国際特許分類[G11B5/738]の内容
物理学 (1,541,580) | 情報記憶 (112,808) | 記録担体と変換器との間の相対運動に基づいた情報記録 (95,120) | 記録担体の磁化または減磁による記録;磁気的手段による再生;そのための記録担体 (16,233) | 材料の選択によって特徴づけられる記録担体 (5,371) | ベース層によって特徴づけられるもの (1,583) | 中間層により特徴づけられるもの (771)
国際特許分類[G11B5/738]に分類される特許
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Cr−Ti合金ターゲット材
【課題】 スパッタリング時にパーティクル発生を抑制可能なCr−Ti合金ターゲット材を提供することである。
【解決手段】 Tiを40〜60原子%含有し、残部Crおよび不可避的不純物からなるCr−Ti合金ターゲット材であって、スパッタ面のX線回折におけるCr相の(110)面の回折ピーク強度をA、TiCl2化合物相の(311)面の回折ピーク強度をBとするとき、相対強度比B/Aが10%以下であるCr−Ti合金ターゲット材である。
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垂直磁気ディスク
【課題】Ni系合金からなる前下地層の結晶配向性をさらに向上させることにより、SNRの向上と高記録密度化を図った垂直磁気ディスクを提供する。
【解決手段】本発明にかかる垂直磁気ディスクの代表的な構成は、基板110上に、軟磁性層130と、軟磁性層130の上に設けられたTa合金層140と、Ta合金層140の上に設けられたNi合金層142と、Ni合金層142の上に設けられたRuを主成分とする下地層150と、下地層150の上に設けられたグラニュラ磁性層160とを備え、Ta合金層140は、Taを10at%以上45at%以下含む非晶質かつ軟磁気特性を有する層であることを特徴とする。
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垂直磁気ディスクの製造方法
【課題】高いSNRを確保しつつ信頼性を向上することが可能な垂直磁気ディスクの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる垂直磁気ディスクの製造方法の構成は、基板上に、第1の圧力の雰囲気ガス下でRuまたはRu合金からなる第1下地層を成膜する第1下地層成膜工程と、第1の圧力より高い第2の圧力の雰囲気ガス下でRuまたはRu合金からなる第2下地層を成膜する第2下地層成膜工程と、第1の圧力より高く且つ第2の圧力よりも低い第3の圧力の雰囲気ガス下で、RuまたはRu合金を主成分とし酸化物を副成分とする第3下地層を成膜する第3下地層成膜工程と、第3下地層より上層に、柱状に成長したCoCrPt合金を主成分とする磁性粒子の周囲に酸化物を主成分とする非磁性物質が偏析して粒界部が形成されたグラニュラ磁性層を成膜するグラニュラ磁性層成膜工程と、を含むことを特徴とする。
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マイクロ波アシスト磁気記録構造、磁気ランダムアクセスメモリ構造、ハードバイアス構造、垂直磁気媒体および磁気デバイスの製造方法
【課題】 磁気デバイスにおける垂直磁気異方性と保持力とを向上させる。
【解決手段】 MAMR構造20は、Ta/M1/M2なる構造(例えば、M1はTi、M2はCu)の複合シード層22の上に、[CoFe/Ni]X等のPMA多層膜23を有する。複合シード層22とPMA多層膜23との間の界面、および、PMA多層膜23の積層構造内の各一対の隣接層間における1以上の界面の一方または双方に界面活性層を形成する。超高圧アルゴンガスを用いたPMA多層膜23の成膜により、各[CoFe/Ni]X間の界面を損傷するエネルギーを抑える。低パワープラズマ処理および自然酸化処理の一方または両方を複合シード層22に施すことにより、[CoFe/Ni]X多層膜との界面を均一化する。各[CoFe/Ni]X層間に酸素界面活性層を形成してもよい。保磁力は、180〜400°C程度の熱処理によっても増加する。
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垂直磁気ディスク
【課題】Ni系合金からなる前下地層についてさらに微細化および粒径均一化、および結晶配向性向上を図ることにより、SNRの向上と高記録密度化を図った垂直磁気ディスクを提供する。
【解決手段】基板110上に、第1Ni合金層142及び第2Ni合金層144と、Ruを主成分とする下地層150と、CoPt系合金と酸化物を含む垂直磁気記録層160とをこの順に備え、第1Ni合金層142及び第2Ni合金層144は、それぞれ単体においてbcc結晶構造を取る元素を少なくとも一つ含み、第2Ni合金層144は、酸化物をさらに含むことを特徴とする。
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フィルムスタック内の結晶アライメントのためのケイ素/金シード構造
【課題】フィルムスタック内の結晶アライメントのためのケイ素/金シード構造を提供する。
【解決手段】ケイ素/金(Si/Au)二層シード構造が、フィルムスタック内で、非晶質または結晶質の下部層と明確な結晶構造を伴う上部層との間に位置設定される。シード構造は、下部層の全体的に平担な表面上のSi層と、Si層上のAu層を含む。Si/Au界面は、面内配向された(111)平面を有する面心立方(fcc)結晶構造を伴うAu層の成長を開始させる。Au層で成長した上部層は、fccまたは六方最密充填(fcc)結晶構造を有する。上部層がfcc材料である場合には、その[111]方位はAu層の(111)平面に対し実質的に垂直に配向され、上部層がhcp材料である場合、そのc軸はAu層の(111)平面に対して実質的に垂直に配向される。
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垂直磁気記録媒体および磁気記録再生装置
【課題】熱揺らぎ耐性を高めながら,記録に必要な磁界を小さくし、しかも信号ノイズ比を改善できる垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板上に、第1磁性層と、非磁性中間層と、第2磁性層とをこの順に有し、前記第1磁性層と前記第2磁性層とは強磁性的に結合し、前記第1磁性層および前記第2磁性層は結晶粒子と非晶質粒界層とを有し、前記第1磁性層の結晶粒子はCo,PtおよびCrを含み,前記第2磁性層の結晶粒子はCoを含みCrを含まず、前記第1磁性層および第2磁性層について、飽和磁化をMs1,Ms2、異方性磁界をHk1,Hk2としたとき、Ms1<Ms2,Hk1>Hk2であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
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磁気記録媒体及びその製造方法
【課題】表面の平坦性が高く、安定な記録書き込み再生が可能な磁気記録媒体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】サーボ領域2を有し、前記サーボ領域2は、第1の領域24及び第2の領域25がパターンをなす磁気記録層7で形成され、前記第1の領域24は磁化の向きが第1の方向を向いた複数の第1の磁性粒子26とその周囲の非磁性体マトリックス28とを含み、前記第2の領域25は磁化の向きが前記第1の方向とは反対の方向を向いた複数の第2の磁性粒子27とその周囲の非磁性体マトリックス28とを含み、前記第1の磁性粒子26の大きさは、前記第2の磁性粒子27の大きさよりも小さいことを特徴とする磁気記録媒体。
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予めパターン化された表面特徴と平坦化された表面とを有する磁気記録ディスク
【課題】予めパターン化された表面特徴と平坦化された表面とを有する磁気記録ディスクを提供する。
【解決手段】ディスクリートトラック媒体(DTM)またはビットパターン媒体(BPM)ディスクなどの、隆起ランドと凹状の溝またはトレンチの予めパターン化された表面特徴を有する磁気記録ディスクが、平坦化された表面を有する。記録層を保護するために多層ディスクオーバーコートが使用され、オーバーコート層の少なくとも1つは、ディスクをほぼ平坦化する化学機械研磨(CMP)処理を終了するための停止層として機能する。多層オーバーコートの層のすべてはランドの上に位置するが、凹部の上にはオーバーコート層のいかなる層も位置しないかあるいはランド上の層の数より少ない数の層が位置する。
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垂直磁気ディスク
【課題】補助記録層としての機能を維持しつつ薄膜化を図り、SNRの向上およびオーバーライト特性の向上を図る。
【解決手段】本発明に係る垂直磁気ディスクの代表的な構成は、基板上に、グラニュラ磁性層160と、該グラニュラ磁性層160より上方に配置された補助記録層180とを備え、グラニュラ磁性層160は柱状に成長したCoCrPt合金を主成分とする磁性粒子の周囲に酸化物を主成分とする非磁性物質が偏析して粒界部が形成されたグラニュラ構造を有し、補助記録層180はCoCrPtRu合金を主成分とし、膜厚が1.5nm〜4.0nmであることを特徴とする。
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