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国際特許分類[G03F7/42]の内容

国際特許分類[G03F7/42]に分類される特許

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【課題】
本発明は、半導体集積回路、プリント配線基板、液晶等の製造工程における銅、アルミニウム及びこれらからなる合金等の腐食性金属の酸化等による腐食防止を特徴とするオフェニルジケトン誘導体を用いた防食剤及び当該誘導体と剥離性能を有する化合物とからなる防食性能と剥離性能とを併せ持つ組成物の提供を課題とする。
【解決手段】
本願発明者らは、上記課題を達成するために研究を重ねた結果、フェニルジケトン誘導体化合物から、銅等の腐食しやすい金属に対し、高い防食効果を発揮しつつ、廃液からの回収も可能な防食剤、及び同化合物と剥離性能を有する化合物とからなる防食性能と剥離性能とを併せ持つ組成物を見出した。 (もっと読む)


【課題】 レジストの水による物性変化(膨潤性等)を利用して、レジスト膜を容易且つ確実に剥離する。これにより、資源・エネルギー多消費型技術からの脱却、すなわちレジストの除去にエネルギーや化学溶剤に依存しない環境共生型技術を実現させる。
【解決手段】 水蒸気噴射ノズル3をラインスリットノズルが直径方向となるように配置してミスト含有水蒸気をレジスト膜の表面に噴射し、当該レジスト膜を剥離・除去する。 (もっと読む)


【課題】レジスト材料として用いた場合に低温で分解除去することができ、未分解成分の残存量が極めて少ないポジ型感光性組成物、及び該ポジ型感光性組成物を用いる導電パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】特定構造の非環状アセタール構造単位を有する樹脂(A)と、光酸発生剤(B)とを含有するポジ型感光性組成物であって、前記特定構造の非環状アセタール構造単位を有する樹脂(A)中の酸素原子数に対する炭素原子数の比は、2.3〜6.0であるポジ型感光性組成物。 (もっと読む)


【課題】レジスト材料として用いた場合に低温で分解除去することができ、未分解成分の残存量が極めて少ないネガ型感光性組成物を提供する。また、本発明は、該ネガ型感光性組成物を用いる導電パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】非環状アセタール構造単位を有する(メタ)アクリル化アセタール樹脂(A)と、光重合開始剤(B)とを含有するネガ型感光性組成物であって、前記非環状アセタール構造単位を有する(メタ)アクリル化アセタール樹脂(A)は、特定の構造単位を有する樹脂であり、(メタ)アクリル化アセタール樹脂(A)中の酸素原子数に対する炭素原子数の比は、2.3〜6.0であるネガ型感光性組成物。 (もっと読む)


【課題】 はく離片を細分化(はく離後のレジスト片のサイズを小さく)させることができ、且つ耐めっき性に優れ、感度、解像度及び密着性に優れる感光性樹脂組成物、これを用いた感光性エレメント、レジストパターンの製造法及びプリント配線板の製造法を提供する。
【解決手段】 (A)バインダーポリマー、(B)エチレン性不飽和基を有する光重合性化合物、及び(C)光重合開始剤を含有する感光性樹脂組成物であって、前記(A)バインダーポリマーが、少なくとも(メタ)アクリル酸及びヒドロキシアルキル(メタ)アクリル酸エステルを共重合成分として含む感光性樹脂組成物。さらに、(D)密着性付与剤として、(D−1)ベンゾトリアゾール及び(D−2)一般式(I)で表されるカルボキシベンゾトリアゾール誘導体を含有すると好ましい。 (もっと読む)


【課題】シロキサンポリマーを含む感光性組成物を基板上に塗工し、感光性組成物を硬化させることにより形成された膜を基板から剥離する方法であって、膜を基板から容易に剥離できる膜の剥離方法を提供する。
【解決手段】シロキサンポリマーと、活性エネルギー線の照射によりシロキサンポリマーを架橋させる物質とを含む感光性組成物1を基板2上に塗工した後に、感光性組成物1に活性エネルギー線を照射し、感光性組成物1を硬化させることにより形成された膜1Aを基板から剥離する方法であって、10〜50℃の水中で10〜500kHz及び10W〜3kWの条件で5〜60分間、膜1Aに超音波をあてることにより、膜1Aを基板2から剥離する膜1Aの剥離方法。 (もっと読む)


【課題】
ICやLSI等の半導体素子や液晶パネル素子の配線工程におけるドライエッチング、アッシング後に残存するパターン側壁やパターン上部のバリアメタル上の残渣を低温、短時間で完全に除去でき、配線上部のバリアメタル上に粒状の異物が付着するのを抑制するレジスト剥離液組成物およびそれを用いた半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】
半導体素子や液晶パネル素子の製造工程において、ドライエッチング、アッシング後に残存するパターン側壁やパターン上部のバリアメタル上の残渣を剥離する際、フッ素化合物と1,10−フェナントロリン一水和物、1,10−フェナントロリン無水物、2,2’−ビピリジン、1,2,3−ベンゾトリアゾール、ピリジン、3,5−ジメチルピラゾール、ニトリロ三酢酸、プロピオン酸、および酢酸から選択される1種以上の水溶性化合物を含有することを特徴とするレジスト剥離液組成物で洗浄する(接触処理する)。 (もっと読む)


エッチングレジスト灰化プロセスに代わる剥離プロセスにおいて用いることができる配線工程(BEOL)の剥離剤溶液が提供される。この剥離剤溶液は、良好な効率性及び低く許容できる金属エッチング速度で、半導体集積回路のための半導体デバイス上に回路を製造及び/又は電極を形成するのに有用である。好ましい剥離剤は、極性で非プロトン性の溶媒、水、アミン、及びテトラメチルアンモニウムヒドロキシドではない第4級水酸化物を含む。更に、これらの方法にしたがって製造される集積回路デバイス及び電子相互接続構造が提供される。 (もっと読む)


【課題】 凹凸パターンが形成された無機レジストを速やかに除去することが可能な光ディスク原盤処理液及び光ディスク原盤の処理方法を提供する。
【解決手段】 基板2上に無機レジストにより凹凸パターン(無機レジスト層3)が形成された光ディスク原盤1の凹凸パターンを除去するための光ディスク原盤処理液である。この処理液は、過酸化水素とアンモニアを含有する。処理液に含まれる過酸化水素及びアンモニアは、過酸化水素水(試薬特級)及びアンモニア水(試薬特級)を基準として、1倍〜200倍に希釈されている。また、過酸化水素水とアンモニア水の比率は4:1〜1:10である。 (もっと読む)


【課題】高誘電率絶縁膜上に仕事関数制御金属導体を堆積した構造の半導体において、素子を劣化させることなく微細加工を施す。
【解決手段】半導体基板101上に形成されたHfあるいはZrを含む絶縁膜102、該絶縁膜上に形成されたTiあるいはTaあるいはRuを含む導体膜103を有し、該導電膜上に形成したレジスト107を用いて、プラズマ雰囲気中で前記導電膜を加工する半導体加工方法において、前記レジスト107を、水素を含み酸素を含まないガスのプラズマ雰囲気中で除去する。 (もっと読む)


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