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国際特許分類[G03F7/38]の内容

国際特許分類[G03F7/38]に分類される特許

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【課題】本発明は、ドライフィルムレジストを、均一に薄膜化することが可能なドライレジストの薄膜化処理方法を提供するものである。
【解決手段】ドライフィルムレジストが貼り付けられた基板の該ドライフィルムレジストを処理液で処理する工程、その後に、表面の不要なドライフィルムレジスト分を除去する工程からなるドライフィルムレジストの薄膜化処理方法において、表面の不要なドライフィルムレジスト分を除去する工程の前に、処理液よりも高濃度のカリウム塩水溶液で処理することを特徴とするドライフィルムレジストの薄膜化処理方法。 (もっと読む)


【課題】化学増幅レジストの性能を引き出すことにより、高い解像性能と良好なパターン品質を有するレジストパターン付基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に塗布したレジストに、順次ベーク処理(PAB処理)、パターン露光処理、露光後ベーク処理(PEB処理)、及び現像処理を施してレジストパターンを形成するレジストパターン付基板の製造方法であって、試験用の複数のレジスト付基板に第1のベーク処理をし、第1の減膜処理をしてその残膜率が所定の値以上になる場合の温度及び時間の条件を求め、これをPAB処理の条件とし、他の試験用の複数のレジスト層付基板に前記第1の減膜処理で最高の残膜率のときの温度及び時間の条件で第1のベーク処理をした後に第2のベーク処理をし、第2の減膜処理をしてその残膜率が所定の値以上になる場合の温度及び時間の条件を求め、これをPEB処理の条件とする。 (もっと読む)


【課題】液浸露光時に於ける液浸液に対する後退接触角の更なる改善及びウォーターマーク欠陥の低減が可能な液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】(A)酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(C)フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂、及び、(D)下記一般式(S1)〜(S3)で表される群より選択される少なくとも1種の溶剤を全溶剤中3〜20質量%含有する混合溶剤、を含有することを特徴とする液浸露光用ポジ型レジスト組成物。
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【課題】塗布欠陥及びパターン欠陥等の欠陥の発生を減少させることのできるリソグラフィー用レジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】リソグラフィー用レジスト組成物の製造方法であって、少なくとも、リソグラフィー用レジスト組成物をフィルターでろ過する工程を含み、該ろ過工程において、前記フィルターが設置されている容器内を減圧下に保持した後、前記フィルターに前記リソグラフィー用レジスト組成物を通過させることを特徴とするリソグラフィー用レジスト組成物の製造方法。 (もっと読む)


【解決手段】ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位含有高分子化合物及び酸発生剤又はヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位と露光により酸を発生する繰り返し単位含有高分子化合物と、パーフルオロアルキルエーテルカルボン酸のスルホニウム塩又はヨードニウム塩と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後高エネルギー線でレジスト膜を露光し、加熱処理後有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】ヒドロキシ基の水素原子を酸不安定基で置換した繰り返し単位含有高分子化合物と酸発生剤とパーフルオロアルキルエーテルカルボン酸のオニウム塩を含むフォトレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。 (もっと読む)


【課題】本発明の課題は、青画素の透過率低下を抑制でき、高透過率とホワイトバランスを両立できるカラーフィルター基板を得ることである。
【解決手段】上記課題を解決するために、本発明は以下の構成からなる。
透明基板上に、少なくともパターン形状の赤緑青画素、および非パターン形状の透明保護膜を有するカラーフィルター基板において、赤および緑画素の領域は、赤および緑画素上に透明保護膜が形成され、青画素の領域は、透明保護膜上に青画素が積層されていることを特徴とするカラーフィルター基板。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、撥水性、耐溶出性及び溶解性についての特性を満たしつつ、剥がれ耐性及び露光余裕度をバランス良く両立することができる液浸上層膜形成用組成物及びレジストパターン形成方法を提供することである。
【解決手段】本発明は、[A1]下記式(i)で表される基を含む構造単位(I−1)を有する重合体、[A2]上記[A1]重合体と異なる重合体、及び[B]溶媒を含有する液浸上層膜形成用組成物である。下記式(i)中、Rは、炭素数1〜20の(n+1)価の炭化水素基である。nは、1〜3の整数である。[A2]重合体の成膜状態での水との後退接触角は、[A1]重合体よりも大きいことが好ましい。
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【課題】ダブルパターニングプロセスにおいて側壁部形成のための薄膜が堆積される対象構造を有機材料により形成した場合であっても、均一な側壁部を形成する。
【解決手段】基板上にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記フォトレジスト膜をアルカリ性の薬剤に曝す工程と、前記薬剤に曝された前記フォトレジスト膜を露光する工程と、露光された前記フォトレジスト膜を現像する工程とを含むフォトレジストパターン形成方法により上記の課題が達成される。 (もっと読む)


【解決手段】側鎖末端にヘキサフルオロヒドロキシプロピルカルボニルオキシ基を有する(メタ)アクリレート単位を含有し、重量平均分子量が1,000〜500,000の範囲である高分子化合物を含むレジスト保護膜材料。
【効果】上記レジスト保護膜材料は、高撥水性かつ高滑水性性能を有する。そのため水に対する良好なバリアー性能を有し、レジスト成分の水への溶出が抑えられる上、現像欠陥が少なく、現像後のレジストパターン形状が良好な液浸リソグラフィーを実現することができる。 (もっと読む)


【目的】高精度なフォトマスクを実現するフォトマスクの製造方法を提供する。
【構成】荷電粒子ビーム描画装置に、化学増幅型レジストが塗布されたフォトマスクブランクスを搬入し、化学増幅型レジストに荷電粒子ビームを照射してフォトマスクブランクス上の複数の領域にパターンを順次描画し、フォトマスクブランクスを荷電粒子ビーム描画装置から搬出し、複数の領域毎に、描画開始からポストエクスポージャーベークの開始までの経過時間を算出し、複数の領域毎に算出される経過時間に基づき、複数の領域毎のポストエクスポージャーベークのプロセス条件を決定し、プロセス条件を複数の区画毎に変更可能なポストエクスポージャーベーク装置を用い、複数の領域毎に決定されたプロセス条件でポストエクスポージャーベークを行い、化学増幅型レジストを現像することを特徴とするフォトマスクの製造方法。 (もっと読む)


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