【課題】上部表面上に接合パッドを有する熱アシスト記録組立体を提供する。
【解決手段】本発明は、概して、ＨＤＤ内のスライダ及びＴＡＲヘッドにレーザーダイオードを電気的に接続するための接合パッドの製造に関する。接合パッドをエアベアリング表面（ＡＢＳ）に垂直のヘッドの表面上に堆積させる。ヘッドをダイシング及びラップ研磨してヘッドの上部表面上において接合パッドを露出させ、且つ、スライダ上に取り付ける。接合パッドに接続することにより、レーザーダイオード及びサブマウントをスライダの上部表面に、即ち、ＡＢＳの反対側の面に、結合してもよい。具体的には、レーザーダイオード及びサブマウントは、いずれも、接合パッドに垂直の電極をその上部に有する。導電性接合材料を使用し、レーザーダイオード及びサブマウントを接合パッドに接合する。 （もっと読む）

【課題】
書込みヘッドにコイルを使用せず、これにより、抜本的な低消費電力化、書込みの超高速化、記録情報の超高密度化、または低価格化を図った電界書込み型磁気記録装置を提供する。
【解決手段】
電界書込み型磁気記録装置１は、強磁性強誘電性物質層を少なくとも１層含む磁気記録膜が基盤１１１にの表面に形成されている回転ディスク１１と、基盤１１１に対して電位を持つことで基盤との間に電束を生成する書込み電極１２１１を持ち電界により（磁界によらずに）情報の書込みを磁気記録膜１１２に対して行う書込み素子１２１と、情報の書込み動作ごとに、書込み電極に２つの電位レベルのうちの１つの電位を選択して与える書込み回路１３とを備え、書込み回路１３が書込み電極１２１１に与えた電位に応じて生成された電束により、強磁性強誘電性物質層を特定の方向に磁化する。 （もっと読む）

【課題】記録密度を向上できる高周波磁界発生素子、磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る高周波磁界発生素子は、第１固定層と、第１自由層と、第２自由層と、を備える。第１固定層は、磁化の方向が固定であって磁化の方向に第１方向と平行な成分が含まれる。第１自由層は、第１固定層と積層される。第１自由層は、磁化の方向が可変であって磁化の方向に第１方向と直交する成分が含まれる。第２自由層は、第１固定層と積層される。第２自由層は、磁化の方向が可変であって磁化の方向に第１方向と直交する成分が含まれる。第１固定層は、第１自由層と第２自由層との間に設けられる。第１自由層の磁化及び第２自由層の磁化は、第１自由層、第２自由層及び第１固定層に流れる電流により発振する。第１自由層の発振における磁化の回転方向は、第２自由層の発振における磁化の回転方向に対して逆である。 （もっと読む）

【課題】導入された光束の向きを変えながら集光して該光束から近接場光を効率良く発生させること。
【解決手段】光束Ｌを集光させながら伝播させる光束集光部４０ｂと、集光された光束から近接場光Ｒを生成して外部に発する近接場光生成部４０ｃと、を有する多面体のコア４０と、コアを内部に閉じ込めるクラッド４１とを有し、コアは、一端側から他端側に向かう長手方向に沿って延びる１つの側面と他の側面とを有し、光束集光部は、１つの側面が他端側に向かうにしたがって他の側面に近づくように傾くことにより絞り成形され、近接場光生成部は、１つの側面が他端側に向かうにしたがって他の側面に近づき、光束集光部における傾きより大きく傾くことによりさらに絞り成形されると共に、他端側で外部に露出する端面４０ｄが光の波長以下のサイズとされ、且つ１つの側面が遮光膜４２によって遮光されている近接場光発生素子２２を提供する。 （もっと読む）

【課題】プラズモンジェネレータによって表面プラズモンを効率よく伝播させながら、単一の材料によって形成されたプラズモンジェネレータでは実現できない性能を実現する。
【解決手段】導波路のコアより発生されるエバネッセント光と結合することによって表面プラズモンが励起されるプラズモンジェネレータ５０は、第１の金属材料よりなる第１の部分５１と、第１の金属材料とは異なる第２の金属材料よりなる第２の部分５２とを備えている。プラズモンジェネレータ５０は、前端面５０ａを有し、この前端面５０ａは、表面プラズモンに基づいて近接場光を発生する近接場光発生部５０ｇを含んでいる。第２の部分５２は、前端面５０ａに配置された端面５２ａを含んでいる。第２の金属材料は、第１の金属材料に比べて、イオン化傾向が小さいことと、電気伝導率が小さいことと、ビッカース硬度が大きいことの少なくとも１つの要件を満たす。 （もっと読む）

【課題】光導波路が形成された磁気ヘッド部に、半導体レーザを保持するサブマウントが固定された熱アシスト磁気ヘッドの不良品判別を簡易に行う。
【解決手段】半導体レーザの発光時間を変えながら駆動した状態で、スペクトラムアナライザを用いて波長モニタを行い、測定波長から推測される半導体レーザの内部温度が予め設定した温度範囲外となったとき、ジンバルアセンブリを不良品と判定する。 （もっと読む）