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国際特許分類[G03F7/40]の内容

国際特許分類[G03F7/40]に分類される特許

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【課題】非画像部の汚れ防止性に優れた平版印刷版用版面処理剤、及び、平版印刷版の処理方法を提供する。
【解決手段】少なくとも1つの支持体吸着性基と少なくとも1つの親水性基を有する星型ポリマーを含有することを特徴とする平版印刷版用版面処理剤。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の製造方法において、被加工材にパターンを形成するためのマスクの選択比を向上させ、プロセスコストの低減、歩留りの向上を可能とする。
【解決手段】被加工材上に所定パターンの有機膜を形成し、所定パターンの有機膜中に金属元素を導入し、金属元素が導入された所定パターンの有機膜を用いて、被加工材をエッチング処理する。 (もっと読む)


【課題】ハードマスクパターンを用いたドライエッチングで基板の表面に凹凸のパターンを形成する場合に、パターンの側面をボーイング形状にしないで垂直面に近づける。
【解決手段】基板上にハードマスク層を形成する第1工程(S2)と、ハードマスク層を覆う状態でレジスト層を形成した後、レジスト層をパターニングしてレジストパターンを形成する第2工程(S3〜S5)と、レジストパターンをマスクに用いてハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する第3工程(S6)と、ハードマスクパターンをマスクに用いて基板をドライエッチングすることにより、基板に凹凸のパターンを形成する第4工程(S8)と、を含み、第4工程(S8)においては、ハードマスクパターンの後退に寄与するガスを添加したエッチングガスを用いて基板をドライエッチングすることにより、基板のエッチングの進行とともにハードマスクパターンを後退させる。 (もっと読む)


【課題】解像度及びレジスト剥離特性の向上に十分効果のある感光性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】本発明の感光性樹脂組成物は、(A)スチレン又はスチレン誘導体に基づく構造単位と、(メタ)アクリル酸ベンジル又は(メタ)アクリル酸ベンジル誘導体に基づく構造単位と、(メタ)アクリル酸に基づく構造単位と、(メタ)アクリル酸アルキルエステルに基づく構造単位とを有し、分散度が1.0〜2.0であるバインダーポリマー、(B)光重合性化合物、及び、(C)光重合開始剤を含有する。 (もっと読む)


【課題】 基板に溶剤を供給して、パターンマスクの荒れを改善するにあたり、高い面内均一性を確保した状態で、基板に対して溶剤蒸気を供給すること。
【解決手段】蓋体12と基体11とにより構成された処理チャンバ1内において、前記基体11に設けられたステージ21にウエハWを載置し、このウエハWと対向するように、溶剤が吸収された溶剤保持具3を設ける。処理チャンバ1を閉じて、ステージ21上のウエハWを溶剤の露点温度よりも高く、沸点よりも低い温度に加熱すると、溶剤保持具3の全面から溶剤が蒸発し、ウエハWと溶剤保持部3との間に溶剤の飽和蒸気雰囲気が形成される。こうして、ウエハWの表面全体がほぼ同時に溶剤の飽和蒸気雰囲気に曝されるので、基板に対して面内均一性を確保した状態で溶剤蒸気を供給することができる。 (もっと読む)


【課題】銅又は銅合金の上でも変色を起こさない硬化膜を与える感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物を用いてパターンを形成する硬化レリーフパターンの製造方法並びに半導体装置の提供。
【解決手段】(A)ポリイミド前駆体であるポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリオキサゾール前駆体となり得るポリヒドロキシアミド、ポリアミノアミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾイミダゾール、ポリベンズチアゾールから成る群より選ばれる少なくとも一種の樹脂:100質量部、(B)プリン誘導体:該(A)樹脂100質量部を基準として0.01〜10質量部、並びに(C)感光剤:該(A)樹脂100質量部を基準として1〜50質量部を含む感光性樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】形成した樹脂パターンを熱処理した後であっても矩形又は矩形に近い樹脂パターンを製造できる樹脂パターン製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも工程(1)〜(6)をこの順に含むことを特徴とする樹脂パターン製造方法。
(1)感光性樹脂組成物を基板上に塗布する塗布工程
(2)塗布された感光性樹脂組成物から溶剤を除去する溶剤除去工程
(3)溶剤が除去された感光性樹脂組成物を活性光線によりパターン状に露光する露光工程
(4)露光された感光性樹脂組成物を水性現像液により現像する現像工程
(5)現像された感光性樹脂組成物の表面とプラズマ化したガスから生じるイオン及び/又はラジカルとを接触させプラズマ処理を行うプラズマ処理工程
(6)プラズマ処理を行った感光性樹脂組成物を熱処理する熱処理工程 (もっと読む)


【課題】レジストパターンサイズを必要以上に変動させることなく、レジストパターンのLWRを改善できるレジストパターン改善化材料、並びに該レジストパターン改善化材料を用いたレジストパターンの形成方法、半導体装置の製造方法、及び該半導体装置の製造方法により製造された半導体装置の提供。
【解決手段】下記一般式(1)で表される塩化ベンザルコニウムと、水とを含有するレジストパターン改善化材料である。


ただし、前記一般式(1)中、nは、8〜18の整数を表す。 (もっと読む)


【課題】パターンマスクの荒れを改善するために処理を行う方法において、パターンマスクの溶解を防ぐと共に、基板の面内で当該パターンマスクの表面を均一に平滑化させること。
【解決手段】露光、現像処理されてパターンマスクが形成された基板を処理容器内の載置台に載置して基板を加熱する工程と、次いで前記パターンマスクを膨潤させるために、溶剤ガスを前記基板の表面の中央部に供給しながら基板の周囲から排気する工程と、この工程を行いながら、前記載置台を介して基板の中央部の温度が基板の周縁部の温度よりも高くなるように基板に温度勾配を形成する工程と、を含むように処理を行う。それによって基板の中央部で溶剤の揮発を促進させて、均一にパターンマスクを膨潤させる。 (もっと読む)


【課題】半導体基板のダブルパターニング技術に適用される反転材料として特に適した組成物を提供する。
【解決手段】表面上に形成された感光性樹脂からなるパターン形状の間隙に埋め込む組成物であって、少なくともアリールオキシシラン原料の加水分解縮合物と、溶媒として芳香族化合物を有することを特徴とする間隙埋め込み用組成物。 (もっと読む)


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