【課題】不揮発性メモリをキャッシュメモリとして使用する場合に、電力遮断状態での保持されているデータの信頼性を向上させる。
【解決手段】キャッシュデータの記憶に不揮発性メモリを用いる。この場合に、電力供給遮断の準備として、待機状態データを生成して不揮発性メモリ部上に記憶する待機準備処理を行う。また電力供給再開の際に、待機状態データを用いて不揮発性メモリ部に記憶されたキャッシュデータの復帰処理を行う。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリのバッファ領域のウェアレベルを緩和するメモリシステムが提供される。
【解決手段】本発明によるメモリシステムは使用者領域とバッファ領域を有する不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリのウェアレベル情報に基づいて、前記使用者領域の一部ブロックを前記バッファ領域に転換する動作を管理するためのウェアレベル制御ロジックと、を含む。前記ウェアレベル情報は前記使用者領域のプログラム−消去サイクル情報、ＥＣＣエラー率情報、又は消去ループ回数情報であり得る。本発明によると、バッファ領域のＰ／Ｅサイクル耐久性（ｅｎｄｕｒａｎｃｅ）を増加するか、或いはＥＣＣエラー率や消去ループ回数の増加率を減らすことによって、メモリシステムの性能を向上させ得る。 （もっと読む）

【課題】物理アドレス空間上での配置を意識することなくデータの保持特性を強化する。
【解決手段】エラー訂正コード管理部は、データおよびその第１ＥＣＣを単位データとして複数の単位データを記憶部に記憶し、複数の単位データにおける所定の複数の単位データに対応してその第２ＥＣＣを記憶部に記憶する場合において、所定の複数の単位データと当該所定の複数の単位データに対応する第２ＥＣＣとの対応関係をエントリ毎に管理する。アドレス管理部は、論理アドレスとエラー訂正コード管理部におけるエントリとの対応関係を管理する。エラー訂正部は、リード対象の論理アドレスに対応するエラー訂正コード管理部におけるエントリをアドレス管理部から取得して当該エントリにおいて管理される所定の複数の単位データおよび第２ＥＣＣに基づいてエラー訂正を行う。 （もっと読む）

【課題】主記憶アクセス経路の負荷をリアルタイムに検出して、メモリパトロールリクエストの発行周期を柔軟に調整すること。
【解決手段】本発明にかかるメモリコントローラ１２は、プロセッサ１１からのアクセスリクエストＲに応答するメモリ１３へ、メモリ１３の状態を診断するための診断リクエストＤを発行し、診断リクエストＤの応答時間を計測し、当該計測された応答時間が所定時間より長い場合、診断リクエストＤの発行周期を長くするメモリ診断回路１２０、を備える。 （もっと読む）

【課題】電子処理装置への電源電圧を最も効率の良い電力点で動作し、処理装置の出力の正確性を犠牲にすることなく、発生するエラーを修正することが可能な電圧制御方法を提供する。
【解決手段】プロセッサ又はメモリ要素を有する電子処理装置２への電源電圧を制御し電子処理装置の出力を受信する装置であって、当該装置は、電子処理装置の出力におけるエラーを検出するエラー検出手段５と、電子処理装置の出力において検出されたエラーの分析に基づいて、電子処理装置への電源電圧を適応的に変化させる手段６とを備える。装置は更に、電子処理装置の出力における検出されたエラーを修正する手段７を備える。 （もっと読む）