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国際特許分類[G11B11/12]の内容

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【課題】無磁場下でも磁気記録を行え得る光磁気記録媒体及び光磁気記録方法を提供する。
【解決手段】40K未満の温度領域において、光照射によって記録層3の光照射箇所4に磁化が発生し、その周囲(常磁性状態)との磁化が異なる光照射箇所4(強磁性状態部分)を記録マークとすることで、記録層3に情報を記録できる。かくして、本発明では、外部磁場を用いることなく、記録層3への記録光hνの照射によって当該記録層3の光照射箇所4に磁化を発生させることができ、無磁場下でも磁気記録を行え得る光磁気記録媒体及び光磁気記録方法を提供できる。 (もっと読む)


【課題】大データ容量の近接場光記録用の機器及び方法を提供する。
【解決手段】第1表面を有する構成部品と、前記第1表面に隣接して位置決めされた相変化記憶媒体と、前記第1表面に隣接する焦点に電磁放射を方向づけて、近接場放射を利用して前記相変化記憶媒体の一部の相を変化させる第1導波路と、前記相変化記憶媒体に隣接して第1端部が位置決めされた第1電極と、前記記憶媒体の導電率の変化に応じて変化する前記第1電極内の電流を検出する検出器とを備える、機器。 (もっと読む)


【課題】磁気光学ヘッドのスライダブロックを小さくする。
【解決手段】集積されたマイクロ光学システムは、少なくとも2つのウエハの夫々の面上に設けられた少なくとも2つの光学エレメント71、73、75を備えた、少なくとも2つのウエハを含む。適用される場に対応して変化する特性を有するアクティブエレメント63は、ウエハの底面上に集積されても良い。結果の光学システムは、高い開口数を有する。好ましくは、光学エレメントの1つは、高い屈折率を有する材料から形成される屈折エレメントである。 (もっと読む)


【課題】強誘電体光メモリーにおいて、メモリー素子である強誘電体セラミックスを薄膜化することにより、駆動電圧を大幅に低電圧化することが課題である
【解決手段】
本発明の解決手段は、Pt(111)/TiO/SiO/Si(100) 基板上1に、メモリー材料としてPLZT2、光導電膜としてCdS3、透明電極としてITO4を積層させたサンドイッチ構造の素子とすることである。強誘電体セラミックスは駆動電圧に数キロボルト程度必要であるが、強誘電体薄膜は駆動電圧が1.5ボルト以上程度で済む。強誘電体薄膜を形成する技術は、多様に進展しており、既存の薄膜形成技術を駆使できる。強誘電体薄膜光メモリー素子の構造は単純であり、低コストで生産する事が可能である。 (もっと読む)


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