【課題】イオン注入フォトレジストを剥離する際に有用である、少なくとも１つの酸性官能基を含有する水溶性ポリマーおよび少なくとも１つのランタニド金属含有酸化剤の水溶液を含むスピンオン配合物を提供する。
【解決手段】このスピンオン配合物をイオン注入フォトレジストに塗布し、ベークして、改質フォトレジストを形成する。改質フォトレジストは、水性、酸性、または有機溶剤に溶ける。このため、上述の溶剤の１つを用いて、イオン注入フォトレジストおよび存在し得るいずれかのフォトレジスト残留物を完全に剥離することができる。改質フォトレジストを剥離した後、水洗いステップを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 酸化亜鉛系結晶からなる薄膜の微細加工において、現像及びホトレジスト剥離のいずれの処理においても酸化亜鉛系結晶からなる薄膜の溶解を抑制し、導電特性及び可視光透過性の大幅な劣化を生ずることなくパターニング可能な方法の提供すること。
【解決手段】 基板上に酸化亜鉛系結晶からなる薄膜を成膜し、該薄膜表面にホトレジストを形成した後にパターンマスクを介して露光し、前記ホトレジストの露光部を現像液により現像処理を施して前記露光部のホトレジストを除去し、残存した前記ホトレジストを介して前記薄膜にエッチングを施した後に剥離液により前記ホトレジストを剥離処理するパターニング方法であって、前記現像液及び前記剥離液のｐＨが１０．５〜１３．５であり、且つ液温が１５〜５０℃の温度範囲であることを特徴とする酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のパターニング方法とする。 （もっと読む）

【課題】タングステンに対する腐食抑制機能に優れ、かつ、レジスト膜等の除去性能にも優れたリソグラフィー用洗浄液、及びこのリソグラフィー用洗浄液を用いた配線形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るリソグラフィー用洗浄液は、４級アンモニウム水酸化物と、水溶性有機溶剤と、水と、無機塩基と、下記一般式（１）で表される防食剤とを含有する。


（式中、Ｒ_１は炭素数１〜１７のアルキル基又はアリール基を示し、Ｒ_２は炭素数１〜１３のアルキル基を示す。） （もっと読む）

【解決手段】
ワークピースの表面から、フォトレジストをストリッピングし、イオン注入処理に関連する残留物を除去する方法を改善する。さまざまな実施形態によると、水素原子、フッ素含有ガスおよび保護用のガスを利用してプラズマを生成する。プラズマで活性化されたガスは、高ドーズ注入処理されたレジストと反応して、クラスト層およびバルクレジスト層の両方を除去すると同時に、ワークピース表面の露出部分を保護する。シリコン損失を低く抑えつつ、ワークピース表面の残留物を略無くすことができる。 （もっと読む）

マスキング材料、例えば、フォトレジストを除去するための方法、およびマスキング材料を除去することによって形成される電子デバイスが示される。例えば、マスキング材料を除去するための方法は、マスキング材料を、セリウムおよび少なくとも１つの追加的な酸化剤を含む溶液と接触させる工程を含む。セリウムは塩に含まれてもよい。塩は硝酸セリウムアンモニウムであってもよい。少なくとも１つの追加的な酸化剤は、マンガン、ルテニウムおよび／またはオスミウム含有化合物であってもよい。
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【解決手段】処理対象とされるウエハ表面の層に、気液分散系、すなわち硫酸中にオゾンの発泡体が含まれたものが適用されるように、気体オゾンと加熱硫酸とを組み合わせることによって、枚葉式フロントエンドウェット処理ステーションにおける、イオン注入されたフォトレジストの除去が改善された。 （もっと読む）

本発明は、フォトレジストストリッパー組成物に関するものである。より具体的に、本発明によるフォトレジストストリッパー組成物は、化学式１で示される化合物を含むことによって、フォトレジストの剥離能力が優れていて、フォトレジスト下部膜にモリブデン（Ｍｏ）が含まれる場合にもフォトレジスト下部膜に対する腐蝕防止力が優れている。
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本発明の非水系レジスト剥離液組成物は、（ａ）塩基性化合物、（ｂ）アミド化合物、（ｃ）極性溶媒、及び（ｄ）アルカノールアミン塩を含むことを特徴とする。
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【課題】オーバーコート層４を形成する樹脂として熱硬化性樹脂を用いた塗布膜が品質基準に達しない場合、塗布膜のみを剥離し、ブラックマトリックス２及び着色画素３を活用してカラーフィルタを廉価に製造するカラーフィルタの製造方法、製造装置。
【解決手段】カルボキシル基が露出していない熱硬化性樹脂を用いた塗布膜の品質が基準に達しない際、該塗布膜を軟化点以下の温度で微加熱してカルボキシル基を塗布膜表面に露出させ、アルカリ液による中和、溶解処理を施して塗布膜のみを剥離し、ブラックマトリックス、着色画素が順次に形成された状態のガラス基板１の再生を行う。 （もっと読む）

半導体デバイス製造においてシリコン含有反射防止コーティング(SiARC)層を有する膜構造を再加工する方法が供される。当該方法は、上にSiARC層を有する膜積層体を含む基板、及び、前記SiARC層上に形成されるレジストパターンを供する工程を有する。当該方法はさらに、前記SiARC層から前記レジストパターンを除去する工程、前記SiARC層を、オゾン(O₃)気体を含む処理気体に曝露することで、前記SiARC層を改質する工程、希釈フッ化水素(DHF)液体によって前記の改質されたSiARC層を処理する工程、及び、遠心力により、前記基板から前記の改質されたSiARC層を除去する工程を有する。
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