【課題】磁壁の移動を利用した半導体装置を提供する。
【解決手段】複数の磁区を有する磁性ワイヤーを備える半導体装置において、磁性ワイヤーは、パルス磁場及びパルス電流のうち何れか一つにより移動する磁壁を備えてノッチフリーであることを特徴とする半導体装置である。これにより、該半導体装置の磁性ワイヤーは、パルス磁場またはパルス電流の強度及び幅によって移動距離が制御される磁壁を備えるので、磁壁の移動の制御のための別途のノッチが不要である。 （もっと読む）

データがナノワイヤにおける単磁区において符号化される種類のシリアル磁気大容量ストレージ装置及び関連のデータストレージ方法。本発明において、磁壁ピン止め部位を形成するために、その全長方向に沿って多数のノッチ（１２）を備えるナノワイヤ（１０）が提供される。ノッチは、加熱電極によって群（Ａ、Ｂ、Ｃ）でアドレス指定される。ナノワイヤに沿った動作磁界（Ｉ−１）の配列及び逆配列に同期して、ヘッド−ヘッド及びテイル−テイル磁壁（１６、１８）をホストするノッチを交互に加熱することにより、磁区（１４）は、加熱及び交互の動作磁界の協調作用下で、１ノッチ間分だけ磁区が延長され、ナノワイヤに沿って移動される。相互接続及び製造の観点から、この方式は、基板の平面からほぼ制限なしに拡縮され、何百あるいは何千もの積層したナノワイヤ層を提供することができ、格納された情報の非常に濃い３Ｄネットワークを実現できる。
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【課題】 製造が容易で信頼性が高く、かつ、トンネル絶縁膜を必要としない記憶素子、記憶装置、および、発光素子を提供すること。
【解決手段】 この記憶素子は、導電性を有するリング１３と、磁性体１０と、第１の配線１４と、第２の配線１５とを備える。上記磁性体１０は、リング１３の貫通穴に挿通されている。第１の配線１４は、リング１３の外周面の第１部分から延び、第２の配線１５は、上記外周面上における第２部分から延びている。この記憶素子は、第２の配線１５から第１の配線１４に電子を移動させた場合において、第１の配線１４に流れる電流の電流値を検出することによって、磁性体１０に書き込まれた記憶情報を読み取るようになっている。 （もっと読む）