【課題】 高い信頼性及び優秀な動作特性を有するメモリ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 メモリ素子は、基板１００と、基板１００に対して垂直方向に延長される第１電極１１０と、基板１００に対して垂直する方向に延長され、電極のギャップによって第１電極１１０と互いに離隔するように配置される第２電極１２０と有する。さらに、前記電極ギャップの内部に垂直方向に延長され、第１ギャップ１１８Ａだけ第１電極１１０から離隔され、第２ギャップ１１８Ｂだけ第２電極１２０から離隔され、静電気的に変形されることが可能であって、第１曲げ状態では、第１ギャップ１１８Ａを通じて第１電極１１０と電気的に接続されるようにし、第２曲げ状態では第２ギャップ１１８Ｂを通じて第２電極１２０と電気的に接続されるようにし、待機状態では第１電極１１０及び第２電極１２０と互いに電気的に絶縁されるようにする第３電極とを含む。 （もっと読む）

【課題】従来よりも少ない素子数で多値記憶回路の入力と出力とを分離する。
【解決手段】単電子トランジスタ１のドレイン電極Ｄを電界効果トランジスタ２のソース電極に接続し、電界効果トランジスタ２のドレイン電極を負荷素子３の一端に接続し、負荷素子３の他端を電源端子５に接続し、単電子トランジスタ１のソース電極Ｓを接地端子６に接続する。また、単電子トランジスタ１の第１のゲート電極Ｇを電界効果トランジスタ２と負荷素子３との接続点に接続し、さらにこの接続点を出力端子８に接続する。また、単電子トランジスタ１に新たに第２のゲート電極Ｇ_inを設け、この第２のゲート電極Ｇ_inを入力端子７に接続する。さらに、出力端子８と接地端子６との間に蓄積容量９を接続する。立ち上がり時間と立ち下がり時間とが異なる単極性または双極性の電圧パルスを入力端子７に与えて、多値記憶回路に記憶されたデータ値を書き換える。 （もっと読む）