【解決手段】（Ａ）酸不安定基で保護された酸性官能基を有するアルカリ不溶性又は難溶性の樹脂であって、該酸不安定基が脱離したときにアルカリ可溶性となるベース樹脂、
（Ｂ）酸発生剤、
（Ｃ）塩基性成分として窒素を含有する化合物
を含有するポジ型である化学増幅型レジスト組成物のレジスト膜を得る工程と、パターン露光する工程と、現像する工程と、更に現像により得られたパターンの線幅を１０％以上変化させない範囲で加熱によるパターン形状補正を行う工程を含むパターン形成方法において、上記組成物は、酸不安定基で保護された酸性官能基を有する分子量８００以下の軟化促進剤を２．５〜２０質量％で含有する組成物であるレジストパターン形成方法。
【効果】本発明のレジストパターン形成方法では、現像により得られたパターンを熱変形させて、パターンの線幅を１０％以上変化させない範囲でレジストパターン形状の微細な荒れの修正を安定して行える。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト層を純水で現像することができる親水性モノマー、およびそれを含む親水性フォトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】特定の４官能基からなる親水性アクリレートモノマーおよび親水性樹脂は、それぞれ、純水に溶解出来、親水性フォトレジスト組成物を基板表面にスピンコーティングしてフォトレジスト層を形成し、フォトレジスト層を純水で現像することができ、塩基性の現像溶媒の使用により、環境汚染、またフォトリソグラフィに費用がかかるという従来技術の欠陥を克服出来る。 （もっと読む）

【課題】半導体工程のフォトレジストのコンタクトホールパターンの大きさを効率よく減少することによって、微細なフォトレジストパターンを形成することのできる水溶性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記の（式１）のように表示される水溶性重合体および第１水溶性溶媒を含み、コンタクトホールパターンが形成されているフォトレジスト膜上に塗布および熱処理することによって、前記コンタクトホールの大きさを減少させる水溶性樹脂組成物。
（もっと読む）

【課題】感度、残膜率、保存安定性に優れた、ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法であって、硬化させることにより耐熱性、密着性、透過率などに優れる硬化膜が得られる、ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法を提供すること。
【解決手段】解離性基が解離することで、カルボキシル基を生じる特定のアクリル酸系構成単位とカルボキシル基と反応して共有結合を形成し得る官能基を有する構成単位を含有し、アルカリ不溶性若しくはアルカリ難溶性であり、且つ、酸解離性基が解離したときにアルカリ可溶性となる樹脂、分子内に２個以上のエポキシ基を有する化合物、及び、波長３００ｎｍ以上の活性光線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物、及び、それを用いた硬化膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、保存安定性と短時間での低温焼成による硬化を両立し、かつ十分な感度を有する感放射線性樹脂組成物、並びに耐熱性、透過率及び電圧保持率に優れる硬化膜を提供することである。
【解決手段】本発明は、［Ａ］エポキシ基を有する構造単位を含む重合体、［Ｂ］エチレン性不飽和結合を有する重合性化合物、［Ｃ］感放射線性重合開始剤、並びに［Ｄ］シアネート基を有する化合物を含有する感放射線性樹脂組成物である。［Ａ］重合体は、カルボキシル基を有する構造単位をさらに含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ性能を向上するためにフォトレジストパターンを被覆するための組成物、並びに基材上に像を形成するためにこのような被覆用組成物を使用する方法を提供する。
【解決手段】ポジ型化学増幅型レジスト中のフォトレジストパターンを被覆するための水性被覆用組成物であって、前記水性被覆用組成物は、第一級アミン（−ＮＨ２）を含むポリマーを含み、前記水性被覆用組成物は、塩基性でありかつ架橋性化合物を含まず、更に、フォトレジストは、前記アミノ基と反応できるラクトンまたは酸無水物官能基を含むフォトレジストポリマーを含み、更に水性被覆用組成物は、フォトレジストパターンの厚さを増大させるものである。 （もっと読む）

【課題】 1)パターン表面の異物、パターン倒れ、ならびにパターンラフネスの問題を解決することができる、2)レジストパターンを微細化できる、及び3)低塗布量化が可能であるリソグラフィー材料を提供すること。
【解決手段】 下記一般式（１）で表される化合物（例えば、旭化成ケミカルズ株式会社製のペリセア（登録商標））を含むことを特徴とする、レジスト基板用材料およびレジストパターン製造方法。
【化１】


（上記一般式（１）において、Ｒ¹、Ｒ²は水素又は炭化水素基を示し、Ｙはカルボキシル基などを示し、Ｚは−ＮＲ'−（Ｒ'は水素又は炭素数１〜１０の炭化水素基）などを示し、ｊ、ｋは０、１、２のいずれかであり、かつｊ、ｋは同時に０ではなく、ｎは２〜２０の整数を示す。Ｘは分子量１００万以下の炭化水素鎖を示す。） （もっと読む）

【課題】ディスプレイの輝度向上の為にカラーフィルタに設けられる白色画素形成用の密着性の低さから困難であった、透過率の高い感光性白色組成物を密着性を保ちながら提供すること。
【解決手段】基板上に少なくともブラックマトリックス、複数色の着色画素と白色画素を有するカラーフィルタにおいて、前記白色画素を形成する感光性白色組成物が、少なくとも透明樹脂（Ａ）、光重合性モノマー（Ｂ）、光重合開始剤（Ｃ）、体質顔料（Ｄ）、溶剤（Ｅ）からなり、透明樹脂（Ａ）と光重合性モノマー（Ｂ）の質量比率（Ｂ／Ａ）が０．５０〜１．２９の範囲で、かつ光重合性モノマー（Ｂ）と光重合開始剤（Ｃ）の質量比率（Ｃ／Ｂ）が０．２１〜０．８０の範囲である。 （もっと読む）

【課題】 本発明はＳＤＤＰの問題を解消するスペーサ膜の形成方法を提供する。
【解決手段】本方法はテンプレート上に金属酸化物のハードマスクを形成する方法であって、基板上にフォトレジストまたは非結晶性カーボンを与える工程と、式Ｓｉ_ｘＭ_{（１−ｘ）}Ｏ_ｙをもつ材料に構成されるテンプレート上に金属酸化物のハードマスクを原子層成膜により蒸着する工程と、を含み、ここで、Ｍは少なくとも一つの金属元素を表し、ｘはゼロを含む１未満の数であり、ｙは約２または化学量論的に決定される数である。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンサイズを必要以上に変動させることなく、レジストパターンのＬＷＲを改善できるレジストパターン改善化材料、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】下記一般式（１）で表される化合物、及び下記一般式（２）で表される化合物の少なくともいずれかと、水とを少なくとも含有するレジストパターン改善化材料である。
（もっと読む）