【課題】 コンパクト性及び低消費電力性を保ちつつ、完全並列動作を可能にした不揮発ＴＣＡＭセル及び不揮発ＴＣＡＭワード回路を得ることを課題とする。
【解決方法】 第１の接続点に一端を接続されるとともにそれぞれのゲートが第１及び第２のサーチラインに接続された選択用の第１ＭＯＳトランジスタ及び第２ＭＯＳトランジスタと、該第１ＭＯＳトランジスタ及び該第２ＭＯＳトランジスタの他端にそれぞれその一端が接続され、その他端がビットライン又はＧＮＤに接続されている第２の接続点に接続されたスピン注入型の第１のＭＴＪ素子及び第２のＭＴＪ素子と、該第１のＭＴＪ素子及び該第２のＭＴＪ素子のそれぞれの一端に接続されるとともにそのゲートがそれぞれワードラインに接続された、ＭＴＪ素子への書き込みを行う第３ＭＯＳトランジスタ及び第４ＭＯＳトランジスタと、該第１の接続点に接続された電流源トランジスタと、該第１の接続点とマッチラインとの間に配置されたダイオードとを備えた不揮発ＴＣＡＭセル及び不揮発ＴＣＡＭワード回路。 （もっと読む）

【課題】メモリセルおよび比較動作をシンプルにしてチップコストを低廉化することができる半導体記憶装置の提供を図る。
【解決手段】抵抗値の変化によりデータを保持するメモリセルを複数含むメモリセルアレイ３１と、前記メモリセルに保持された参照データと、比較データと、を比較して一致するか否かを判定する判定部３０と、を有する半導体記憶装置であって、前記判定部は、前記参照データと、前記比較データのレベルに従った比較データレベル信号と、第１レベルとされた前記比較データとにより、該参照データと該比較データが一致するか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】ソフトエラーおよびスタンバイ電流を発生させずに、高速検索が可能な連想記憶装置を提供する。
【解決手段】連想メモリセルは、一端がサーチ線ＳＬに接続されるトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲと、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲの他端に接続される容量素子Ｃ５と、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲの他端と接地電源との間に設けられ、制御電極がワード線ＲＷＬと接続される第１のＭＯＳトランジスタＮ４と、マッチ線ＭＬと接地電源との間に設けられ、制御電極がトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲの他端に生じた電圧を受ける第２のＭＯＳトランジスタＮ２とを含む。 （もっと読む）

【課題】 究極の磁気ランダムアクセスメモリベース３値ＣＡＭを提供する。
【解決手段】 本発明は、第１および第２の磁気トンネル接合部であって、それらのいずれの側にそれぞれ延伸する第１および第２のストラップにそれぞれ接続された第１および第２の磁気トンネル接合部と、第１および第２のストラップの一端部にそれぞれ接続された第１および第２の選択トランジスタと、第１および第２の電流線と、第１および第２の磁気トンネル接合部を、第１および第２のストラップを接続する接合部端部に対向する接合部端部において、直列に電気的に接続する導電線と、を含む磁気ランダムアクセスメモリベース３値連想メモリセルに関する。本明細書で開示されるセルは、サイズがより小さく、高セル密度アレイを有するメモリ装置において有利に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）に基づいた三値連想メモリ（ＴＣＡＭ）に書き込んで検索する方法を提供する。
【解決手段】三値連想メモリセル１は、ストレージ層２３から形成されている第１磁気トンネル接合２、ストレージ層の磁化に対して調整可能な磁化方向を有するセンス層２１、及び、ストレージ層とセンス層との間の絶縁層２２を有し、ストレージ層に接続されているセンス線３を有し、第１フィールド線４及び第２フィールド線５を有する。第１フィールド線は、第２フィールド線に対して直交し、第２フィールド線を介してストレージ層に対して第１書込みデータを提供して、高い論理状態又は低い論理状態を有する第１記憶データを記憶する。第１フィールド線を介してストレージ層に対して第１書込みデータを提供して、マスクされた論理状態を有する第１記憶データを記憶する。 （もっと読む）

【課題】機能メモリのメモリセルに書き込まれたデータと一致検索用のデータとのExclusive-ORを少ない構成素子で演算する。
【解決手段】Exclusive-OR型機能メモリのメモリセル２のデータ蓄積部７に書き込まれたデータと一致検索用のデータとの排他的論理和を演算するに当たり、一致検索用のデータが真の値である場合、データ蓄積部７に書き込まれたデータを、正論理と負論理のうちの一方のデータとして読み出し、一致検索用のデータが偽の値である場合、データ蓄積部７に書き込まれたデータを、その他方のデータとして読み出す。 （もっと読む）