【課題】 統合発火型電子ニューロンを提供する。
【解決手段】 外部スパイク信号の受信に応じて、外部スパイク信号に基づいて電子ニューロンのデジタル膜電位が更新される。膜電位は漏れ率に基づいて減衰される。膜電位がしきい値を超えたことに応じて、スパイク信号が生成される。 （もっと読む）

【課題】符号形式や記憶媒体によって制限されることの少ない記憶方法および記憶装置を提供する。
【解決手段】記憶装置は、外部から情報を含む刺激９０１が与えられたときに、刺激９０１に含まれる複数の情報である複数の刺激側面３０１，３０２を検知し、刺激側面３０１，３０２の各々に対応する概念である反応４０１，４０２を生成する刺激側面検知・反応生成部２０１，２０２，２０３と、刺激９０１から刺激側面３０１，３０２の関係を抽出し、この抽出した関係を反応４０１，４０２の各々の間に投影して反応４０１，４０２を相互に関係付ける関係抽出・関係付与部５００と、反応４０１，４０２の関係を保持する保持部７０１と、情報の再生時に概念を符号等で表現された情報に変換する変換部８００とを備える。 （もっと読む）

【課題】セキュリティ機能を有する半導体記憶装置において、セキュリティデバイスとしての小型化と共に、ニューロンモデルの結合荷重の変更を可能にする。
【解決手段】半導体記憶装置であって、電荷蓄積層に蓄積される電荷量によりニューロンモデルの結合荷重を記憶する複数の不揮発性半導体メモリセル１１が並列配置され、各々のメモリセル１１のソースがデータを入力するためのデータ入力端に接続され、各々のメモリセル１１の制御ゲートが暗号キーを入力するためのキー入力端に接続された記憶部１０と、記憶部１０の各メモリセル１１のドレインに結合荷重と入力データとの積として出力される信号を加算する加算部２０と、加算部２０から出力される信号を認証データとして入力し、ユーザー情報として登録される参照データと比較照合することにより評価する評価部３０とを備えた。 （もっと読む）