【課題】 強磁性体構成要素を含む改良されたホール効果素子であって、例えば、ディジタルの組合わせ可能なタスクを実行する論理応用例や、磁界センサ等においてディジタル情報の不揮発性記憶装置用のメモリ素子として使用可能なホール効果素子を提供する。
【解決手段】 ホール・プレート５２０の一部を覆って該ホール・プレート５２０から電気的に絶縁されている強磁性体層５１０を含む。ホール・プレート５２０上のこの強磁性体層５１０は、外部的に印加された磁界によって変更可能であり、この素子がメモリ要素として用いられると、当該素子が２つの異なるデータ値（０或いは１）に対応し得る２つの安定磁化状態（正及び負）を異方性軸に沿って有することを可能としている。 （もっと読む）

【課題】 より高性能なメモリセルおよび情報処理回路を実現する。
【解決手段】 本発明のメモリセルは、スピントランジスタ構造を用いてチャンネル１４中の核スピン１３に電子スピン１２を転写することによりメモリ情報を保持するようになっている。 （もっと読む）

【課題】 簡単なメモリ構成を有し、製造コストが安い、不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】 十字状パターンを有するホール素子３上に絶縁膜２を介して形成された磁性薄膜１からなる不揮発性メモリにおいて、磁性薄膜１を容易軸が前記十字状パターンの電圧出力方向に沿い、かつ前記十字状パターン上に形成し、磁性薄膜1は、矩形状の一軸異方性を有し、少なくともＣｏとＳｍとを含有するアモルファス合金からなる不揮発性メモリである。 （もっと読む）

磁気メモリデバイスにおいて使用するための調整可能な磁気スイッチであって、バイアス磁場を与えるための磁気源と、バイアス磁場内に配置された磁気部品と、磁気リコイル効果にしたがって磁気部品中に所定の磁化レベルを設定するために磁気部品の周囲に同軸に配置されたコイルとを含む調整可能な磁気スイッチ。
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