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国際特許分類[G03F7/30]の内容

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【課題】フォトレジストの現像工程において、半導体ウエハの裏面への汚れの付着を防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハ(半導体ウエハ)の表面に塗布されたフォトレジストを現像した後(ステップS11)、ウエハが回転している状態で、フォトレジストに第1のリンス液を吐出しながら、ウエハの裏面に第2のリンス液を吐出することにより、フォトレジストとウエハの裏面とを洗浄する(ステップS12、S13)。その後、ウエハが回転している状態で、第1のリンス液の吐出と第2のリンス液の吐出とを停止させて(ステップS14、S15)ウエハを乾燥させた後、ウエハの回転加速度を制御しながら、ウエハの回転を減速して停止させる(ステップS16)。 (もっと読む)


【課題】基板裏面に付着したゴミに起因する露光時のミスアライメントを防止し、基板処理面から発生した溶解生成物などや汚れが基板裏面を汚染することを防止する。
【解決手段】基板Gを回転可能に保持する回転基台2と、回転基台と共に回転可能で、回転基台に保持された基板の外周部を囲み、基板の表面上から連続する液膜を形成するための助走ステージ3と、基板と一定の隙間を有して対向する平面を有する平面部4と、基板の表面に沿って移動して、基板に対する現像液の供給と吸引を同時に行うノズルヘッド5とを設ける。平面部は、基板裏面と一定の隙間を有して保持され、隙間に液体を供給する複数の液体供給孔40と、複数の液体供給孔の間に挟まれるように設けられ、液体を吸引排出するための吸引排出孔41とを備える。液体供給孔及び吸引排出孔に接続される管路42a,42bに介設される流路開閉バルブV1,V2を制御部65により開閉制御する。 (もっと読む)


【課題】基板を回転させながら、液処理を行う液処理装置において、ミストやパーティクルの流出を抑え、且つ排気ポートから排気するための排気流量を抑えることができる技術を提供すること。

【解決手段】基板の回転により基板上の液を振り切るときには、外カップの下縁部をベース部の上方の第1の高さ位置に位置させ、装置が待機状態にあるときには前記外カップの下縁部の下方側から外部の気体を排気空間に流入させるために当該下縁部を第1の高さ位置よりも高い第2の高さ位置に位置させる昇降部と、前記処理液を案内するために、前記外カップの下縁部から内側に下向きに傾斜しながら伸び出す傾斜面部とを備えるように液処理装置を構成する。スピンチャックが回転しているときに前記排気空間の気体が外カップの下縁部に回り込んでベース体との間から外カップの外にミストやパーティクルが流出することが抑えられる。 (もっと読む)


【課題】低コストで、タクトタイムの短縮が可能な導電パターンの形成方法及びこれに用いる組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の導電パターン形成方法によれば、AlN粉末、ガラスフリット及び溶剤を含むペーストを基板上に塗布する塗布工程と、塗布された前記ペーストを乾燥し、乾燥塗膜を形成する乾燥工程と、レーザー光の照射により、前記乾燥塗膜に導電パターンを描画するレーザー描画工程と、前記乾燥塗膜のうち、前記レーザー光の未照射部分を、現像液を用いて除去する現像工程とを含むことを特徴とする (もっと読む)


【課題】現像液に流速がある場合の濃度変化を考慮し、現像モデル式に組み込むことで、現像方法の違いや、現像液の不均一性によるレジスト寸法の違いを正確に表し、現像条件の最適化に適用し、レジストパターンを形成する方法を提供する。
【解決手段】現像シミュレーション工程では、電子線描画後のレジスト膜中の蓄積エネルギー分布を計算し、その分布に対応した現像後のレジストパターン形状を予測する現像シミュレーションを行うことによって現像後のレジストパターン形状を推定し、レジストパターン形状が最適となるように現像条件を決定する。現像工程では、電子線描画後の基板を現像液を用いて予め定められた前記の現像条件で現像する。 (もっと読む)


【課題】低温の処理液を用いた処理処理において、処理液ノズルの結露の発生を防止し、処理を基板面内で均一に行う。
【解決手段】現像処理装置1は、基板を保持する保持部材と、基板上に現像液、リンス液、処理液を供給する複合ノズル体42と、保持部材上から退避した複合ノズル体42を待機させるノズルバス44とを有している。ノズルバス44内には、複合ノズル体42の先端部が収容される。ノズルバス44は、待機中の複合ノズル体42を挟んで設けられ、当該複合ノズル体42においてノズルバス44から露出した露出部を覆うように水平方向に延伸する一対のパージガスノズル93、93を有している。一対のパージガスノズル93、93は、複合ノズル体42の露出部に対して水分を含まないパージガスを供給する。 (もっと読む)


【課題】高いスループットが得られる現像装置を提供すること。
【解決手段】処理雰囲気を形成する気密な処理容器と、この処理容器内に搬入された基板の表面に現像液を結露させて液膜を形成するために、当該処理容器内に現像液のミストを供給する雰囲気ガス供給部と、前記液膜による現像を停止するために基板を乾燥する乾燥部と、を備えるように現像装置を構成する。現像液とレジストとの反応を停止させることができるので、洗浄モジュールによる洗浄処理と並行して現像処理を行うことができ、高いスループットが得られる。 (もっと読む)


【課題】基板表面全体に均一性高く現像液の液膜を形成すると共に高いスループットが得られる塗布、現像装置を提供すること。
【解決手段】現像モジュールと、洗浄モジュールと、前記現像モジュールにより現像された基板を前記洗浄モジュールに搬送する搬送機構と、を備え、前記現像モジュールは、処理雰囲気を形成する気密な処理容器と、この処理容器内に設けられ、基板を載置し、冷却するための温調プレートと、前記処理容器内に現像液のミストを含む雰囲気ガスを供給する蒸気供給部と、前記温調プレートを、前記蒸気が基板上に結露する温度に調整するための温度調整部と、を備えるように塗布、現像装置を構成する。現像モジュールと洗浄モジュールとで並行して処理を行えるので、高いスループットが得られる。 (もっと読む)


【課題】低温の現像液を用いた現像処理を基板面内で均一に行い、基板上に所定のパターンを適切に形成する。
【解決手段】先ず、冷却装置において、15℃に温度調節された冷却板に基板を載置して冷却する(ステップS1)。その後、現像装置において、3℃のリンス液を基板に供給して、基板を冷却する(ステップS2)。その後、基板上に3℃の現像液を供給し、基板上のレジスト膜を現像して当該レジスト膜にレジストパターンを形成する(ステップS3)。その後、基板上に3℃のリンス液を供給して、基板の表面を洗浄する(ステップS4)。その後、基板上に3℃の処理液を供給して、基板のレジストパターン上のリンス液の表面張力を低下させる(ステップS5)。 (もっと読む)


【課題】 基板現像工程を行うための装置が開示される。
【解決手段】 基板を支持するための基板支持部の互いに向い合う両側には現像ノズルを洗浄するための第1洗浄タンクと第2洗浄タンクを配置することができる。前記現像ノズルは前記第1洗浄タンクから前記第2洗浄タンクに向う水平方向に移動することができ、前記基板の上部面上に現像液を供給することができる。前記現像液を供給した後、前記現像ノズルは、前記第2洗浄タンクに収容されることが可能であり、前記現像ノズルについている現像液は前記第2洗浄タンク内で洗浄液によって除去することができる。 (もっと読む)


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