光性樹脂版Ａに該未露光部除去装置２１を相対的に動作させて未露光部を除去する現像工程と、相対的な動作を継続させたまま未露光部除去装置２１と当該感光性樹脂版Ａとを引き離して非接触状態とする工程と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの倒壊を抑制する基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明の基板処理方法は、基板上にレジスト膜を形成するレジスト形成工程と、レジスト膜を露光する露光工程と、露光工程の後、基板を処理室２０内に収容し、処理室２０の外部で生成したイオンを含むガスを処理室２０内に導入し、イオンを含む雰囲気中でレジスト膜に現像液を供給しレジスト膜を現像する現像工程と、現像工程の後、イオンを含む雰囲気に維持された処理室２０内でレジスト膜にリンス液を供給しレジスト膜を洗浄するリンス工程と、リンス工程の後、レジスト膜を乾燥する乾燥工程とを備えた。 （もっと読む）

【課題】基板を平流し方式で搬送しながら現像処理を行う現像処理装置において、基板の処理条件の違いに拘わらず、現像処理を効果的に行う。
【解決手段】基板Ｇの搬送路２と、前記搬送路を搬送される前記基板の前端から後端にわたり現像液Ｄを液盛りする第一の現像ノズル１０と、前記基板の処理に係る情報を取得する基板情報取得手段２０と、前記第一の現像ノズルの下流側に搬送路に沿って移動可能に設けられた第二の現像ノズル１３と、前記第二の現像ノズルを移動させるノズル移動手段１４と、前記第二の現像ノズル及び前記ノズル移動手段の駆動を制御する制御手段２５とを備え、前記制御手段は、前記基板情報取得手段から得られた情報に基づき、前記ノズル移動手段を駆動し、前記搬送路上における所定位置に前記第二の現像ノズルを移動させ、前記第二の現像ノズルから前記基板に現像液を供給する。 （もっと読む）

【課題】長期間にわたって現像槽内の現像促進手段を交換せずとも安定した現像処理が可能であり、メンテナンスにかかる時間的・労力的負担を軽減した平版印刷版用現像処理装置を提供することである。
【解決手段】処理される版材が平版印刷版であるか捨て版であるかの情報を受信する手段と、現像槽内の現像促進手段が捨て版の版面と接触しないように現像促進手段を退避させる手段とを備えた平版印刷版用現像処理装置。 （もっと読む）

【課題】現像液貯留タンク内に浮遊する不純物を効果的に除去する。
【解決手段】現像液を処理する現像液処理装置１０は、現像処理に使用された現像液を貯留する現像液貯留タンク５０と、現像液貯留タンク５０内の現像液に浮遊し、上部の現像液を吸引する現像液吸引装置５１と、現像液吸引装置５１により吸引された現像液を濾過する現像液濾過装置５２と、を有する。現像液吸引装置５１は、フロート部材６０と、フロート部材６０に接続された現像液吸引部材６１を有する。 （もっと読む）

【課題】 アルカリ現像装置に付着したレジストを迅速に、効率良く除去する。
【解決手段】 ケイ酸類と炭酸塩とを含有し、界面活性剤を含まず、ｐＨが７以上であるレジスト除去剤であり、さらに、アルコール類、アミン類の少なくとも一種を含有することができる。特に、アルカリ現像装置に付着したレジストを迅速に除去できるうえ、半導体基板上のレジスト除去にも適用できる。ケイ酸類と炭酸塩を必須成分とし、酸性液ではないため装置の腐食の恐れがなく、また、界面活性剤を含まないため、除去作業時の発泡を防止できる。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの解像不良を引き起こす反応阻害物質を確実に除去することが可能なダマシン構造の半導体装置及びその製造方法の提供。
【解決手段】基板上に、少なくとも第１層間絶縁膜６及び低誘電率膜からなる第２層間絶縁膜４を有し、第２層間絶縁膜上に形成した第１レジストパターン１ａを用いてビアホール９を形成し、アミン成分を含有する有機剥離液で有機剥離処理を行った後、続いて第２層間絶縁膜上に第２レジストパターン１ｂを形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、ウェット処理後、第２レジストパターン下層の第２反射防止膜２ｂを塗布する前に、アニール処理、プラズマ処理、ＵＶ処理又は有機溶媒処理の少なくとも一の処理を行い、露光時にレジスト中で発生する酸の触媒作用を阻害するアミン成分を除去して第２レジストパターン１ｂの解像度の劣化を防止する。 （もっと読む）

【課題】 品質不具合が起こらず、ランニングコストが低く、プロセス管理が容易な現像装置、現像方法、及び現像液循環方法を提供すること。
【解決手段】 １）現像処理が行われる現像槽と、現像液を収容する現像液循環タンクと、前記現像液循環タンク内の現像液を前記現像槽に送る手段と、前記現像槽において現像処理に使用された後の現像液を前記現像液循環タンクに戻す手段とを備える現像液循環系、２）前記現像液を濾液と濃縮液とに分離する限外濾過フィルタ、及び３）前記現像液循環タンクから一部を取り出された現像液を収容する限外濾過濃縮液タンクと、前記限外濾過濃縮液タンク内の現像液を前記限外濾過フィルタに送る手段と、前記限外濾過フィルタにおいて分離された濃縮液を前記限外濾過濃縮液タンクに戻す手段と、前記限外濾過フィルタにおいて分離された濾液を前記現像液循環系に戻す手段とを備える濾液・濃縮液循環系を具備する現像装置。lang=EN-US> （もっと読む）

【課題】 柱状電極を有する半導体装置において、柱状電極を形成するためのドライフィルムレジストからなるメッキレジスト膜を現像する際、膨潤したメッキレジスト膜の急激な収縮を抑制し、且つ、レジスト残渣が発生しにくいようにする
【解決手段】 現像部３２では、メッキレジスト膜２５の非露光部は現像液と接触する表面から膨潤して溶解され、メッキレジスト膜２５に柱状電極形成用の開口部が形成される。この状態では、メッキレジスト膜２５の開口部の底部にレジスト溶解物が残存している。中間処理部３３では、現像液用シャワー４２およびリンス液用シャワー４３から現像液およびリンス液が吹き出され、メッキレジスト膜２５上で吹き出された両液が交差して混合される。これにより、膨潤したメッキレジスト膜２５の急激な収縮を抑制し、且つ、レジスト残渣が発生しにくいようにすることができる。 （もっと読む）