【課題】機械的なスイッチを利用したメモリアレイ、その制御方法、機械的なスイッチを利用した表示装置及びその制御方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る機械的なスイッチを利用したメモリアレイは、複数のワードラインと、該複数のワードラインと互いに交差する複数のビットラインと、複数の機械的なスイッチと、を備える。機械的なスイッチは、該複数のワードラインと前記複数のビットラインとの交差部位に配置され、前記ワードラインそれぞれに接続したゲート電極と、該ゲート電極から離隔して形成され、キャパシタに接続したドレイン電極と、ソース電極とを備える。ソース電極は、ゲート電極から離隔して形成されビットラインそれぞれに接続した付着部、該付着部から延びて形成されゲート電極から離隔して形成された移動部、及び、該移動部から延びており該移動部のディンプルにより形成された突起部を有するソース電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体プロセスとの親和性が高く、機械的に電気的導通路を完全遮断するスイッチング機能を有し、かつ不揮発性の情報記録を可能とするメモリ素子を実現する。
【解決手段】基板上に形成された電気機械メモリであって、メモリセルを電極で挟む形で形成されており、ポスト部を介して中空に架橋された梁である可動電極を具備した電気機械メモリを実現する。この構成により、簡易な構造で不揮発性メモリを実現することが可能となり、従来実現困難であった低消費電力、低コストの高性能電気機械メモリおよびそれを用いた電気機器が実現可能となる。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを用いて構造が簡単で且つ寸法の小さい不揮発性の記憶素子を実現する。
【解決手段】第１の電極１３と第２の電極１４との間に電場を発生させると、その電場に応答してカーボンナノチューブからなる電場応答素子１１が直線的に伸長し、第２の電極１４と接触する。その結果、両電極１３、１４が互いに導通する。この状態は、デジタル信号の「１」を表す状態に対応する。電場応答素子１１は、一旦変形すると、電力供給を停止してもその状態を保つ。この状態は電場応答素子１１と第２の電極１４および絶縁層１２との間のファンデルワールス力によって保たれる。第１の電極１３と第２の電極１４との間に逆向きの電場を発生させると、その電場に応答して電場応答素子１１が縮長し、第２の電極１４から離れる。この状態は、デジタル信号の「０」を表す状態に対応する。 （もっと読む）