国際特許分類[G11C5/06]の内容
物理学 (1,541,580) | 情報記憶 (112,808) | 静的記憶 (17,688) | 11/00に分類される記憶装置の細部 (108) | 記憶素子を電気的に相互結合する機構,例.ワイヤリング (1)
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磁気的素子を相互結合するためのもの,例.トロイダル磁心に対するもの
コンデンサを相互結合するためのもの
国際特許分類[G11C5/06]に分類される特許
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半導体集積回路装置
【課題】パターン占有面積を低減でき、且つ配置の自由度も高い複数のメモリマクロを備えた半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】半導体集積回路装置は、複数のメモリマクロ12−1〜12−nと、マクロ間共通レジスタブロック11と、メモリマクロ動作設定回路17−1〜17−nとを備えている。マクロ間共通レジスタブロックは、複数のメモリマクロの外部に設けられ、複数のメモリマクロにメモリマクロ動作規定信号CSa〜CSdを供給するマクロ間共通レジスタ15a〜15dを有する。上記メモリマクロ動作設定回路は、複数のメモリマクロ中にそれぞれ設けられ、前記マクロ間共通レジスタから供給されるメモリマクロ動作規定信号を受けてメモリマクロの動作状態を設定する。
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