説明

国際特許分類[G11C19/00]の内容

物理学 (1,541,580) | 情報記憶 (112,808) | 静的記憶 (17,688) | 情報がステップ形式で移動するデジタル記憶装置,例.シフト・レジスター (487)

国際特許分類[G11C19/00]の下位に属する分類

磁気素子を用いるもの (1)
共振回路中の非線型誘導素子を用いるもの
能動素子,例.放電管,半導体素子,と結合した磁気素子を用いるもの (1)
ステージの主素子としてキャパシタを用いるもの
放電管を用いるもの
半導体素子を用いるもの (202)
オプト―エレクトロニクス装置,すなわち電気的または光学的に結合された光放射および光―電気装置を用いるもの
超電導素子を用いるもの
3以上の異なる安定状態を有する記憶素子を用いるもの,例.電圧によるもの,電流によるもの,位相によるもの,周波数によるもの
二次元の,例.水平方向と垂直方向に情報が移動するシフト・レジスター

国際特許分類[G11C19/00]に分類される特許

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【課題】従来方式の非同期シリアルパラレル変換回路のVHDL記述では、内蔵クロックバッファが使用できない場合に、クロックスキューが大きくなり、複数の非同期シリアルパラレル変換回路を正常に駆動することができなかった。
【解決手段】シリアルクロック(sr_clk)を、バッファ12、13により分岐し、それぞれ独立したシリアルクロックsr_clk3およびsr_clk2をoddデータ用の第1シフトレジスタを構成するFF14〜FF17およびevenデータ用の第2シフトレジスタを構成するFF18〜FF21に入力する。これにより、同一のシフトレジスタ内では、同一のバッファから出力されるクロックを使用するように、意図的に個別のバッファを挿入するようVHDLで記述することにより、クロックスキューを小さくする。 (もっと読む)



【目的】 クロックツリーマネージメント方式を使用しないで、クロックスキューが多少はあっても、誤動作の発生しないシフトレジスタ回路のクロック信号配線方法。
【構成】 クロック信号を出力するバッファ7の出力端から、最初にシフトレジスタ回路の最終段であるFF5のクロック入力端に至る配線路を形成し、次に前記FF5からFF4へ、FF4からFF3へというように、直列接続された後段のFFのクロック入力端からそれぞれ前段のFFのクロック入力端に至る配線路を順次形成する工程を繰返すことにより、最終段のFF5のクロック入力端から先頭のFF1のクロック入力端に至る配線路を形成する方法。 (もっと読む)


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