【課題】有機反射防止膜の上に形成されたフォトレジストの現像処理において、フォトレジストと現像液との反応で生じる反応生成物を、短時間でレジストパターンを損傷することなく適切に除去する。
【解決手段】フォトレジストの現像処理は、現像液を用いた現像及び現像液の除去を行う第１工程と、第１工程後に、現像液を用いた現像及び現像液の除去を行う第２工程とを含み、第２の工程によって、上記レジストパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】主表面に設けられる凹凸パターンが微細であったとしても、所定の幅を有する凹部を設計通り形成するモールドの製造方法及びレジスト処理方法を提供する。
【解決手段】凹凸からなるレジストパターンを処理するレジスト処理方法において、前記レジストパターンにおける凹部の開口部の幅が所定の幅より小さく形成されたレジストパターンを削ることにより前記レジストパターンの凹部の幅を拡大させるレジストパターン凹部幅拡大工程を有し、前記凹部幅拡大工程は、前記レジストパターンにおける凹部の開口部の幅を、前記所定の幅と実質的に同一の幅へと拡大する第１工程と、前記レジストパターンにおける凹部の主表面の部分を実質的に厚さ方向に向けて削ることによって、前記レジストパターンの凹部の幅を前記開口部の幅と実質的に同一とする第２工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板処理装置に関する。
【解決手段】本発明の実施例によると、第１外壁で取り囲まれ、処理液を噴射する上部チャンバと、上部チャンバの下部に形成され、第２外壁で取り囲まれており、第２外壁に平行に離隔されるように形成された隔壁を含み、上部チャンバから噴射された処理液を回収する下部チャンバと、上部チャンバと下部チャンバとの間に形成され、基板を進行方向に沿って移送する基板移送部と、を含み、下部チャンバの第２外壁間の幅が上部チャンバの第１外壁間の幅より大きい基板処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】長期間の使用によるセッターと樹脂凸版との粘着力低下を抑制し、長期間安定して現像することのできる保護材およびそれを用いた現像方法を提供すること。
【解決手段】現像機に樹脂凸版を保持するセッターに貼り付けられる保護材であって、セッターの樹脂凸版を保持していない部分の少なくとも一部に貼り付けられる、厚みが０．０５ｍｍ以上である保護材およびそれを用いた樹脂凸版の製造方法。 （もっと読む）

【課題】実施形態によれば、溶解生成物の凝集を抑制できる薬液処理方法及び薬液処理装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、薬液処理方法は、被処理膜が形成された基板上に薬液を供給する工程を備える。また、薬液処理方法は、薬液が供給された基板上に第１のリンス液を供給しつつ、基板上における薬液と第１のリンス液との混合液を吸引して、被処理膜が薬液に溶解して生じ混合液中に含まれるパーティクルのサイズ及び数を測定する工程を備える。また、薬液処理方法は、測定の結果に基づいたタイミングで、第１のリンス液の供給を停止して基板上に第２のリンス液を供給する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】装置構成の複雑化やこれに伴うコスト増大等を抑制しつつ、保温ジャケットで覆われていない配管露出部分での現像液の温度変動を抑制する。
【解決手段】現像液供給管と、前記現像液供給管を被覆し、内部に恒温制御媒体が流れている温度保持部と、を備えたレジスト現像装置において、前記現像液供給管は、前記温度保持部に覆われた被覆部と、前記温度保持部に覆われていない露出部とを有する。そして、前記温度保持部には、前記恒温制御媒体を前記露出部に導く導出部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンを所望の寸法に制御すると共に、欠陥の低減をはかり得る現像処理方法及び現像処理装置を提供することである。
【解決手段】所望のパターンが露光されたレジストを現像処理するための現像処理方法であって、レジスト膜１１にデバイスパターンと共にモニタパターン３０を露光しておき、モニタパターン３０を第１の現像条件で現像し、現像されたモニタパターン３０を検査して得られる検査画像から欠陥出現リスクを定量化する。これと共に、予め取得された欠陥出現リスク情報と欠陥数、及び欠陥数と現像条件の関係から、定量化された欠陥出現リスクの際に欠陥数が許容値以下となる第２の現像条件の許容範囲を決定する。そして、第２の現像条件の中でパターン寸法が所望の値となる第３の現像条件を決定し、該決定した第３の現像条件で前記デバイスパターンの現像を行う。 （もっと読む）

【課題】生産性を低下させることなく、基板の外周部にレジスト残渣が発生することを抑制可能な厚膜レジストの現像方法、及び半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】回路素子層の上面に、厚膜レジストを形成する工程と、厚膜レジストを露光する工程と、露光後に、３０〜５０ｒｐｍの範囲内の一定の回転速度で炭化珪素基板を回転させながら、厚膜レジストの上方から現像液を供給することで、厚膜レジストの上面に現像液よりなるパドルを形成し、該パドルにより厚膜レジストを現像して、厚膜レジストに回路素子層の上面を露出する開口部を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）