国際特許分類[G03F7/42]の内容
物理学 (1,541,580) | 写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ (245,998) | フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置 (42,984) | フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化またはパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置 (38,375) | 感光材料の処理;そのための装置 (4,777) | 剥離またはそのための処理剤 (402)
国際特許分類[G03F7/42]に分類される特許
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基板を処理する方法および装置
基板を処理する方法及び装置において、レジスト層は基板からプロセス溶液をスプレーすることによって剥離される。基板には、先ず、主剥離モジュールにおいてプロセス溶液がスプレーされ、その後、副剥離モジュールにおいてスプレーされ、プロセス溶液は主剥離モジュールと副剥離モジュールの下の容器に集められる。少なくとも一つの容器は個々のモジュールに設けられる。プロセス溶液が主剥離モジュール内の二つの容器に集められ、先ず、壁によって第1の容器と分離した第2の容器へ直接に送られる。壁はプロセス溶液の液面より低い領域で液体が通過可能に形成されている。泡のないプロセス溶液は第1の容器から回収され、プロセス溶液は循環して再び基板を濡らすプロセスに戻る。
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三次元表面パターンを有するユニットを形成する方法および同方法の使用
【課題】三次元表面パターンを有するユニットを形成する方法及びこの方法の使用の提供。
【解決手段】ベース層3上に、第1処理ステップにてフォトレジストを適用。第2処理ステップにて、予め定められたマスキング露光13をフォトレジスト層9に施す。第3処理ステップにて、フォトレジスト層9の一部を現像除去し、犠牲層領域25を有する初期表面パターンを得る。第4処理ステップにて、初期表面パターンを覆うコーティング29、31を、好ましくは交代層システムとして、特にスパッタリング法で適用。第5処理ステップにて、犠牲層領域25を不安定化させるため初期表面パターンにエネルギーを適用。第6処理ステップにて、初期表面パターンに予め定められた処理温度にて高圧液体ジェット33を作用させ、それにて犠牲層領域25を覆うコーティング29の少なくとも一部を最終表面パターンを得るために機械的に除去、又は少なくともこじ開ける。
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感光性樹脂組成物
【課題】無電解メッキ面への密着が良好で、かつアルカリ性条件下での光硬化したメッキレジストの除去が容易で、再付着しない微細配線可能なメッキレジストを提供する。
【解決手段】下記一般式で表される有機基(a)を1分子中に2個以上含有するラジカル重合性化合物(A)、多官能チオール化合物(B)、親水性ポリマー(C)、光ラジカル重合開始剤(D)及び酸発生剤(E)を必須成分として含有し、光照射とアルカリ現像によりパターン形成可能で、該光照射した部分を100℃以上の加熱処理を行うことでアルカリ溶解性にすることを特徴とした感光性樹脂組成物(Q)。
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レジストストリッピング組成物及び電気装置を製造するための方法
(A)それぞれの試験液(AB)の全質量に対する百分率で表して、0.06〜4質量%の、溶解したテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(B)の存在下に、遠UV吸収発色団を含む、厚さが30nmのポリマー性バリア反射防止層について、50℃で一定の除去速度を示す溶媒から成る群から選ばれる、少なくとも1種の極性有機溶媒、
(B)少なくとも1種の水酸化第4級アンモニウム、及び
(C)少なくとも1個の第1級アミノ基を含む、少なくとも1種の芳香族アミン、
を含む液体組成物、その製造方法、及びこの液体組成物をレジストストリッピング組成物として使用した、電気装置の製造方法、及びシリコンビアを通してパターン化、及び/又はメッキ及びバンピングすることによって3D Stacked Integrated Circuits及び3D Wafer Level Packingsを製造する中で、ネガティブトーン及びポジティブトーンフォトレジスト、及びエッチング後の残留物を除去するために、上記液体組成物を使用する方法。
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レジストストリッピング組成物及び電気装置を製造するための方法
N−アルキルピロリドン及びヒドロキシルアミン、及びヒドロキシルアミン誘導体を含まず、回転式粘度計で測定して、50℃で、動的せん断粘度が1〜10mPasである液体組成物であって、該液体組成物の全質量に対して、
(A)溶解したテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(B)の存在下に、遠UV吸収発色団を含む、厚さが30nmのポリマー性バリア反射防止層について、50℃で一定の除去速度を示す、40〜99.95質量%の、少なくとも1種の極性有機溶媒、
(B)0.05〜<0.5質量%の、水酸化第4級アンモニウム、及び
(C)<5質量%の水、
を含む液体組成物;その製造方法、電気装置を製造する方法、及びパターン化Through Silicon Viasによる、及び/又はメッキ及びバンピングによる3D Stacked Integrated Circuits及び3D Wafer Level Packingsの製造で、ネガティブトーン及びポジティブトーンフォトレジスト、及びエッチング後の残留物を除去するために、この液体組成物を使用する方法。
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多層レジスト積層体用剥離液及び多層レジスト積層体の処理方法
【課題】レジスト膜とその下層となる被膜とを同時に剥離することができる、レジスト剥離液を提供すること。
【解決手段】基板上に直接、又は他の層を介して形成される無機系レジスト下層膜と、前記無機系レジスト下層膜上に形成されるレジスト膜と、を有する多層レジスト積層体において、前記無機系レジスト下層膜及び前記レジスト膜を除去するために用いられる多層レジスト積層体用剥離液であって、(A)4級アンモニウム水酸化物、(B)水溶性有機溶剤、及び(C)水を含む多層レジスト積層体用剥離液。
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多金属デバイス処理のためのグルコン酸含有フォトレジスト洗浄組成物
【課題】金属を電気科学的腐食から保護しながら、良好な洗浄結果を生じる、多金属マイクロエレクトロニックデバイスのための良好な洗浄組成物を提供すること。
【解決手段】本発明は、多金属マイクロエレクトロニックデバイスを洗浄するために適切なマイクロエレクトロニックフォトレジスト洗浄組成物、および引き続いて水を使用するすすぎ工程が存在する場合に、実質的または有意なあらゆる電気化学的腐食を起こさずに、多金属マイクロエレクトロニックデバイスを洗浄することに関する。本発明はまた、このような多金属マイクロエレクトロニックデバイスを、本発明の組成物を用いて洗浄するための方法に関する。
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有機物質を除去するための組成物及び方法
電子デバイス基板、例えばマイクロエレクトロニクスウエハー及びフラットパネルディスプレイの基板から有機物質を除去するのに有用な組成物及び方法を提供する。無機基板に塗膜として最小限容量の組成物を適用し、そのため十分な熱が加えられ、完全に除去するためにすぐに水で濯がれる方法を提供する。これらの組成物及び方法は、電子デバイスから、ポジ型及びネガ型種類のフォトレジスト並びに熱硬化性ポリマーを除去し、完全に溶解するのに特に好適である。 (もっと読む)
泡処理装置
【課題】第1に、発生した泡を、連続的かつ確実に消泡でき、第2に、消泡剤は使用せず物理的に消泡し、第3に、しかも再使用面,構成面,後付け面,コスト負担増回避面、等々のコスト面にも優れた、泡処理装置を提案する。
【解決手段】この泡処理装置Eは、電子回路基板の製造工程で使用され、基板材Aに対しアルカリ処理液Bを噴射して表面処理する表面処理装置1に、付設される。そして、泡Dを連続的な処理し、吸引部11と処理部12とを有している。吸引部11は、表面処理装置1から、アルカリ処理液Bに感光性レジストCが溶解する際に発生した泡Dを、吸引する。処理部12は、表面処理装置1と吸引部12との間に介装され、吸引により回収された泡Dを、液とガスとに分離する。処理部12で泡Dを液化,分離して得られたアルカリ処理液Bは、表面処理装置1の液槽3へと戻されて、再使用される。
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レジスト剥離装置およびレジスト剥離方法
【課題】本発明は、下地に与える影響を抑制することができるとともにレジストの剥離性を向上させることができるレジスト剥離装置およびレジスト剥離方法を提供する。
【解決手段】被処理物に形成されたレジストを剥離するレジスト剥離装置であって、前記レジストに亀裂液を供給する亀裂液供給手段と、前記レジストに供給された亀裂液を乾燥させて前記レジストに亀裂を発生させる乾燥手段と、前記亀裂が発生したレジストに剥離液を供給する剥離液供給手段と、を備えたことを特徴とするレジスト剥離装置が提供される。
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