説明

国際特許分類[G11B13/04]の内容

国際特許分類[G11B13/04]に分類される特許

1 - 6 / 6


【課題】データが書き換えられたか否かを検知できる記録媒体にデータを記録する記録システム、及び、データを再生して書き換えられたか否かを検知する再生システムを提供する。
【解決手段】支持体14Aと、支持体上14Aに設けられた、書き換え可能な磁性層11A及びライトワンス型の光記録層13Aと、を備える磁気テープ10Aに対して、データを記録/再生する記録再生するシステムS1であって、記録ヘッド21と、再生ヘッド23と、光記録層13Aにデータを書き込むデータ書き込み手段30と、光記録層13Aからデータを読み取るデータ読み取り手段40と、制御装置100Bとを備えた記録再生システムS1であって、制御装置100Bは、記録ヘッド21及び書き込み手段30により、データを、磁性層11Aと光記録層13Aとに分割して記録する。 (もっと読む)


【課題】磁気記録方式で従来と同等の高記録密度を維持しつつ、書き換えを不可能にする追記型情報記録媒体等を提供する。
【解決手段】基板41と、基板上に形成された記録層44とを有し、記録層は、金属、合金または金属化合物からなる多層膜により形成され、多層膜の構造が近接場光等の光照射により崩れることで、磁気特性が非磁性から強磁性に変化、または磁気特性が強磁性から非磁性に変化することを利用して情報の記録を行う追記型情報記録媒体40。 (もっと読む)


【課題】磁気記憶ドライブにおいて、ディスク上のピットによる望ましくない影響および熱の発生を低減すること。
【解決手段】本発明によれるデータ記憶ディスクは、凹形状部(215)または凸形状部を含み得る。これら形状部は、種々の材料(630)で充填すること、および/または研磨することができる。 (もっと読む)


本発明は、相変化材料成分及び強磁性材料成分を含む、情報記録用媒体において使用される相変化磁性複合材材料に関連し、この場合、前記材料は磁気効果及び相変化効果の両方を示し、光学媒体、相変化ランダムアクセスメモリ(PCRAM)デバイス、磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)デバイス、固体メモリデバイス、センサーデバイス、論理デバイス、認知デバイス、人工ニューロンネットワーク、三レベルデバイス、制御デバイス、SOC(システムオンチップ)デバイス及び半導体のために使用可能である。 (もっと読む)


本発明は、透明および不透明領域を含み、情報が保管される情報層(11)と、少なくとも一つの磁化領域を有するように設計された磁化層(12)であって、前記少なくとも一つの磁化領域は、光スポットが前記情報層の対応する透明領域を透過した際に一時的に形成される、磁化層と、を有する記憶媒体(10)に関する。また本発明は、そのような記憶媒体(10)の情報を読み取る読み取り装置に関する。前記読み取り装置は、入力光ビーム(21)から光スポットの配列を生じさせる光学素子(23)であって、光スポットが、前記情報層(11)の前記対応する透明領域を通過した場合、前記磁化層(12)内に、前記磁化領域が一時的に形成されるように設計された、光学素子と、センサ素子の配列を有し、前記少なくとも一つの磁化領域を検出する磁気センサ(24)と、を有する。
(もっと読む)



1 - 6 / 6