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国際特許分類[G03F7/38]の内容

国際特許分類[G03F7/38]に分類される特許

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【解決手段】一般式(1)で表される繰り返し単位を含有し、重量平均分子量が1,000〜500,000の範囲である高分子化合物を含むレジスト保護膜材料。


(式中、R4〜R6はフッ素化1価炭化水素基を示す。)
【効果】本発明により、高撥水性かつ高滑水性の含フッ素環状アセタールを含む繰り返し単位を有するレジスト保護膜材料が提供される。 (もっと読む)


【課題】高解像性で、且つ溶出が抑制されたのネガ型パターンを形成できるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】基材成分、光塩基発生剤成分及び酸供給成分を含有するレジスト組成物を支持体上にスピンコート法により塗布してレジスト膜を形成する工程(1)、レジスト膜にプレベークを行わず、レジスト膜を露光する工程(2)、工程(2)の後にベークを行い、レジスト膜の露光部において、露光により光塩基発生剤成分から発生した塩基と、酸供給成分に由来する酸とを中和させ、レジスト膜の未露光部において、酸供給成分に由来する酸の作用により、基材成分のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程(3)及びレジスト膜をアルカリ現像し、ネガ型レジストパターンを形成する工程(4)とを含み、工程(1)の塗布工程において、レジスト液を基板に供給後の回転時間が50秒以上であることを特徴とするレジストパターン形成方法。 (もっと読む)


【課題】孔径について現像時間依存性を低く抑えながら、真円性に優れる微細な孔径(例えば、60nm以下)のホールパターンを形成可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】(P)下記一般式(I)で表される繰り返し単位(a)を有する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物、及び、(C)窒素原子を有し、かつ活性光線又は放射線の照射により変化しない塩基性化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分に対する前記化合物(C)の含有量が1.0質量%以上であり、かつ前記化合物(C)の前記化合物(B)に対するモル比率[C]/[B]が0.40以上である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
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【課題】感度、ラフネス特性及び露光ラチチュードに優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、この組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、(A)酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂と、(B)活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物であって、下記一般式(1−1)により表される化合物とを含有している。
【化1】
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【課題】現像欠陥の発生を抑制できるパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】パターン形成方法は、基板1上にレジストパターンとなるレジスト膜2を形成する。レジスト膜2に第1の光6を照射してレジスト膜2に対してパターン露光を行う。前記レジストパターンを形成するために、前記パターン露光を行ったレジスト膜2に対して現像を行う。前記現像を行う時における欠陥の発生を抑制するために、前記パターン露光を行った後、かつ、前記現像を行う前に、前記パターン露光を行ったレジスト膜2に第2の光10を照射してレジスト膜2の表面に対して改質処理を行う。 (もっと読む)


【課題】高感度な化学増幅型レジストとして有用な新規な酸分解性をもつ重合性単量体、これを用いて重合または共重合された重合体、およびそれを用いたレジストおよびそのパターン形成方法の提供。
【解決手段】下記一般式(1)で表される重合性単量体、およびその重合体。


(式(1)中、R〜R14は、水素、炭化水素基。) (もっと読む)


【課題】浸漬フォトリソグラフィのための新規な組成物及びプロセスを提供する。
【解決手段】(a)基体の上にフォトレジスト組成物を適用する工程、(b)適用したフォトレジスト組成物を流体組成物で処理する工程、並びに(c)フォトレジスト層を、フォトレジスト組成物を活性化する放射線に浸漬露光する工程を含む、フォトレジスト組成物の処理方法。 (もっと読む)


【課題】IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにはその他のフォトアプリケーションのリソグラフィー工程に好適に使用され、特にネガ型現像技術において、ラインエッジラフネス、スカムやマイクロブリッジ等の欠陥の発生の無い微細なレジスパターン形成方法を提供することを課題としている。

【解決手段】露光により発生した酸の作用により有機溶剤に対する溶解度が減少する感放射線性組成物を、下記条件(1)を満足するフィルターを通過させた組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光し、有機溶剤を含有する現像液を用いて現像する工程、を含むことを特徴とするパターン形成方法である。
条件(1):フィルターの臨界表面張力が70dyne/cm以上であり、かつ荷電修飾されていない。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】半導体ウエハSW上に被加工膜1を形成し、被加工膜1上に反射防止膜2を形成し、反射防止膜2上にレジスト層3を形成してから、レジスト層3の液浸露光、現像およびリンス処理を行うことで、レジストパターン3aが形成される。その後、レジストパターン3aをエッチングマスクとして、反射防止膜2および被加工膜1を順次エッチングする。レジスト層3の現像工程では、レジスト層3が現像処理によって除去された部分から反射防止膜2が露出する。現像後のリンス処理を行う際に、レジスト層3から露出する反射防止膜2の表面の撥水性が、レジスト層3の表面3bの撥水性と同等以上である。 (もっと読む)


【課題】レジスト膜の面方向における断面形状に関して整形性が良好な(変形度が低い)コンタクトホールを形成できるパターン形成方法、並びに、これを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】(1)基板上に、(A)化学増幅型レジスト組成物によって、レジスト膜を形成する工程、(2)露光して、ラインアンドスペースの潜像を形成する工程、(3)第1の加熱処理を行う工程、(4)第2のラインアンドスペースの潜像を、前記第1のラインアンドスペースの潜像におけるライン方向と交差するように形成する工程、(5)第2の加熱処理を行う工程、及び、(6)前記第2の加熱処理が行われたレジスト膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像を行う工程を、この順で有するパターン形成方法、並びに、このパターン形成方法を用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。 (もっと読む)


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