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国際特許分類[G03F7/30]の内容

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【課題】ローディング効果により現像後にレジストに形成されるレジストパターンと設計上のパターンとのズレを軽減すること。
【解決手段】現像液により溶解される前記レジスト膜の反応表面に形成された複数の凹上のパターン形状における単位面積当たりの現像液の浸透流を示すフラックスを、前記パターン形状のサイズに応じて前記レジスト膜の反応表面の前記フラックスが変わることを示す関係式に従って、前記パターン形状の前記基板の面方向の長さ、および前記パターン形状の前記基板の厚さ方向の長さに基づき求め、前記フラックスに基づき、前記レジスト膜の反応表面の現像液の濃度を求め、前記複数のパターン形状が形成されている前記レジスト膜に対して前記マスクパターンが描画されて現像された場合、前記レジストに形成されるレジストパターンの形状を前記現像液の濃度に基づき求めることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】レジスト現像装置などの液体供給装置では、実際に基体に供給される液体の温度変動が、処理の安定性を阻害する要因になっていた。
【解決手段】本発明のレジスト現像装置1は、恒温状態に制御された現像液11を貯留する密閉型の貯留部4と、この貯留部4に貯留された現像液11を供給すべき被処理基板6を保持する保持部8と、貯留部4の内部から当該貯留部4の外部へと導出するように配管されるとともに、当該導出部分が保持部8に臨む位置まで配管され、この保持部8に保持された被処理基板6に向けて貯留部内の現像液11を供給する供給管5と、この供給管5の配管途中に付属して設けられた付属部材としての開閉弁15とを備え、この開閉弁15が貯留部4の内部に配置された構成となっている。 (もっと読む)


【課題】一のロットAの基板と後続の他のロットBの基板との間で、第2の加熱ユニットの加熱処理温度を変更する場合に、スループットの向上を図ること。
【解決手段】温調ユニットCPL2、塗布ユニットBCT、加熱ユニットLHP2、温調ユニットCPL3、塗布ユニットCOT、加熱ユニットLHP3、冷却ユニットCOLの順にウエハWを搬送する場合に、ロットAの最後のウエハA10を加熱ユニットLHP3にて処理した後、当該ユニットLHP3の加熱温度を変更し、前記ロットBの先頭のウエハB1が温調ユニットCPL3に搬送された搬送サイクルの次の搬送サイクルから、当該先頭のウエハB1に続く加熱ユニットLHP2にて加熱処理されたウエハBを退避ユニットBF2に順次満たしていき、また加熱ユニットLHP3の温度変更後においては、前記退避ユニットBF2内のウエハBを順次下流側のモジュールに搬送するようにウエハを搬送する。 (もっと読む)


【課題】処理ユニットの設置スペースを小さくして、装置の小型化を図ると共に、基板の処理時間の短縮化及び搬送時間の短縮化によりスループットの向上を図れるようにすること。
【解決手段】ウエハWを加熱するための加熱部50を形成する熱板51と、熱板51の下方に配設され、ウエハを冷却するための冷却部40を形成する冷却プレート41と、上下に配設された加熱部50及び冷却部40と対向する位置に配設され、ウエハWに対して処理液の液膜を形成する複数の現像処理部60と、冷却部40及び現像処理部60に対してウエハWを搬入又は搬出するためのメインアームA1と、メインアームA1から受け取ったウエハWを冷却部40に受け渡すと共に、加熱部50に近接する位置に移動する昇降可能な支持ピン80とを具備する。 (もっと読む)


【課題】レジストが塗布され、露光された後の基板を現像するにあたり、安定して基板に現像液を供給すること。
【解決手段】基板を保持する基板保持部を介して前記基板を鉛直軸の周りに回転させながら、第1の現像液ノズルから現像液を帯状にかつその帯状領域の一端側が基板の中央に向くように基板の表面における中央部及び周縁部の一方に供給し、現像液の供給位置を移動させることにより、基板の表面に現像液の液膜を形成する工程と、前記現像液の液膜の乾燥を防止するために、第2の現像液ノズルから前記基板の中心部に円形状または第1の現像液ノズルから供給される現像液よりも長さが短い帯状に現像液を供給すると共に前記基板保持部を介して基板を鉛直軸の周りに回転させて、その現像液を遠心力により基板の周縁部に展伸させる工程と、を実施して、処理に応じて現像液ノズルを使い分ける。 (もっと読む)


【課題】レジストが塗布され、露光された後の基板を現像するにあたり、安定して基板に現像液を供給すること。
【解決手段】基板保持部を各々備えた複数の現像処理部と、これら複数の現像処理部に共通に設けられ、前記基板保持部に保持された基板の表面に現像液を帯状に供給するための第1の現像液ノズルと、各現像処理部にて第1の現像液ノズルから吐出された現像液の帯状領域の一端側が基板の中央に向いた状態で、基板の表面全体に現像液の液膜を形成するため、現像液の供給位置を基板の表面における中央部及び周縁部の一方から他方に移動するように第1の現像液ノズルを移動させる駆動機構と、第1の現像液ノズルにより現像液の液膜が形成された基板の中心部に、円形状または前記帯状領域よりも長さが短い帯状に現像液を供給する第2の現像液ノズルと、を備える現像装置を構成し、工程に応じてノズルを使い分ける。 (もっと読む)


【課題】基板表面上に吐出された処理液の滞留を防止し基板全面における処理の均一化を有効に達成できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】スプレーパイプ部22と、スプレーパイプ部22の長手方向に一列に互いに近接して形設され処理液をその吐出口26から基板Wの表面102へ吐出する複数のノズル部24から構成される複数のスプレーノズル14とを備える基板処理装置において、基板Wの表面102に対する複数のノズル部24の吐出口26の対向角度を、水平姿勢で搬送される基板Wの表面102の基板搬送方向Xに関して交差する方向における中央部付近から両端部付近にかけて、鉛直線に対して漸次大きくなるように、複数のノズル部24を複数のスプレーパイプ部22に形設することにより、基板Wの表面102上において吐出後の処理液の積極的な液流れを発生させる。 (もっと読む)


【課題】横方向に一列に配置された基板保持部を備えた複数の液処理部と、これら液処理部に対して共用化された処理液ノズルと、を備えた液処理装置において、前記処理液ノズルからの基板への処理液の落下を抑え、歩留りの低下を防ぐこと。
【解決手段】横方向に一列に配列された複数のカップ体の開口部間において処理液ノズルの移動路の下方側に、移動手段により移動する処理液ノズルから垂れた前記処理液の液滴に接触して、その液滴を処理液ノズルから除去するための液取り部が設けられている。従って、処理液ノズルが基板に処理を行うために待機部と各液処理部とを移動するにあたって、基板上への処理液ノズルからの前記液滴の落下を防ぐことができる。その結果として歩留りの低下を抑えることができる。 (もっと読む)


【課題】ドライフィルムレジストを、均一に薄膜化することが可能なドライレジストの薄膜化処理方法を提供する。
【解決手段】ドライフィルムレジストが貼り付けられた基板5の該ドライフィルムレジストを処理液で処理する工程1、その後に、表面の不用なドライフィルムレジスト分を除去する工程2とからなるドライフィルムレジストの薄膜化処理方法において、処理液で処理する工程がディップ方式7による工程であり、処理液で処理する工程終了から除去する工程開始までの時間が6秒以下であるドライフィルムレジストの薄膜化処理方法。 (もっと読む)


【課題】塗布、現像装置のスループットの低下を抑えると共に装置の設置面積を抑えることができる技術を提供すること。
【解決手段】液処理系の単位ブロック群と、この単位ブロック群のキャリアブロック側に配置された第1の加熱系のブロックと、前記液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された第2の加熱系のブロックと、を備えるように処理ブロックを構成し、液処理系の単位ブロック群は、反射防止膜及びレジスト膜を形成する前段処理用の単位ブロックを二重化したものと、上層膜を形成し、露光前に洗浄を行う後段処理用の単位ブロックを二重化したものと、現像処理を行う単位ブロックとを含むように構成し、第1の加熱系のブロックは、レジスト塗布後及び現像後の基板を加熱し、第2の加熱系のブロックは、露光後現像前、反射防止膜形成後及び上層膜形成後の各基板を加熱する。 (もっと読む)


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