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国際特許分類[G03F7/30]の内容

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【課題】生産性を低下させることなく、基板の外周部にレジスト残渣が発生することを抑制可能な厚膜レジストの現像方法、及び半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】回路素子層の上面に、厚膜レジストを形成する工程と、厚膜レジストを露光する工程と、露光後に、30〜50rpmの範囲内の一定の回転速度で炭化珪素基板を回転させながら、厚膜レジストの上方から現像液を供給することで、厚膜レジストの上面に現像液よりなるパドルを形成し、該パドルにより厚膜レジストを現像して、厚膜レジストに回路素子層の上面を露出する開口部を形成する工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】基板の処理に使用された処理液のうち、回収すべき処理液と排出すべき処理液とが混ざり合うことを確実に抑えられる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置1は、基板Wの現像処理に使用される現像液を吐出するノズル30と、ノズル30から吐出された現像液が流下する基板処理槽10と、基板処理槽10の内部に廃液口431が設けられた配管43と、配管43と並列的に設けられ、現像液の回収と再利用とのために基板処理槽10の内部において回収口421が設けられた配管42と、基板処理槽10の所定部位に設けられ、揺動軸442を中心に揺動することによって、基板処理槽10内に流下した現像液の流出先を配管42と配管43との間で選択的に切り替える揺動部材445を有する現像液流路切替部44と、を備える。 (もっと読む)


【課題】処理液中に含まれるナノオーダーの微小なパーティクルを、効率よく除去する。
【解決手段】現像液ノズル142に現像液を供給する現像液供給装置190は、現像液貯槽201から現像液ノズル142へ現像液を供給するための現像液供給管202と、現像液供給管202に設けられ、現像液供給管202中の現像液に直流電圧を印加する電極212と、電極212に対して、極性反転自在に直流電圧を印加する電源ユニット213と、内部に洗浄液を貯留する洗浄液供給源216と、現像液供給管202に接続され、洗浄液供給源216から現像液供給管202に洗浄液を供給するための洗浄液供給管215と、現像液供給管202における電極213が設けられた位置を通過した洗浄液を、現像液供給管202から排出する廃液管220と、を有している。 (もっと読む)


【課題】処理液中に含まれるナノオーダーの微小なパーティクルを、効率よく除去する。
【解決手段】現像液ノズル142に現像液を供給する現像液供給装置190は、現像液貯槽201と、現像液ノズル142との間に設けられた中間貯槽203と、現像液に直流電圧を印加する電極204と、電極204に対して、極性反転自在に直流電圧を印加する電源ユニット205と、中間貯槽203へ洗浄液を供給する洗浄液供給管210と、中間貯槽203から洗浄液を排出する廃液管220と、を有している。電極204は、中間貯槽203に設けられている。 (もっと読む)


【課題】有機溶媒を含有する後処理液で後処理する工程を有しない現像方法により、優れたインキ着肉性を有する水なし平版印刷版を提供すること。
【解決手段】基板上に、少なくとも感光層または感熱層、およびシリコーンゴム層を有する水なし平版印刷版の現像方法であって、(1)水なし平版印刷版を、下記一般式(I)で表されるエチレングリコール誘導体を95重量%以上含有する前処理液で前処理する工程および(2)前処理後の水なし平版印刷版を水を含む現像液により現像する工程を有し、有機溶媒を含有する後処理液で後処理する工程を有しないことを特徴とする水なし平版印刷版の現像方法。
R−(OCHCH−OH (I)
(上記一般式(I)中、Rは水素原子または炭素数1〜5のアルキル基を示す。nは1〜5の整数を示す。) (もっと読む)


【課題】基板の面内においてレジストパターンの線幅を均一にする。
【解決手段】ウェハW上に現像液Mを供給して、所定のパターンを露光し且つ露光後にポストエクスポージャーベーキングしたウェハWのレジスト膜を現像処理する方法であって、ポストエクスポージャーベーキング前後のウェハWのレジスト膜の膜厚を測定し、ポストエクスポージャーベーキングの前後に測定されたレジスト膜の膜厚差に基づいて、ウェハ上のパターンのショットごとに現像条件を設定し、設定された現像条件に基づいて、各ショットごとに霧状の現像液Mを供給する量及び現像時間を調整して、現像処理後のレジストパターンの線幅を調整する (もっと読む)


【課題】基板上のレジスト膜を高精度で現像しつつ、当該レジスト膜にレジストパターンを適切に形成する。
【解決手段】現像処理装置30は、ウェハWを収容して処理する処理容器110と、ウェハWを保持して回転させるスピンチャック140と、ウェハW上に有機溶剤を含有する現像液を供給する現像液ノズル160と、ウェハW上にリンス液を供給するリンス液ノズル164と、処理容器110内に酢酸ブチルガスを供給する処理ガス供給部122と、処理容器110内に窒素ガスを供給するパージガス供給部126と、処理容器110内の酢酸ブチルガスの濃度を測定する濃度測定器130と、処理容器110内のガス濃度を所定の濃度に制御する濃度制御部131と、処理容器110から流出した酢酸ブチルガスを再度処理容器110内に供給して循環させるガス循環部151と、を有する。 (もっと読む)


【課題】低インパクトでの現像を可能にすると共に、現像時間の短縮及び現像精度の向上が図れ、かつ、回路パターン部に残渣するスカムの除去効果の向上が図れるようにした超音波現像処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】露光処理された基板Gの回路パターンP表面に現像液を接触例えば液盛りさせて、現像処理を行う現像処理において、現像液が接触した状態にある基板の回路パターンの近傍の該基板側面に発振面7bが当接される超音波振動子7Bと、該超音波振動子の高周波駆動電源31とを具備する。基板表面に現像液を液盛りした後、基板の回路パターンの近傍の該基板側面に超音波振動子の発振面を当接した状態で、超音波振動子より発生する超音波振動が回路パターン上の現像液に伝播しながら現像処理を行う。 (もっと読む)


【課題】パターン形成装置と塗布現像装置との間における基板の搬送スループットの向上に有利となるパターン形成装置および塗布現像装置を提供する。
【解決手段】このパターン形成装置は、隣設される塗布現像装置との間で基板の受け渡しを実施する。パターン形成装置側の第1制御部は、基板に対してパターン形成処理を開始するに際し、第1搬送ハンド35の動作を開始させたとき、またはその後、塗布現像装置側の第2制御部に対して、新たな基板の受け渡し動作を予告する第1信号(S41−2)を送信して予め第2搬送ハンド52の動作を開始させ、第2搬送ハンド52の動作中に、第2搬送ハンド52の動作を要求する第2信号(S41−4)を送信する。 (もっと読む)


【課題】比較的簡単な操作でかつ工業的に有利にTAAH含有廃液を再生処理し、高純度のTAAH水溶液を効率良く製品として回収することができるTAAH含有廃液の再生処理方法を提供する。
【解決手段】水酸化テトラアルキルアンモニウム(TAAH)含有廃液の中和工程1と、この中和工程で得られた中和処理液を、陽イオン交換膜4で陽極室5と陰極室6とに区画された電解槽2で電気分解する電解工程とを有し、電解槽の陰極室側から高純度の製品TAAH水溶液を回収するTAAH含有廃液の処理方法であり、中和処理液の濁度(JIS K0101測定法)を5000ppm以下に管理すると共に、陽極室内を循環する陽極循環液の流速(線速度)を1.5×10-3〜25×10-3m/秒の範囲内に維持し、また、陰極室側からTAAH濃度15〜30質量%の製品TAAH水溶液を回収する水酸化テトラアルキルアンモニウム含有廃液の再生処理方法。 (もっと読む)


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