説明

国際特許分類[G03F7/40]の内容

国際特許分類[G03F7/40]に分類される特許

41 - 50 / 1,695


【課題】保存安定性に優れ、ドライエッチング耐性及び表面硬度に優れた硬化膜を形成可能な感光性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】(成分A)酸分解性基で保護された酸基を有する構成単位(a1)及びエポキシ基及又はオキセタニル基を有する構成単位(a2)を有し、かつ式(1)で表される構成単位を有しない共重合体、(成分B)光酸発生剤、(成分C)式(1)で表される構成単位を有する重合体、並びに、(成分D)溶剤を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物。R1は水素原子又はメチル基を表し、R2は炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、水酸基又は2,3−エポキシプロポキシメチル基を表し、nは1〜5の整数を表す。
(もっと読む)


【課題】高感度であり、現像寛容度及び硬化膜の透明性に優れる感光性樹脂組成物、並びに、それを用いた硬化膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】(成分A)式(1)又は式(2)で表されるオキシムスルホネート化合物、(成分B)酸により分解しカルボキシル基又はフェノール性水酸基を生成する酸分解性基を有する構成単位を有する樹脂、及び、(成分C)溶剤、を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物。R1はアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、R2はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表し、Ar1はo−アリーレン基又はo−ヘテロアリーレン基を表し、XはO、S又はNR’基を表し、特定のヘテロ原子含有基を表し、R’はアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、nは0又は1を表す。
(もっと読む)


【課題】高感度であり、保存安定性及び硬化膜の透明性に優れ、現像寛容度が広い感光性樹脂組成物、並びに、それを用いた硬化膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】式(1)で表されるオキシムスルホネート化合物、酸により分解しカルボキシル基又はフェノール性水酸基を生成する酸分解性基を有する構成単位を有する樹脂、及び、溶剤を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物。R1はアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、R2はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表し、Ar1はo−アリーレン基又はo−ヘテロアリーレン基を表し、XはO又はSを表し、nは1又は2を表す。2以上存在するR2のうち、少なくとも1つはアルキル基、アリール基又はハロゲン原子である。
(もっと読む)


【課題】溝深さが深いパターンを形成するためのフロン系ガスのドライエッチングに対して高い耐性をもつ熱反応型レジスト材料、それを用いた熱リソグラフィ用積層体及びそれらを用いたモールドの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の熱反応型レジスト材料は、フロン系ガスを用いたドライエッチングに用いる熱反応型レジスト材料であって、主要フッ化物の沸点が200℃以上である元素を少なくとも1種類含んでおり、分解性酸化物材料、分解性窒化物材料、分解性炭化物材料、分解性炭酸化物材料、分解性硫化物材料、分解性セレン化物材料のいずれかを含有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】硬化後の膜の物性が、高温で硬化したものと遜色ない性能が得られる感光性樹脂組成物、該樹脂組成物を用いたパターン硬化膜の製造方法及び電子部品を提供する。
【解決手段】(a)一般式(I):
【化1】


(式中、U又はVは2価の有機基を示し、U又はVの少なくとも一方が炭素数1〜30の脂肪族鎖状構造を含む基である。)で示される繰り返し単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体と、(b)感光剤と、(c)溶剤と、(e)溶解阻害剤とを含有する樹脂組成物を課題の感光性樹脂組成物として用いる。 (もっと読む)


【課題】酸化タングステン膜を水性溶液から形成させるための組成物およびそれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】水溶性メタタングステン酸塩と、アニオン性ポリマー、ノニオン性ポリマー、アニオン性界面活性剤、および3級アミノ基含有ノニオン性界面活性剤から選ばれる少なくとも一種の添加剤と、水とを含んでなる酸化タングステン膜形成用組成物。画像反転三層構造、レジスト層膜、またはレジスト上層保護膜を用いたパターン形成方法において用いられる二酸化ケイ素膜形成用組成物の代わりに、前記酸化タングステン膜形成用組成物を用いてパターンを形成することができる。 (もっと読む)


【課題】溝深さが深いパターンを形成するためのフロン系ガスのドライエッチングに対して高い耐性をもつ熱反応型レジスト材料、それを用いた熱リソグラフィ用積層体及びそれらを用いたモールドの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の熱反応型レジスト材料は、フロン系ガスを用いたドライエッチングに用いる熱反応型レジスト材料であって、主要フッ化物の沸点が200℃以上である元素を少なくとも1種類含み、溶融性複合金属材料、相変化性複合金属材料、酸化性複合金属材料のいずれかを含有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】溝深さが深いパターンを形成するためのフロン系ガスのドライエッチングに対して高い耐性をもつ熱反応型レジスト材料、それを用いた熱リソグラフィ用積層体及びそれらを用いたモールドの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の熱反応型レジスト材料は、フロン系ガスを用いたドライエッチングに用いる熱反応型レジスト材料であって、主要フッ化物の沸点が200℃以上である元素を少なくとも1種類含んでおり、Ti、Fe、Ni、Zr、Nb、Rh、Hf、Ta、Al、Zn、Ga、In、Sn、Sb、Pb、及びBiからなる群から選ばれた元素の不完全酸化物を含有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】エッチング耐性が高く、かつ、解像性及び剥離性に優れた感光性樹脂組成物を用いたガラス加工方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るガラス加工方法は、フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂を含有する感光性樹脂組成物の塗布膜をガラス基板上に形成する塗布膜形成工程と、前記塗布膜を選択的に露光する露光工程と、露光後の前記塗布膜を現像して樹脂パターンを形成する現像工程と、前記樹脂パターンをマスクとして前記ガラス基板をエッチングするエッチング工程と、前記樹脂パターンを剥離する剥離工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】実施形態によれば、リソグラフィの解像限界以下の微細なラインパターンを本数の選択自由度を高めて形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、複数のラインパターン23aを形成する工程と、それぞれのラインパターン23aの側壁に側壁膜26aを形成し、複数のラインパターン23aおよび複数の側壁膜26aを含むパターン列50を形成する工程と、隣り合う側壁膜26a間およびパターン列50の端の側壁膜26aの横の領域60に、スペーサ膜27a、27bを形成する工程と、領域60に形成されたスペーサ膜27bをラインアンドスペースパターンに加工するとともに、側壁膜26aを除去し、ラインパターン23aおよびスペーサ膜27a、27b1、27b2を残す工程とを備えている。 (もっと読む)


41 - 50 / 1,695